(2013?河?xùn)|區(qū)一模)工業(yè)上高純硅可以通過下列反應(yīng)制取:
SiCl
4(g)+2H
2(g)
Si(s)+4HCl(g)-236kJ
完成下列填空:
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,H
2的平均反應(yīng)速率為
此空刪除
此空刪除
0.1mol/(L?min),3min后達(dá)到平衡,此時獲得固體的質(zhì)量
8.4
8.4
g.
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=
.可以通過
升溫
升溫
使K增大.
(3)一定條件下,在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是
ac
ac
.
a.2v
逆(SiCl
4)=v
正(H
2) b.?dāng)嚅_4mol Si-Cl鍵的同時,生成4mol H-Cl鍵
c.混合氣體密度保持不變 d.c(SiCl
4):c(H
2):c(HCl)=1:2:4
(4)若反應(yīng)過程如右圖所示,縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量(mol),橫坐標(biāo)表示時間(min),若整個反應(yīng)過程沒有加入或提取各物質(zhì),則第1.5分鐘改變的條件是
減壓
減壓
,第3分鐘改變的條件是
升溫
升溫
,各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時間段是
1-1.5min
1-1.5min
.