(1) 寫(xiě)出:A的電子式 .J的結(jié)構(gòu)式 .M的化學(xué)式 . (2) 基于反應(yīng)①原理的化學(xué)工業(yè)稱(chēng)為 .寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式 . (3) 寫(xiě)出K和E反應(yīng)的離子方程式 . 寫(xiě)出F溶液和H反應(yīng)的離子方程式 . (4) 己知由G分解得到的H.I.J三者的物質(zhì)的量相等.則G的化學(xué)式為 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

等電子體的結(jié)構(gòu)相似,物理性質(zhì)相近,該原理常被用于發(fā)現(xiàn)或者合成具有特殊功能的晶體和有機(jī)物等諸多領(lǐng)域。X是一種新型的無(wú)機(jī)材料,它與碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)相似,物理性質(zhì)相近,符合該原理。X有如下的轉(zhuǎn)變
其中C是一種能使?jié)駶?rùn)的紅色石蕊試紙變藍(lán)的無(wú)色氣體;D為白色沉淀且既溶于強(qiáng)酸又溶于強(qiáng)堿溶液;E溶液的焰色反應(yīng)呈黃色。
回答以下問(wèn)題:
(1)寫(xiě)出X的化學(xué)式:_______________。
(2)寫(xiě)出X與A溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式:_____________寫(xiě)出K與J反應(yīng)的化學(xué)方程式_____________。
(3)X與SiC的復(fù)合粉末是新一代大規(guī)模集成電路的理想散熱材料。最近日本科學(xué)家研究出一種新物質(zhì)與氮?dú)庵苽湓摷{米級(jí)復(fù)合材料的方法,請(qǐng)將該反應(yīng)補(bǔ)充完整(橫線上填新物質(zhì)的化學(xué)式):
_______+2N24X+SiC+3C。

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下表為長(zhǎng)式周期表的一部分,其中的編號(hào)代表對(duì)應(yīng)的元素.
A
B C D E F
G H I J
K M L
試填空.
(1)寫(xiě)出上表中元素D形成單質(zhì)的電子式為
;
(2)元素K基態(tài)原子的電子排布式
[Ar]3d54s1
[Ar]3d54s1
;H元素的離子結(jié)構(gòu)示意圖
;元素D原子核外的電子占有的軌道數(shù)目為
5
5
個(gè).
(3)元素M位于周期表的第
ⅤⅢ
ⅤⅢ
族;當(dāng)將M單質(zhì)與酸性KMnO4溶液作用時(shí),1個(gè)M原子失去3個(gè)電子,這些電子分別是在
4s、3d
4s、3d
軌道上的;
(4)G、H、I 這三種元素的第一電離能由大到小的順序是
Mg>Al>Na
Mg>Al>Na
(填對(duì)應(yīng)的元素符號(hào));三種元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的堿性由強(qiáng)到弱排列
NaOH>Mg(OH)2>Al(OH)3
NaOH>Mg(OH)2>Al(OH)3
(填對(duì)應(yīng)的化學(xué)式).
(5)元素A、D、J按照原子個(gè)數(shù)比4:1:1形成的化合物的化學(xué)式為
NH4Cl
NH4Cl
,其形成的晶體中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型為
離子鍵和共價(jià)鍵、配位鍵
離子鍵和共價(jià)鍵、配位鍵
.(寫(xiě)出化學(xué)鍵最具體的類(lèi)別)
(6)A、C、D 形成的ACD分子中,含有
2
2
個(gè)σ鍵,
2
2
個(gè)π鍵.
(7)E、F、G、H這四種元素原子形成的簡(jiǎn)單陰、陽(yáng)離子,按半徑由小到大排列
Mg2+<Na+<F-<O2-
Mg2+<Na+<F-<O2-
(填對(duì)應(yīng)的離子符號(hào))
(8)某些不同族元素的性質(zhì)也有一定的相似性,如上表中元素B與元素I的氫氧化物有相似的性質(zhì),寫(xiě)出元素B的氫氧化物與NaOH溶液反應(yīng)后鹽的化學(xué)式
Na2BeO2
Na2BeO2

(9)元素L在一定條件下形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1和圖2所示,則在圖1和圖2的結(jié)構(gòu)中與該元素一個(gè)原子等距離且最近的原子數(shù)之比為:
2:3
2:3
.兩種晶胞中實(shí)際含有原子個(gè)數(shù)之比為
1:2
1:2

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下表是元素周期表的一部分,表中所列字母分別代表某一化學(xué)元素.
a b
c d
e f g h i
j
(1)j是鈷元素,試寫(xiě)出該元素的電子排布式
[Ar]3d74s2
[Ar]3d74s2

(2)c、d原子半徑大小c
d,第一電離能大小關(guān)系是c
d,電負(fù)性大小關(guān)系是c
d.(以上填“>”或“<”)
(3)已知NH3?H2O的電離方程式為NH3?H2O?NH4++OH-,試判斷NH3溶于水后,形成的NH3?H2O的合理結(jié)構(gòu)是
(b)
(b)
 (填序號(hào),見(jiàn)圖).
(4)如果給核外電子足夠的能量,這些電子便會(huì)擺脫原子核的束縛而離去.核外電子離開(kāi)該原子或離子所需要的能量主要受兩大因素的影響:
①原子核對(duì)核外電子的吸引力②形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的傾向
下表是一些主族元素的氣態(tài)原子失去核外不同電子所需的能量(kJ?mol-):
X Y
失去第一個(gè)電子 519 502 580
失去第二個(gè)電子 7296 4570 1820
失去第三個(gè)電子 11799 6920 2750
失去第四個(gè)電子 9550 11600
表中X、Y可能分別為以上元素中的
Mg
Mg
Al
Al
(填寫(xiě)元素符號(hào)).

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如圖為元素周期表的一部分,回答下列問(wèn)題:
(1)請(qǐng)寫(xiě)出上述元素d基態(tài)原子的核外電子排布式
1s22s22p63s23p63d64s2
1s22s22p63s23p63d64s2
;
(2)請(qǐng)比較b、e兩種元素的第一電離能大的是
Mg
Mg
(寫(xiě)元素符號(hào)),其原因是
3s2全滿(mǎn)穩(wěn)定
3s2全滿(mǎn)穩(wěn)定
;
(3)i與j的氫化物比較,沸點(diǎn)較高的是
HF
HF
(填分子式),原因是
HF分子間存在氫鍵
HF分子間存在氫鍵
;
(4)f2a2分子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是
CH≡CH
CH≡CH
,元素f為
sp
sp
雜化,該分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目比為
3:2
3:2

(5)利用VSEPR理論確定y與a形成的10電子分子的理想構(gòu)型是
正四面體構(gòu)型
正四面體構(gòu)型
,實(shí)際構(gòu)型是
三角錐形
三角錐形

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如圖是元素周期表的一部分,表中所列字母分別代表一種化學(xué)元素:
精英家教網(wǎng)
試回答下列問(wèn)題:
(1)按電子排布,可把周期表中的元素劃分成5個(gè)區(qū),其中j位于
 
區(qū).
(2)請(qǐng)寫(xiě)出字母o代表的元素的基態(tài)原子外圍電子排布式
 

(3)第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖,其中序號(hào)“8”代表
 
(填元素符號(hào));其中電負(fù)性最大的是
 
(填右圖中的序號(hào)),第一電離能最大的是
 
(填圖中的序號(hào)).
(4)由j原子跟c原子以1:1相互交替結(jié)合而形成的晶體,晶體類(lèi)型與晶體j相同.兩者相比熔點(diǎn)更高的是
 
(填化學(xué)式),試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋?zhuān)?!--BA-->
 

(5)COCl2俗稱(chēng)光氣,分子中C原子采取
 
雜化方式成鍵;分子中的共價(jià)鍵含有
 
(填標(biāo)號(hào)).
a.2個(gè)σ鍵    b.2個(gè)π鍵     c.1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵    d.3個(gè)σ鍵、1個(gè)π鍵
(6)已知[Ni(NH32Cl2]可以形成A、B兩種固體,則[Ni(NH32Cl2]分子的空間構(gòu)型是
 
.若A在水中溶解度較大,B在CCl4中溶解度較大,試畫(huà)出A分子的幾何構(gòu)型圖
 

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物理部分參考答案

14.B    15. D    16 C    17 D 1   8. BCD    19. AC     20.BCD   21.CD

22.(I)(1)A (2);   B

II(1)

(2)A1  ; R1

 

23.(14分)解:(1)陳若琳躍起后可看作豎直向上的勻減速運(yùn)動(dòng),重心上升的高度

設(shè)起跳速度為,則,上升過(guò)程的時(shí)間

解得                  (2分)

陳若琳從最高處自由下落到手觸及水面的過(guò)程中重心下落的高度

            (2分)

設(shè)下落過(guò)程的時(shí)間為,則

解得     (2分)

陳若琳要完成一系列動(dòng)作可利用的時(shí)間

(2分)

(2)設(shè)從最高點(diǎn)到水面下最低點(diǎn)的過(guò)程中,重力做的功為,克服水的作用力的功為

由動(dòng)能定理可得(2分)

 

24.(18分)

解:(1)設(shè)桿ab剛進(jìn)入半圓形導(dǎo)軌時(shí)速度為,到達(dá)最高位置CD位置時(shí),速度為,由于恰能通過(guò)最高點(diǎn),則:  解得

桿ab進(jìn)入半圓形導(dǎo)軌后,由于軌道絕緣,無(wú)感應(yīng)電流,則根據(jù)機(jī)械能守恒:

解得

設(shè)在最低點(diǎn)時(shí)半圓形軌道對(duì)桿ab的支持力為N,

則有

解得

(2)桿ab離開(kāi)半圓形導(dǎo)軌后做平拋運(yùn)動(dòng),設(shè)經(jīng)時(shí)間落到水平導(dǎo)軌上

    解得

則桿ab與NQ的水平距離

故EF與NQ的水平距離為4m

(3)設(shè)桿ab做勻減速運(yùn)動(dòng)的加速度為a

解得

對(duì)桿剛要到達(dá)NQ位置進(jìn)行分析

 

25.(22分)解:(1)設(shè)所加電場(chǎng)沿X、Y軸的分量分別,粒子沿X、Y軸的加速度分量分別和,則有:

  代入  解得

粒子到達(dá)P點(diǎn)時(shí)速度為    

粒子的加速度為

(2)設(shè)粒子在框架內(nèi)的圓周運(yùn)動(dòng)半徑為R

由分析可知    解得:

(3)設(shè)從C到P運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為,碰撞次數(shù)最小的情況下在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的周期為T(mén)

在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間

在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間

回到C點(diǎn)的時(shí)間

 

 

生物部分參考答案

一、選擇題:1――6 CBADBB

二、非選擇題

30.I(14分除注明外,每空2分)(1)陰生   (2)6  (3)efgh (4)4  不能(1分),因?yàn)橹参镆粫円狗e累的有機(jī)物為零(1分)  (5)不正確(1分):葡萄糖不能直接進(jìn)入線粒體,必須在細(xì)胞質(zhì)基質(zhì)中分解為丙酮酸后,方可進(jìn)入線粒體繼續(xù)分解(1分)  (6)光能→ATP中活躍的化學(xué)能→有機(jī)物中穩(wěn)定的化學(xué)能→ATP中活躍的化學(xué)能

II(14分,每空2分)

(1)①試驗(yàn)要有可重復(fù)性,僅用兩只小白鼠進(jìn)行試驗(yàn)有一定的偶然性;②對(duì)照試驗(yàn)前首先測(cè)量甲、乙兩鼠的體溫。③對(duì)照組要作假性試驗(yàn)處理(其他合理也可給分)

(2)贊同,先做不破壞下丘腦的試驗(yàn),再做破壞下丘腦后的試驗(yàn),進(jìn)行前后自身對(duì)照。

(3)BD(不完整不得分)

(4)甲狀腺素和腎上腺素(不完整不得分)神經(jīng)和體液(不完整不得分)

(5)影響甲狀腺素的分泌,精神萎靡,食欲不振惡或影響抗利尿激素合成,尿液量增加。(其他合理也可給分)

 

31.(16分,每空2分)

(1)形狀分離     高產(chǎn)抗病且能穩(wěn)定(不完整不得分)

(2)選擇

(3)不同物種間存在生殖隔離(或遠(yuǎn)源雜交不親和的障礙)

(4)①1:1  ②抗性小麥:不抗性小麥=3:1  (不完整不得分)  ③抗病基因接在含有高產(chǎn)基因的染色體上

(5)病原體感染

 

 

化學(xué)部分答案

7-13       BADBCCC

26.(共16分)

I (1)   (1分) ;(2)弱  (1分) ;只要符合要求即可  (2分)

(3)N2H4(1)+O2(g)=N2(g)+2H2O(1),H=-629Kj/mol  (3分)

II   (1)無(wú)論從速率還是平衡考慮,壓強(qiáng)越大均越有利,但考慮到設(shè)備材質(zhì)和加工工藝要求、生產(chǎn)力等綜合成本等因素,實(shí)際采用30―50Mpa ,(2分)

在此溫度范圍內(nèi),催化劑活性最佳。(2分)

(2)    (2分)    (3)N2+6e-+8H+=2N   (3分)

 

27.(共14分)

(1)

 

(2)氯堿工業(yè) (1分)  ,     (3分)

(3)  (2分)    (2分)    (4)     (3分)

 

 

28.(共14分)

(1)+1價(jià), +2價(jià), (各1分); Cu2O(2分)

(2)陰極上:(2分)

陽(yáng)極上:(白)(3分)

(3)①(3分)

  ②(2分)

 

29.(共14分)

(1)①②④  (2分)

(2)1,2-二溴丙烷(2分)

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同步練習(xí)冊(cè)答案