②除去SiH4中混有的雜質(zhì)氣體請回答下列問題: ⑴對方法一的理解.有同學闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴eГ閸ゅ嫰鏌涢锝嗙缁炬儳顭烽弻鏇熺箾閻愵剚鐝旂紒鐐劤閻忔繈鍩為幋锔藉亹鐎规洖娴傞弳锟犳⒑閹肩偛鈧洟鎮ц箛娑樼疅闁归棿鐒﹂崑瀣煕椤愶絿绠橀柣鐔村姂濮婅櫣绱掑Ο铏圭懆闂佽绻戝畝鍛婁繆閻㈢ǹ绀嬫い鏍ㄦ皑椤斿﹪姊虹憴鍕剹闁搞劑浜跺顐c偅閸愨晝鍘介柟鍏肩暘閸ㄥ宕弻銉︾厵闁告垯鍊栫€氾拷查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2009?泰州模擬)高純超凈特種氣體主要用于制造半導(dǎo)體器件、化合物半導(dǎo)體、激光器、光導(dǎo)纖維、太陽能電池等.超純硅化氫制備方法如下:(已知:常溫下SiH4難溶于水,與稀硫酸不反應(yīng),乙醚沸點(diǎn)34.6℃)
①由下列兩種方法制得SiH4
方法一:Mg2Si+4NH4Cl
液氨
SiH4+2MgCl2+4NH3
方法二:LiAlH4+SiCl4
C2H5OC2H5
SiH4+AlCl3+LiCl
②除去SiH4中混有的雜質(zhì)氣體
請回答下列問題:
(1)對方法一的理解,有同學(xué)認(rèn)為是NH4+水解產(chǎn)生H+,Mg2Si與H+反應(yīng)生成SiH4,你認(rèn)為該觀點(diǎn)是否正確?并簡述理由
不正確,因?yàn)樵摲磻?yīng)在液氨中進(jìn)行,非水體系,不會(huì)水解
不正確,因?yàn)樵摲磻?yīng)在液氨中進(jìn)行,非水體系,不會(huì)水解

(2)將方法二的固體產(chǎn)物溶于水,只有一種物質(zhì)能促進(jìn)水的電離,則NaOH、Mg(OH)2、LiOH堿性由強(qiáng)到弱的順序?yàn)?!--BA-->
NaOH>LiOH>Mg(OH)2
NaOH>LiOH>Mg(OH)2

(3)兩種方法制得的SiH4中均含有少量雜質(zhì),有同學(xué)提出用下列方法除去SiH4中的雜質(zhì),其中肯定不可行是
b
b

a.用稀硫酸洗氣     b.高溫使雜質(zhì)分解      c.低溫分餾
(4)甲、乙、丙三同學(xué)在討論SiH4制備方法的化學(xué)反應(yīng)類型時(shí)發(fā)表如下觀點(diǎn),你認(rèn)為正確的是
bc
bc

a.甲同學(xué)認(rèn)為兩個(gè)反應(yīng)均為氧化還原反應(yīng)
b.乙同學(xué)認(rèn)為兩個(gè)反應(yīng)中只有一個(gè)屬于氧化還原反應(yīng)
c.丙同學(xué)認(rèn)為要判斷是否屬于氧化還原反應(yīng),還需要知道SiH4中各元素具體的化合價(jià).

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同步練習(xí)冊答案
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