精英家教網(wǎng)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)粒子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置;
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置;
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)L/4,仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.
分析:(1)、此問(wèn)分為兩個(gè)過(guò)程,一是在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域的加速運(yùn)動(dòng),運(yùn)用能量的關(guān)系可求出加速后的速度;二是在電場(chǎng)Ⅱ區(qū)域內(nèi)的偏轉(zhuǎn),運(yùn)用類(lèi)平拋的知識(shí)可求出偏轉(zhuǎn)距離,從而得到電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置.
(2)、首先設(shè)出釋放點(diǎn)的坐標(biāo),在運(yùn)用在電場(chǎng)I中的加速和在電場(chǎng)II中的類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),計(jì)算出表示xy的乘積的方程,滿足此式的點(diǎn)即為符合要求的點(diǎn).
(3)、該問(wèn)分為三個(gè)階段,一是在電場(chǎng)I中的直線加速運(yùn)動(dòng),二是在電場(chǎng)II中的類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),三是從電場(chǎng)II射出后的勻速直線運(yùn)動(dòng),結(jié)合第二問(wèn)的解題思路,可求出結(jié)果.
解答:解:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電量為e,在電場(chǎng)I中釋放后將做出速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域I時(shí)的速度為vo,接著進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,對(duì)電子的整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程運(yùn)用動(dòng)能定理和勻變速直線運(yùn)動(dòng)公式有:eEL=
1
2
mv2,
在電場(chǎng)Ⅱ區(qū)域內(nèi)的偏轉(zhuǎn),L=vt,y1=
1
2
at2=
eE
2m
?
L2
v2
=
1
4
L
,方向向下,
故:y=
L
2
-y1=
L
4

所以位置坐標(biāo)(-2L,
1
4
L)
(2)設(shè)釋放位置坐標(biāo)為(x,y),在電場(chǎng)I中電子被加速到v1,然后進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),并從D點(diǎn)離開(kāi),有:eEx=
1
2
mv2,
L=vt,y =
1
2
at2=
eE
2m
?
L2
v2
=
L2
4x
,所以滿足xy=
L2
4
方程的點(diǎn)即為釋放點(diǎn)的位置
(3)設(shè)釋放位置坐標(biāo)為(x,y),eEx=
1
2
mv2,在電場(chǎng)I中加速到v2,進(jìn)入電場(chǎng)II后做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),在高度為y′處離開(kāi)電場(chǎng)II時(shí)的情景與(2)中類(lèi)似,然后電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)過(guò)D點(diǎn),則有:
L=vt1,
L
4
=vt2

y2=
1
2
a
t
2
1
=
eE
2m
?
L2
v2
=
L2
4x
,
y3=at1t2=
eE
m
?
L
v
?
L
4v
=
eEL2
4mv2
=
L2
8x

y=y2+y3=
L2
4x
+
L2
8x
=
3L2
8x
,
所以滿足y=
3L2
8x
方程的點(diǎn)即為釋放點(diǎn)的位置.
答:(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子從(-2L,
1
4
L
)離開(kāi)ABCD區(qū)域.
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),所有釋放點(diǎn)為滿足xy=
L2
4
的位置.
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置,在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置為y=
3L2
8x
點(diǎn)評(píng):本題考核了帶電粒子在簡(jiǎn)化的電子槍模型中的運(yùn)動(dòng)情況,是一道拓展型試題,與常見(jiàn)題所不同的是,一般試題是已知電子的出發(fā)點(diǎn),然后求電子在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的軌跡或離開(kāi)電場(chǎng)的出射點(diǎn)位置,而本題則是反其道而行之,是規(guī)定了電子的出射點(diǎn),要反推出在何處發(fā)出電子才能滿足所述要求.從內(nèi)容看,該題涉及的是電子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),這部分知識(shí)學(xué)生相對(duì)比較熟悉,也是經(jīng)常訓(xùn)練的題型之一,只不過(guò)本題作了拓展.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2008?上海)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置.
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)
Ln
(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)粒子所受重力).在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求:
(1)電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí)的速度?
(2)電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置?
(3)電子從釋放開(kāi)始到離開(kāi)電場(chǎng)II過(guò)程中所經(jīng)歷的時(shí)間?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸、y軸及雙曲線y=
L24x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅱ.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力,電子的電荷量為e,求:
(1)從電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的坐標(biāo);
(2)試證明在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開(kāi)MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開(kāi)的
(3)由電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開(kāi)P點(diǎn)的最小動(dòng)能.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場(chǎng)Ⅱ出來(lái)后經(jīng)過(guò)多少時(shí)間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo).

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)II.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力.求
(1)從電場(chǎng)I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的位置;
(2)由電場(chǎng)I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能;
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
L
n
(n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域II,在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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