碳、氮、氧、氟都是位于第二周期的重要的非金屬元素。請回答下列問題：
（1）基態(tài)氟原子的核外電子排布式是______________ 。
（2）C、N、O、F四種元素第一電離能從大到小的順序是_________________。
（3）碳和另外三種元素均可形成化合物。四氟化碳的空間構(gòu)型為____________，CF₄可以利用甲烷與Cl₂和HF在一定條件下反應(yīng)來制備，其反應(yīng)方程式為___________；CO是__________分子(填“極性”或“非極性”)，CO的常見等電子體為N₂、CN^－，已知CN^－與N₂結(jié)構(gòu)相似，推算HCN分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為___________；C₃N₄是一種新型材料，它的硬度比金剛石還高，可做切割工具，可推測出C₃N₄屬于_________晶體。
（4）N₄分子結(jié)構(gòu)和白磷一樣都是正四面體。又已知斷裂1molN－N鍵吸收167kJ熱量，生成1 molN≡N鍵放出942kJ熱量，0.1 molN₄轉(zhuǎn)變?yōu)镹₂將放出____________熱量：
（5）CaF₂和CaC₂都屬于離子晶體。CaF₂晶體的密度為a g·cm^－3，則晶胞(如圖)的體積是_______________(只要求列出算式)。

（6）CaC₂晶體的晶胞與氯化鈉相似，但由于CaC₂晶體中的C存在，使晶胞沿一個方向拉長，則CaC₂晶體中1個C周圍距離最近且相等的Ca^2＋數(shù)目為__________，C與O 互為等電子體，O的電子式為____________。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                    ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                     。

（3）本校化學(xué)興趣小組同學(xué)，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

結(jié)論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應(yīng)             。高溫無水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH₄能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H₂；

B．硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3SiH₄+4NH₃＝Si₃N₄+12H₂↑，反應(yīng)中NH₃作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學(xué)穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應(yīng)；

D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si₃N₄是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。