工業(yè)上高純硅可以通過下列反應(yīng)制取:SiCl4(g)+ 2H2(g)  Si (s) + 4HCl(g) -236kJ

完成下列填空:

(1)在一定溫度下進行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,H2的平均反應(yīng)速率為0.1mol/(L·min),3min后達到平衡,此時獲得固體的質(zhì)量       g。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達式K=             。可以通過_______使K增大。

(3)一定條件下,在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)一定達到化學(xué)平衡狀態(tài)的是        。

a.2v(SiCl4)=v(H2)                 

b.?dāng)嚅_4molSi-Cl鍵的同時,生成4molH-Cl鍵

c.混合氣體密度保持不變

d.c(SiCl4):c(H2):c(HCl)=1:2:4

(4)若反應(yīng)過程如圖所示,縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量(mol),橫坐標(biāo)表示時間(min),若整個反應(yīng)過程沒有加入或提取各物質(zhì),則第1.5分鐘改變的條件是______,第3分鐘改變的條件是__________,各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時間段是_____________ 。

 

【答案】

(本題共8分,33題2分,其余1分)

(1)8.4

(2)K=c(HCl)4/c(SiCl4)·c(H2)2,升溫。

(3)ac

(4)減壓,升溫(且加催化劑),1—1.5分鐘

【解析】

試題分析:(1)m(Si)=1/2n(H2)M(Si)=1/2×0.1mol/(L·min)×2L×3miin×28g/mol=8.4g

(2)Si為固體,所以K=c(HCl)4/c(SiCl4)·c(H2)2,因為正反應(yīng)為吸熱反應(yīng),升溫平衡向右移動,K增大。

(3)a、正、逆速率相等,正確;b、斷開4molSi-Cl鍵說明反應(yīng)了1molSiCl4,生成4molH-Cl鍵說明生成4molHCl,都是正反應(yīng)反應(yīng)方向,不能說明達到平衡狀態(tài);c、混合氣體密度保持不變,說明氣體質(zhì)量不變,達到平衡狀態(tài),正確;d、各物質(zhì)的濃度之比與是否平衡無關(guān),錯誤。

(4)1.5分鐘H2物質(zhì)的量逐漸減小,HCl物質(zhì)的量逐漸增大,曲線斜率減小,說明平衡向正反應(yīng)方向移動,化學(xué)反應(yīng)速率變小,所以改變的條件是減小壓強;第3分鐘平衡向正反應(yīng)方向移動,化學(xué)反應(yīng)速率變大,改變的條件是升溫(且加催化劑);因為兩次平衡都是向右移動,所以氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時間段為第一次平衡時間段:1—1.5分鐘。

考點:本題考查化學(xué)反應(yīng)速率的計算、化學(xué)平衡常數(shù)、化學(xué)平衡狀態(tài)的判斷、圖像分析。

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2013?河?xùn)|區(qū)一模)工業(yè)上高純硅可以通過下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)
高溫
Si(s)+4HCl(g)-236kJ
完成下列填空:
(1)在一定溫度下進行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,H2的平均反應(yīng)速率為
此空刪除
此空刪除
0.1mol/(L?min),3min后達到平衡,此時獲得固體的質(zhì)量
8.4
8.4
 g.
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達式K=
c4(HCl)
c(SiCl4)?c2(H2)
c4(HCl)
c(SiCl4)?c2(H2)
.可以通過
升溫
升溫
使K增大.
(3)一定條件下,在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)一定達到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
ac
ac

a.2v(SiCl4)=v(H2)            b.?dāng)嚅_4mol Si-Cl鍵的同時,生成4mol H-Cl鍵
c.混合氣體密度保持不變              d.c(SiCl4):c(H2):c(HCl)=1:2:4
(4)若反應(yīng)過程如右圖所示,縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量(mol),橫坐標(biāo)表示時間(min),若整個反應(yīng)過程沒有加入或提取各物質(zhì),則第1.5分鐘改變的條件是
減壓
減壓
,第3分鐘改變的條件是
升溫
升溫
,各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時間段是
1-1.5min
1-1.5min

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱,也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差.參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù),回答下列問題:
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”)
SiC
Si; SiCl4
SiO2
(2)能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si和化合物SiCl4的熔點高低?
不能
不能
(填“能”或“不能”),原因是
物質(zhì)熔點高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定,單質(zhì)Si屬于原子晶體,原子間作用力是共價鍵;SiCl4屬于分子晶體,分子間作用力是范德華力,比共價鍵弱得多.因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點高低.
物質(zhì)熔點高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定,單質(zhì)Si屬于原子晶體,原子間作用力是共價鍵;SiCl4屬于分子晶體,分子間作用力是范德華力,比共價鍵弱得多.因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點高低.

(3)如圖立方體中心的“?”表示金剛石晶體中的一個原子,請在立方體的頂點用“?”表示出與之緊鄰的碳原子

(4)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取:SiCl4(g)+2H2(g)
高溫
 Si(s)+4HCl(g)計算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為
+236kJ/mol
+236kJ/mol

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科目:高中化學(xué) 來源:河南省濟源一中2010屆高三9月月考化學(xué)試題 題型:013

通常把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱,也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH).下面列舉了一些化學(xué)鍵的鍵能數(shù)據(jù),供計算用:

工業(yè)上高純硅可以通過下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g),該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH為:

[  ]

A.

+412 kJ/mol

B.

-412 kJ/mol

C.

+236 kJ/mol

D.

-236 kJ/mol

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科目:高中化學(xué) 來源:上海市黃浦區(qū)2013年高考一;瘜W(xué)試題 題型:022

工業(yè)上高純硅可以通過下列反應(yīng)制取:

SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)-236 kJ

完成下列填空:

1.在一定溫度下進行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2 L,H2的平均反應(yīng)速率為0.1 mol/(L·min),3 min后達到平衡,此時獲得固體的質(zhì)量________g.

2.該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達式K=________.可以通過________使K增大.

3.一定條件下,在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)一定達到化學(xué)平衡狀態(tài)的是________.

a.2v(SiCl4)=v(H2)

b.?dāng)嚅_4 mol Si-Cl鍵的同時,生成4 mol H-Cl鍵

c.混合氣體密度保持不變

d.c(SiCl4)∶c(H2)∶c(HCl)=1∶2∶4

4.若反應(yīng)過程如下圖所示,縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量(mol),橫坐標(biāo)表示時間(min),若整個反應(yīng)過程沒有加入或提取各物質(zhì),則第1.5分鐘改變的條件是________,第3分鐘改變的條件是________,各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時間段是________.

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