如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸、y軸及雙曲線y=
L24x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場區(qū)域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場區(qū)域Ⅱ.兩個(gè)電場大小均為E,不計(jì)電子所受重力,電子的電荷量為e,求:
(1)從電場區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的坐標(biāo);
(2)試證明在電場Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開的
(3)由電場區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開P點(diǎn)的最小動(dòng)能.
分析:(1)根據(jù)數(shù)學(xué)知識求出B點(diǎn)距離y軸的距離.由動(dòng)能定理求出電子從B運(yùn)動(dòng)到C時(shí)的速度.電子離開第一象限電場后,先做勻速直線運(yùn)動(dòng),進(jìn)入第二象限電場后做類平拋運(yùn)動(dòng):水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律求出加速度,由位移公式求出水平位移.
(2)設(shè)從AB曲線邊界處釋放位置坐標(biāo)為(x,y),再根據(jù)動(dòng)能定理和類平拋運(yùn)動(dòng)的分解方法,根據(jù)牛頓第二定律求出加速度,由位移公式求出水平位移求出電子從第二象限射出電場的位置.
(3)設(shè)從AB曲線邊界處釋放位置坐標(biāo)為(x,y),再根據(jù)動(dòng)能定理和類平拋運(yùn)動(dòng)的分解方法,求出電子從第二象限射出電場的位置.對全過程應(yīng)用動(dòng)能定理,得到電子離開MNPQ時(shí)的動(dòng)能與x的關(guān)系,由數(shù)學(xué)知識求出最小的動(dòng)能.
解答:解:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電子在電場Ⅰ中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域Ⅰ的速度為v0,接著在無電場區(qū)域勻速運(yùn)動(dòng),此后進(jìn)入電場Ⅱ,在電場Ⅱ中做類平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從NP邊射出,出射點(diǎn)坐標(biāo)為y1,由y=
L2
4x
對于B點(diǎn),y=L,則x=
L
4

由動(dòng)能定理得 eE
L
4
=
1
2
m
v
2
0

 解得v0=
eEL
2m

設(shè)在電場Ⅱ中運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t1,則有t1=
L
v0

電子在y方向的位移:L-y1=
1
2
a
t
2
1
=
1
2
eE
m
(
L
v0
)2

   解得  y1=0
所以原假設(shè)成立,即電子離開MNPQ區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,0)
(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場區(qū)域Ⅰ中的坐標(biāo)為(x,y).在電場Ⅰ中電子被加速,速度為v1時(shí)飛離電場Ⅰ,接著在無電場區(qū)域做勻速運(yùn)動(dòng),然后進(jìn)入電場Ⅱ做類平拋運(yùn)動(dòng),并從NP邊離開,運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t2,偏轉(zhuǎn)位移為y2,則有   eEx=
1
2
m
v
2
1

y2=
1
2
a
t
2
2
=
1
2
eE
m
(
L
v1
)2

解得:y2=
L2
4x

所以偏轉(zhuǎn)位移為y2=y,電子將從P點(diǎn)射出.
所以原假設(shè)成立,即在電場Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開  
(3)由以上的分析可知,電子在兩個(gè)電場中被加速,w=eEx+eEy
則從B到P由動(dòng)能定理得     eE(x+y)=Ek-0 
又 y=
L2
4x

所以只有x=y點(diǎn)釋放的電子,離開P點(diǎn)時(shí)動(dòng)能最小   所以x+y=L    即  EKmin=eEL
答:(1)從電場區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的坐標(biāo)為(-2L,0);
(2)證明略;
(3)由電場區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開P點(diǎn)的最小動(dòng)能eEL.
點(diǎn)評:本題中電子先加速后偏轉(zhuǎn),基本方法是動(dòng)能定理和運(yùn)動(dòng)的分解,難點(diǎn)在于數(shù)學(xué)知識的應(yīng)用求極值和軌跡方程.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2008?上海)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.
(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動(dòng)
Ln
(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動(dòng)),求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力).在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求:
(1)電子進(jìn)入電場II時(shí)的速度?
(2)電子離開ABCD區(qū)域的位置?
(3)電子從釋放開始到離開電場II過程中所經(jīng)歷的時(shí)間?

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場Ⅱ出來后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo).

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的勻強(qiáng)電場II.兩個(gè)電場大小均為E,不計(jì)電子所受重力.求
(1)從電場I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的位置;
(2)由電場I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能;
(3)若將左側(cè)電場II整體水平向左移動(dòng)
L
n
(n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開電場區(qū)域II,在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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