(3)形成的10電子氫化物中.沸點最高的是 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

I.氫能的存儲是氫能應(yīng)用的主要瓶頸,配位氫化物、富氫載體化合韌是目前所采用的主要儲氫材料。

(1)Ti(BH42是一種過渡元素硼氫化物儲氫材料。在基態(tài)Ti2+中,電子占據(jù)的最高能層符號為        ,該能層具有的原子軌道數(shù)為      ;

(2)液氨是富氫物質(zhì),是氫能的理想載體,利用實現(xiàn)儲氫和輸氫。下列說法正確的是         ;

a.NH3分子中氮原子的軌道雜化方式為sp2雜化

b.NH+4與PH+4、CH4、BH-4、ClO4互為等電子體

c.相同壓強時,NH3的沸點比PH3的沸點高

d.[Cu(NH34]2+離子中,N原子是配位原子

(3)已知NF3與NH3的空間構(gòu)型相同,但NF3不易與Cu2+形成配離子,其原因是         ;

II.氯化鈉是生活中的常用調(diào)味品,也是結(jié)構(gòu)化學(xué)中研究離子晶體時常用的代表物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

(1)設(shè)氯化鈉晶體中Na+與跟它最近鄰的Cl之間的距離為r,則該Na+與跟它次近鄰的C1個數(shù)為       ,該Na+與跟它次近鄰的Cl之間的距離為     

(2)已知在氯化鈉晶體中Na+的半徑為以a pm,Cl的半徑為b pm,它們在晶

體中是緊密接觸的,則在氯化鈉晶體中離子的空間利用率為      ;(用含a、b的式子袁示)

(3)納米材料的表面原子占總原子數(shù)的比例很大,這是它有許多特殊性質(zhì)的原因。假設(shè)某氯化鈉顆粒形狀為立方體,邊長為氯化鈉晶胞的10倍,則該氯化鈉顆粒中表面原子占總原子數(shù)的百分比為                 。

 

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I.氫能的存儲是氫能應(yīng)用的主要瓶頸,配位氫化物、富氫載體化合韌是目前所采用的主要儲氫材料。
(1)Ti(BH42是一種過渡元素硼氫化物儲氫材料。在基態(tài)Ti2+中,電子占據(jù)的最高能層符號為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為     
(2)液氨是富氫物質(zhì),是氫能的理想載體,利用實現(xiàn)儲氫和輸氫。下列說法正確的是        ;
a.NH3分子中氮原子的軌道雜化方式為sp2雜化
b.NH+4與PH+4、CH4、BH-4、ClO4互為等電子體
c.相同壓強時,NH3的沸點比PH3的沸點高
d.[Cu(NH34]2+離子中,N原子是配位原子
(3)已知NF3與NH3的空間構(gòu)型相同,但NF3不易與Cu2+形成配離子,其原因是        ;
II.氯化鈉是生活中的常用調(diào)味品,也是結(jié)構(gòu)化學(xué)中研究離子晶體時常用的代表物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

(1)設(shè)氯化鈉晶體中Na+與跟它最近鄰的Cl之間的距離為r,則該Na+與跟它次近鄰的C1個數(shù)為      ,該Na+與跟它次近鄰的Cl之間的距離為     
(2)已知在氯化鈉晶體中Na+的半徑為以a pm,Cl的半徑為b pm,它們在晶
體中是緊密接觸的,則在氯化鈉晶體中離子的空間利用率為     ;(用含a、b的式子袁示)
(3)納米材料的表面原子占總原子數(shù)的比例很大,這是它有許多特殊性質(zhì)的原因。假設(shè)某氯化鈉顆粒形狀為立方體,邊長為氯化鈉晶胞的10倍,則該氯化鈉顆粒中表面原子占總原子數(shù)的百分比為                。

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有A、B、C、D、E五種短周期元素,其原子序數(shù)依次增大。A原子的電子層數(shù)與它的核外電子總數(shù)相同,B原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍,C元素的原子基態(tài)時2p能級是2s能級上的電子數(shù)的2倍,D是該周期中原子半徑最大的主族元素,E原子的第一至第四電離能(kJ·mol-1)分別為:578、1817、2745、11575。請回答下列問題:


(1)C、D兩元素形成的化合物的晶體類型是        。BC2的結(jié)構(gòu)式        ;在一定溫度下,用x射線衍射法測BC2晶胞(晶體中最小的重復(fù)單位)邊長: a=5.72×10-8cm,該溫度下BC2的密度為               
(2)若F是D的同主族下一周期元素,則F的電子排布式是:        ,
(3)寫出E的最高價氧化物對應(yīng)的水化物與D的最高價氧化物對應(yīng)的水化物反應(yīng)的離子方程式      
(4)A2C分子間因存在“氫鍵”的作用而彼此結(jié)合形成(A2C)n。在該分子形成的晶體中每個A2C分子被4個A2C分子包圍形成變形的四面體,通過“氫鍵”相互連接成龐大的分子晶體,其結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示,試填空。
①含1molA2C的該晶體中有_____mol“氫鍵”。
②若G是C的同主族下一周期元素,請比較A2C與A2G沸點的高低______________。(填分子式)

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有A、B、C、D、E五種短周期元素,其原子序數(shù)依次增大。A原子的電子層數(shù)與它的核外電子總數(shù)相同,B原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍,C元素的原子基態(tài)時2p能級是2s能級上的電子數(shù)的2倍,D是該周期中原子半徑最大的主族元素,E原子的第一至第四電離能(kJ·mol1)分別為:578、1817、2745、11575。請回答下列問題:

(1)C、D兩元素形成的化合物的晶體類型是        。BC2的結(jié)構(gòu)式        ;在一定溫度下,用x射線衍射法測BC2晶胞(晶體中最小的重復(fù)單位)邊長: a=5.72×108cm,該溫度下BC2的密度為               

(2)若F是D的同主族下一周期元素,則F的電子排布式是:        

(3)寫出E的最高價氧化物對應(yīng)的水化物與D的最高價氧化物對應(yīng)的水化物反應(yīng)的離子方程式      。

(4)A2C分子間因存在“氫鍵”的作用而彼此結(jié)合形成(A2C)n。在該分子形成的晶體中每個A2C分子被4個A2C分子包圍形成變形的四面體,通過“氫鍵”相互連接成龐大的分子晶體,其結(jié)構(gòu)示意圖如右圖所示,試填空。

①含1molA2C的該晶體中有_____mol“氫鍵”。

②若G是C的同主族下一周期元素,請比較A2C與A2G沸點的高低______________。(填分子式)

 

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(1)A,B,C,D是周期表中前10號元素,它們的原子半徑依次減。瓺能分別與A、B、C、形成10電子總數(shù)相等的多原子分子M、N、W,且在M、N、W分子中,A、B、C原子都采取sp3雜化.
①A、B、C的第一電離能由小到大的順序為
 
 (用元素符號表示).A22-與C22+互為等電子體,C22+的電子式
 

②N的沸點比其同族相鄰氫化物沸點高的主要原因是
 
.W分子的空間構(gòu)型的名稱是
 

(2)E、F、G三元素的原子序數(shù)依次增大,它們原子的最外層電子排布均為4s1
①F元素基態(tài)原子電子排布式為
 

②E元素單質(zhì)的晶體堆積模型為
 
(填字母)
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③向G的硫酸鹽溶液中通入過量N氣體,可生成 [G(N)4]2+不考慮空間構(gòu)型,[G(N)4]2+的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為
 
 (用元素符號表示).

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