如圖示的電路中，AB是一段粗細(xì)均勻的電阻絲，R是保護(hù)電阻，電阻值為2Ω，電源的電動(dòng)勢(shì)為6V，安培表內(nèi)阻為零，其示數(shù)為I，滑動(dòng)片P與電阻絲有良好接觸，且AP長(zhǎng)度為L(zhǎng)，其它連接導(dǎo)線電阻不計(jì)。閉合電鍵，調(diào)節(jié)P的位置，記錄L和與之相對(duì)應(yīng)的I數(shù)據(jù)，并同已計(jì)算出的1/I值列表如下：

實(shí)驗(yàn)次數(shù)	1	2	3	4	5
L（m）	0.10	0.20	0.30	0.40	0.50
I(A)	1.78	1.39	1.09	0.96	0.83
1/I(A-1)	0.56	0.72	0.92	1.04	1.20

(1)    （2分）在圖中畫(huà)出1/I～L圖象；
(2)    （4分）從圖中求出截距b＝       和斜率K＝        ；
(3)（6分）根據(jù)截距和斜率，求出電源內(nèi)電阻r＝       和該電阻絲單位長(zhǎng)度的電阻R₀＝           。

如圖所示，間距為L(zhǎng)的平行金屬板AB、CD之間有相互垂直的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（圖中未畫(huà)出），電場(chǎng)強(qiáng)度為E₁，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B₁．帶異種電荷的兩離子a、b，負(fù)離子a質(zhì)量為m、帶電量為q，其比荷為正離子b比荷的9倍．它們?cè)诜謩e距離AB、CD板L/4處，以平行于金屬板方向的速度沿直線穿過(guò)ABCD區(qū)域進(jìn)入電場(chǎng)強(qiáng)度為E₂的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)，E₂與E₁平行．MNP為沿AB、CD中心線方向的光滑絕緣板，離子與板碰撞后反彈無(wú)能量損失（即反彈前后水平分速度保持不變，豎直分速度大小不變、方向相反），且電量保持不變，到達(dá)板的N點(diǎn)后反彈進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B₂的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，不計(jì)兩離子間的相互作用力及重力．
（1）在圖中畫(huà)出AB、CD間勻強(qiáng)磁場(chǎng)B₁的方向，并寫(xiě)出離子速度大小的表達(dá)式；
（2）MN的長(zhǎng)度要滿足什么條件，兩離子能恰好到達(dá)N點(diǎn)？
（3）若a離子的比荷q/m=10⁸C/kg，E_l=10³V/m，B_l=0.1T，E₂=3×10³V，L=2×10^-3m，且板NP足夠長(zhǎng)．則兩離子進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)B₂后，沿板NP方向上平均速度之比為多少？