19．圖甲中bacd為導體作成的框架.其平面與水平面成θ角.質量為m的導體棒PQ與ab.cd接觸良好.回路的電阻為R.整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中.磁感應強度的變化如圖乙.PQ始終靜止.在0―ts內.PQ受到的摩擦力的變化情況可能是: ( A C )A．f一直增大 B．f一直減小C．f先減小后增大 D．f先增大后減小 【查看更多】

 

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圖甲中bacd為導體作成的框架，其平面與水平面成θ角。質量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的總電阻為R，整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應強度的變化如圖乙所示。已知PQ始終靜止，則在0~t0s內，PQ受到的摩擦力f的變化情況可能是

A．f一直增大

B．f一直減小

C．f先減小后增大

D．f先增大后減小

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圖甲中bacd為導體作成的框架，其平面與水平面成θ角，質量為m的導體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個裝置放于垂直于框架平面的變化的磁場中，磁感應強度的變化如圖乙，PQ始終靜止，在0－ts內，PQ受到的摩擦力的變化情況可能是：

A．f一直增大

B．f一直減小

C．f先減小后增大

D．f先增大后減小

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