Question

[化學(xué)—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           。
（2）硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以           相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)          個(gè)原子。
（4）單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷（SiH₄）分解反應(yīng)來(lái)制備。工業(yè)上采用Mg₂Si和NH₄Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     。
（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：

化學(xué)鍵	C—C	C—H	C—O	Si—Si	Si—H	Si—O
鍵能/(kJ?mol-1	356	413	336	226	318	452

 
①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是      。
②SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是                           。
（6）在硅酸鹽中，SiO4- 4四面體（如下圖（a））通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為      ，Si與O的原子數(shù)之比為         ，化學(xué)式為                  。

Answer 1

（1）M      9       4
（2）二氧化硅
（3）共價(jià)鍵       3
（4）Mg₂Si + 4NH₄Cl = SiH₄ + 4NH₃ + 2MgCl₂
（5）①C—C鍵和C—H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成。②C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si—O鍵，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵。
（6）sp³         1∶3         [SiO₃]2n- n(或SiO2- 3)

解析（1）基態(tài)Si原子中，有14個(gè)電子，核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p²，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為M。該能層具有的原子軌道數(shù)為1個(gè)s軌道，3個(gè)p軌道，5個(gè)d軌道。
（2）硅主要以硅酸鹽、二氧化硅等化合物的形式存在于地殼中。
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石都屬于原子晶體，其中原子與原子之間以共價(jià)鍵相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)為6×1/2＝3個(gè)原子。
（4）Mg₂Si和NH₄Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH₄，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為Mg₂Si + 4NH₄Cl = SiH₄ + 4NH₃ + 2MgCl₂。
（5）①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是①C—C鍵和C—H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成。②SiH₄的穩(wěn)定性小于CH₄，更易生成氧化物，原因是C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si—O鍵，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si—O鍵。
（6）在硅酸鹽中，SiO4- 4為四面體結(jié)構(gòu)，所以Si原子的雜化形式為sp³，Si與O的原子數(shù)之比為1∶3，化學(xué)式為[SiO₃]2n- n(或SiO2- 3)。
【考點(diǎn)定位】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、核外電子排布、化學(xué)鍵、雜化類型、晶體結(jié)構(gòu)