[化學(xué)—選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)] (15分)

       Q、R、X、Y、Z為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次遞增。已知：

       ①Q(mào)為周期表中原子半徑最小的元素；

       ②R的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相同； ③Y的基態(tài)原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍；

       ④Q、R、Y三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體，Q、R兩種元素組成的原子個(gè)數(shù)比為1:1的化合物N是中學(xué)化學(xué)中常見(jiàn)的有機(jī)溶劑；

       ⑤Z有“生物金屬”之稱(chēng)，Z⁴⁺離子和氬原子的核外電子排布相同。

       請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，Q、R、X、Y、Z用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）

（1）化合物M的空間構(gòu)型為           ，其中心原子采取          雜化；化合物N的固態(tài)時(shí)的晶體類(lèi)型為          。

（2）R、X、Y三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>           。

（3）由上述一種或多種元素組成的與RY₂互為等電子體的分子為          (寫(xiě)分子式)。

（4）由R、X、Y三種元素所組成的RXY離子在酸性條件下可與NaClO反應(yīng)，生成X₂、RY₂等物質(zhì)。上述反應(yīng)的離子方程式為                         。

（5）Z原子基態(tài)時(shí)的外圍電子排布式為               ，Z的一種含氧酸鋇鹽的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，晶體內(nèi)與每個(gè)“Z”原子等距離且最近的氧原子數(shù)為            。

[化學(xué)一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分）
一水硫酸四氨合銅（II)(化學(xué)式為是一種重要的染料及農(nóng)藥中間體。某學(xué)習(xí)小組以孔雀石（主要成分為Cu₂(OH)₂CO₃,含少量Fe₂O₃和SO₂雜質(zhì)）為原料制備該物質(zhì)的流程如下：

請(qǐng)回答：
(1) 沉淀A的晶體中最小環(huán)上的原子個(gè)數(shù)為_(kāi)_____，氣體C分子中鍵和鍵的個(gè)數(shù)比為_(kāi)_____
(2) 溶液D的溶質(zhì)陰離子的空間構(gòu)型為_(kāi)_____，其中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)_____
(3) MgO的熔點(diǎn)高于CuO的原因?yàn)開(kāi)___________
(4) 畫(huà)出一水硫酸四氨合銅（II)中配離子的配位鍵____________。
(5)濕法煉銅就是利用溶液D制得銅單質(zhì)，銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示。

①銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為_(kāi)___________，晶胞中Cu原子的配位數(shù)為_(kāi)_____
②若Cu原子半徑為acm，則Cu單質(zhì)晶體的密度為_(kāi)_____g/cm³(只列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A)。

[化學(xué)一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分）

一水硫酸四氨合銅（II)(化學(xué)式為是一種重要的染料及農(nóng)藥中間體。某學(xué)習(xí)小組以孔雀石（主要成分為Cu₂(OH)₂CO₃,含少量Fe₂O₃和SO₂雜質(zhì)）為原料制備該物質(zhì)的流程如下：

請(qǐng)回答：

(1) 沉淀A的晶體中最小環(huán)上的原子個(gè)數(shù)為_(kāi)_____，氣體C分子中鍵和鍵的個(gè)數(shù)比為_(kāi)_____

(2) 溶液D的溶質(zhì)陰離子的空間構(gòu)型為_(kāi)_____，其中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)_____

(3) MgO的熔點(diǎn)高于CuO的原因?yàn)開(kāi)___________

(4) 畫(huà)出一水硫酸四氨合銅（II)中配離子的配位鍵____________。

(5)濕法煉銅就是利用溶液D制得銅單質(zhì)，銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示， 其晶胞如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示。

①銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為_(kāi)___________，晶胞中Cu原子的配位數(shù)為_(kāi)_____

②若Cu原子半徑為acm，則Cu單質(zhì)晶體的密度為_(kāi)_____g/cm³(只列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A)。

 [化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]13分

（1）元素的第一電離能：Al        Si（填“>”或：“<”）

（2）基態(tài)Mn²⁺的核外電子排布式為        。

（3）硅烷（Si_nH_2n+2）的沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量的變化關(guān)系如右圖所示，呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是        。

（4）硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉，其陰離子X(jué)^m—（含B、O、H三種元素）的球棍模型如右下圖所示：

①在X^m—中，硼原子軌道的雜化類(lèi)型有        ；配位鍵存在于           原子之間（填原子的數(shù)字標(biāo)號(hào)）；

m=            （填數(shù)字）。

②硼砂晶體由Na⁺、X^m—和H₂O構(gòu)成，它們之間存在的作用力有      （填序號(hào)）。

A．離子鍵       B.共價(jià)鍵        C.金屬鍵    

D.范德華力       E.氫鍵

[化學(xué)—選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)] (15分)

       Q、R、X、Y、Z為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次遞增。已知：

       ①Q(mào)為周期表中原子半徑最小的元素；

       ②R的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相同； ③Y的基態(tài)原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍；

       ④Q、R、Y三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體，Q、R兩種元素組成的原子個(gè)數(shù)比為1:1的化合物N是中學(xué)化學(xué)中常見(jiàn)的有機(jī)溶劑；

       ⑤Z有“生物金屬”之稱(chēng)，Z⁴⁺離子和氬原子的核外電子排布相同。

       請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，Q、R、X、Y、Z用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）

（1）化合物M的空間構(gòu)型為           ，其中心原子采取           雜化；化合物N的固態(tài)時(shí)的晶體類(lèi)型為           。

（2）R、X、Y三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>           。

（3）由上述一種或多種元素組成的與RY₂互為等電子體的分子為          (寫(xiě)分子式)。

（4）由R、X、Y三種元素所組成的RXY離子在酸性條件下可與NaClO反應(yīng)，生成X₂、RY₂等物質(zhì)。上述反應(yīng)的離子方程式為                          。

（5）Z原子基態(tài)時(shí)的外圍電子排布式為                ，Z的一種含氧酸鋇鹽的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，晶體內(nèi)與每個(gè)“Z”原子等距離且最近的氧原子數(shù)為             。