工業(yè)上高純硅可以通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl₄(g)+ 2H₂(g)  Si (s) + 4HCl(g) －236kJ

完成下列填空：

（1）在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng)，若反應(yīng)容器的容積為2L，H₂的平均反應(yīng)速率為0.1mol/(L·min)，3min后達(dá)到平衡，此時(shí)獲得固體的質(zhì)量       g。

（2）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K＝             。可以通過(guò)_______使K增大。

（3）一定條件下，在密閉恒容容器中，能表示上述反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是        。

a．2v_逆(SiCl₄)＝v_正(H₂)                 

b．?dāng)嚅_(kāi)4molSi－Cl鍵的同時(shí)，生成4molH－Cl鍵

c．混合氣體密度保持不變

d．c(SiCl₄)：c(H₂)：c(HCl)＝1:2:4

（4）若反應(yīng)過(guò)程如圖所示，縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量（mol），橫坐標(biāo)表示時(shí)間（min），若整個(gè)反應(yīng)過(guò)程沒(méi)有加入或提取各物質(zhì)，則第1.5分鐘改變的條件是______，第3分鐘改變的條件是__________，各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時(shí)間段是_____________ 。

工業(yè)上高純硅可以通過(guò)下列反應(yīng)制取：SiCl₄(g)+ 2H₂(g)  Si (s)+ 4HCl(g) －236kJ
完成下列填空：
（1）在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng)，若反應(yīng)容器的容積為2L，H₂的平均反應(yīng)速率為0.1mol/(L·min)，3min后達(dá)到平衡，此時(shí)獲得固體的質(zhì)量      g。
（2）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K＝            �？梢酝ㄟ^(guò)_______使K增大。
（3）一定條件下，在密閉恒容容器中，能表示上述反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是       。
a．2v_逆(SiCl₄)＝v_正(H₂)                 
b．?dāng)嚅_(kāi)4molSi－Cl鍵的同時(shí)，生成4molH－Cl鍵
c．混合氣體密度保持不變
d．c(SiCl₄)：c(H₂)：c(HCl)＝1:2:4
（4）若反應(yīng)過(guò)程如圖所示，縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量（mol），橫坐標(biāo)表示時(shí)間（min），若整個(gè)反應(yīng)過(guò)程沒(méi)有加入或提取各物質(zhì)，則第1.5分鐘改變的條件是______，第3分鐘改變的條件是__________，各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時(shí)間段是_____________ 。