【題目】硅是帶來人類文明的重要元素之一,從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個有一個奇跡.
(1)新型陶瓷Si3N4的熔點高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法,在H2的保護(hù)下,使SiCl4與N2反應(yīng)生成Si3N4沉積在石墨表面,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式
(2)一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如圖:

①凈化N2和H2時,銅屑的作用是:;硅膠的作用是
②在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=﹣727.5kJ/mol,開始時為什么要嚴(yán)格控制氮氣的流速以控制溫度;體系中要通入適量的氫氣是為了
③X可能是(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(3)工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅:
①整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng),寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅,且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失,反應(yīng)Ⅰ中HCl的利用率為90%,反應(yīng)Ⅱ中H2的利用率為93.75%.則在第二輪次的生產(chǎn)中,補(bǔ)充投入HCl和H2的物質(zhì)的量之比是

【答案】
(1)3SiCl4+2N2+6H2 Si3N4+12HCl
(2)除去原料氣中的氧氣;除去生成的水蒸氣;該反應(yīng)為放熱反應(yīng),防止局部過熱,導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán),阻礙與N2的接觸;將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣,而易被除去(或?qū)⒄麄體系中空氣排盡);硝酸
(3)SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2↑;5:1
【解析】解:(1.)由信息:四氯化硅和氮氣在氫氣的氣氛保護(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),可得較高純度的氮化硅以及氯化氫,方程式為:3SiCl4+2N2+6H2 Si3N4+12HCl,
故答案為:3SiCl4+2N2+6H2 Si3N4+12HCl;
(2.)①Cu能與氧氣反應(yīng),則Cu屑的作用為除去原料氣中的氧氣;硅膠具有吸水性,可除去生成的水蒸氣,故答案為:除去原料氣中的氧氣;除去生成的水蒸氣;②氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=﹣727.5kJ/mol,該反應(yīng)為放熱反應(yīng),開始時嚴(yán)格控制氮氣的流速以控制溫度是防止局部過熱,導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán),阻礙與N2的接觸;體系中要通入適量的氫氣是為將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣,而易被除去(或整個體系中空氣排盡),故答案為:該反應(yīng)為放熱反應(yīng),防止局部過熱,導(dǎo)致硅熔化熔合成團(tuán),阻礙與N2的接觸;將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣,而易被除去(或?qū)⒄麄體系中空氣排盡);③氮化硅能與HF酸反應(yīng),鹽酸、稀硫酸均不與Cu反應(yīng),氮化硅中混有銅粉,為除去混有的Cu,可選擇硝酸,Cu與硝酸反應(yīng),而氮化硅與硝酸不反應(yīng),故答案為:硝酸;
(3.)①SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和氫氣:3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl,故答案為:3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl;③反應(yīng)生產(chǎn)1mol純硅需補(bǔ)充HCl: ﹣3,需補(bǔ)充H2 ﹣1,補(bǔ)充HCl與H2的物質(zhì)的量之比為≈5:1.故答案為:5:1.
(1)根據(jù)信息:四氯化硅和氮氣在氫氣的氣氛保護(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),除生成氮化硅外還有氯化氫生成;(2)①Cu能與氧氣反應(yīng),硅膠具有吸水性;②控制氮氣的流速是防止溫度過高,體系中要通入適量的氫氣可將氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣;③氮化硅能與HF酸反應(yīng),鹽酸、稀硫酸均不與Cu反應(yīng),氮化硅中混有銅粉;(3)①SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和氫氣;②反應(yīng)生產(chǎn)1mol純硅需補(bǔ)充HCl: ﹣3,需補(bǔ)充H2 ﹣1.

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