【題目】下列儀器中①漏斗；②容量瓶；③蒸餾燒瓶；④天平；⑤分液漏斗；⑥燃燒匙，常用于物質(zhì)分離的是 ( )

A. ①③④ B. ①②⑥ C. ①③⑤ D. ③④⑥

【答案】C

【解析】①漏斗可用于過(guò)濾，過(guò)濾是一種分離混合物的方法，故①正確；②容量瓶是配制一定物質(zhì)的量濃度的溶液的儀器，故②錯(cuò)誤；③蒸餾燒瓶是用于蒸餾實(shí)驗(yàn)的容器，蒸餾是一種分離物質(zhì)的方法，故③正確；④天平是稱量藥品質(zhì)量的儀器，故④錯(cuò)誤；⑤分液漏斗是分離互不相溶的密度不同的液體的儀器，故⑤正確；⑥燃燒匙是做物質(zhì)燃燒實(shí)驗(yàn)用的儀器，故⑥錯(cuò)誤；常用于物質(zhì)分離的有①③⑤，故選C。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列說(shuō)法正確的是 ( 　 )

A．物質(zhì)的量可理解為物質(zhì)的質(zhì)量

B．物質(zhì)的量就是物質(zhì)的粒子數(shù)目

C．物質(zhì)的量是度量物質(zhì)所含微觀粒子多少的一個(gè)物理量

D．物質(zhì)的量的單位——摩爾，只適用于分子、原子和離子

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列有關(guān)儀器用途的說(shuō)法正確的是 (　　)

A. 試管、燒杯均可用于給液體、固體加熱

B. 使食鹽水中NaCl結(jié)晶析出時(shí)，用到的儀器有坩堝、酒精燈、玻璃棒、泥三角

C. 區(qū)別NaCl、Na2SO4時(shí)常用到膠頭滴管、試管

D. 漏斗不可用于過(guò)濾溶液

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,且原子序數(shù)依次增大,其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;A與B可形成離子化合物B3A2;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D原子核外的M層中有兩對(duì)成對(duì)電子;E原子核外最外層只有1個(gè)電子,其余各層電子均充滿。請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題(答題時(shí),A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示):
（1）比E核外電子數(shù)少5的元素的原子核外電子排布式是,A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?/span>。
（2）B的氯化物的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于C的氯化物的熔點(diǎn),理由是。
（3）A的氫化物屬于(填“極性”或“非極性”)分子,D的低價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是。
（4）A、E形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為(每個(gè)球均表示1個(gè)原子)。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】用下列實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行相應(yīng)實(shí)驗(yàn)，能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康牡氖牵?）

A.用圖1所示裝置除去Cl2中含有的少量HCl
B.用圖2所示裝置蒸干NH4Cl飽和溶液制備NH4Cl晶體
C.用圖3所示裝置制取少量純凈的CO2氣體
D.用圖4所示裝置分離CCl4萃取碘水后已分層的有機(jī)層和水層

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】下列有關(guān)除雜質(zhì)（括號(hào)中為雜質(zhì)）的操作中，錯(cuò)誤的是（ ）

A. 乙醇（水）：加新制生石灰，蒸餾，收集餾出物

B. 溴乙烷（乙醇）：多次加水振蕩，分液，棄水層

C. 苯（苯酚）：加溴水，振蕩，過(guò)濾除去沉淀

D. 乙酸乙酯（乙酸）：加飽和碳酸鈉溶液，充分振蕩，分液，棄水層

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】X、Y、Z、W四種物質(zhì)的轉(zhuǎn)化關(guān)系．下列組合中不符合該關(guān)系的是（ ）

A.A
B.B
C.C
D.D

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】硅是帶來(lái)人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過(guò)程中創(chuàng)造了一個(gè)有一個(gè)奇跡．
（1）新型陶瓷Si3N4的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定．工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法，在H2的保護(hù)下，使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 ．
（2）一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物），已知硅的熔點(diǎn)是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅．一種合成氮化硅的工藝主要流程如圖：

①凈化N2和H2時(shí)，銅屑的作用是：；硅膠的作用是 ．
②在氮化爐中3SiO2（s）+2N2（g）═Si3N4（s）△H=﹣727.5kJ/mol，開(kāi)始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟?/span>；體系中要通入適量的氫氣是為了 ．
③X可能是（選填：“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”）．
（3）工業(yè)上可以通過(guò)如圖所示的流程制取純硅：
①整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧．SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 ．
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅，且生產(chǎn)過(guò)程中硅元素沒(méi)有損失，反應(yīng)Ⅰ中HCl的利用率為90%，反應(yīng)Ⅱ中H2的利用率為93.75%．則在第二輪次的生產(chǎn)中，補(bǔ)充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是 ．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

【題目】原電池的正極和電解池的陰極所發(fā)生的反應(yīng)分別是（ ）
A.氧化、還原
B.還原、氧化
C.氧化、氧化
D.還原、還原

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