A. B.2 : 3 C.1 : 3 D. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

精英家教網(wǎng)A.(選修模塊3-3)
(1)有以下說法,其中正確的是
 

A.在兩分子間距離增大的過程中,分子間的作用力減小
B.布朗運(yùn)動反映了花粉小顆粒內(nèi)部分子的無規(guī)則運(yùn)動
C.晶體一定具有規(guī)則形狀,且有各向異性的特征
D.溫度、壓力、電磁作用等可以改變液晶的光學(xué)性質(zhì)
(2)一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)A(p1、V1)開始做等壓膨脹變化到
狀態(tài)B(p1、V2),狀態(tài)變化如圖中實線所示.此過程中氣體對外做的功為
 
,氣體分子的平均動能
 
(選填“增大”“減小”或“不變”),氣體
 
(選填“吸收”或“放出”)熱量.
(3)已知地球的半徑R,地球表面的重力加速度g,大氣壓強(qiáng)p0,空氣的平均摩爾質(zhì)量為M,阿伏加德羅常數(shù)NA.請結(jié)合所提供的物理量估算出地球周圍大氣層空氣的分子數(shù).

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C. (選修3-5試題) 
(1)下列說法正確的是
 

A.原子核內(nèi)部某個中子轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)子和電子,產(chǎn)生的電子從原子核中發(fā)射出來,這就是β衰變
B.比結(jié)合能小的原子核結(jié)合成或分解成比結(jié)合能大的原子核時一定吸收核能
C.根據(jù)玻爾理論可知,氫原子輻射出一個光子后,氫原子的電勢能增大,核外電子的運(yùn)動速度減。
D.德布羅意在愛因斯坦光子說的基礎(chǔ)上提出物質(zhì)波的概念,認(rèn)為一切物體都具有波粒二象性.
(2)現(xiàn)用如圖1下列幾種能量的光子的光照射處于基態(tài)的氫原子,A:10.25eV、B:12.09eV、C:12.45eV,則能被氫原子吸收的光子是
 
(填序號),氫原子吸收該光子后可能產(chǎn)生
 
種頻率的光子.氫原子能級圖為:
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(3)如圖2(a)所示,在水平光滑軌道上停著甲、乙兩輛實驗小車,甲車系一穿過打點計時器的紙帶,當(dāng)甲車受到水平向右的瞬時沖量時,隨即啟動打點計時器,甲車運(yùn)動一段距離后,與靜止的乙車發(fā)生正碰并粘在一起運(yùn)動,紙帶記錄下碰撞前甲車和碰撞后兩車運(yùn)動情況如圖2(b)所示,電源頻率為50Hz,求:甲、乙兩車的質(zhì)量比m:m

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C.(選修模塊3-5)
(1)下列說法正確的是
BD
BD

A.黑體輻射規(guī)律表明當(dāng)溫度升高時,有的波長對應(yīng)的輻射強(qiáng)度增強(qiáng),有的波長對應(yīng)的輻射強(qiáng)度減弱,
B.光的粒子性被光電效應(yīng)和康普頓效應(yīng)所證實
C.氫原子輻射出一個光子后能量減小,核外電子的運(yùn)動加速度減小
D.比結(jié)合能越大,表示原子核中核子結(jié)合得越牢固,原子核越穩(wěn)定
(2)如圖,滑塊A、B靜止在水平氣墊導(dǎo)軌上,兩滑塊間緊壓一輕彈簧,滑塊用繩子連接,繩子燒斷后,輕彈簧掉落,兩個滑塊向相反方向運(yùn)動.現(xiàn)拍得閃光頻率為10HZ的一組頻閃照片.已知滑塊A、B的質(zhì)量分別為200g、300g.根據(jù)照片記錄的信息可知,A、B離開彈簧后:

(1)A滑塊動量大小為
0.018kg?m/s
0.018kg?m/s
;
(2)A的動量變化大小
等于
等于
B的動量變化大。ㄌ睢按笥凇薄靶∮凇被颉暗扔凇保
(3)彈簧彈開過程對B做功為
0.00054J
0.00054J
;
(4)彈簧彈開前蓄積的彈性勢能為
0.00135J
0.00135J

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精英家教網(wǎng)A. (選修模塊3-3)
(1)對于分子動理論和物體的內(nèi)能理解,下列說法正確的是
A、當(dāng)分子間距離從平衡r0位置增大時,分子間的引力在減小,但斥力減小得更快,所以分子間作用力將表現(xiàn)為引力
B、布朗運(yùn)動是液體分子的運(yùn)動,它說明分子永不停息地做無規(guī)則運(yùn)動
C、理想氣體在狀態(tài)變化時,溫度升高,氣體分子的平均動能增大,氣體的壓強(qiáng)不一定增大
D、當(dāng)分子間的引力和斥力平衡時,分子勢能最小
(2)如圖所示p-V圖,一定質(zhì)量的理想氣體由狀態(tài)A經(jīng)過程Ⅰ變至狀態(tài)B時,從外界吸收熱量420J同時膨脹對外做功300J.當(dāng)氣體從狀態(tài)B經(jīng)過程Ⅱ回到狀態(tài)A時,外界壓縮氣體做功200J,求此過程中氣體
 
(填“吸收”或“放出”)熱量為
 
J
(3)鍍銅的工藝應(yīng)用很廣泛.如果鍍膜內(nèi)銅原子的個數(shù)要求是8×1022個/米2,取1g銅,均勻鍍在物體表面時,則能鍍膜的面積為
 
m2.(已知銅的摩爾質(zhì)量為64g/mol,結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)

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D.為了測量一個量程為3V的電壓表的內(nèi)阻RV(約幾千歐),可以采用如圖甲電路.
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(1)試將如圖乙所給實驗儀器按實驗電路連成測量電路.
(2)在測量時,可供選擇的實驗步驟有:
A.閉合開關(guān)K;
B.將電阻箱R0的阻值調(diào)到最大;
C.將電阻箱R0的阻值調(diào)到零;
D.調(diào)節(jié)電阻箱R0的阻值使電壓表的指針指示1.5V,記下此時R0的值;
E.調(diào)節(jié)變阻器R的滑動片P,使電壓表的指針指示3.0V;
F.把變阻器R的滑動片P滑到a端;
G.把變阻器R的滑動片P滑到b端;
H.?dāng)嚅_開關(guān)K;
把必要的合理步驟選出來,按操作順序?qū)⒆帜复柼钤谙旅鏅M線上
 

(3)若在步驟D中讀出R0的阻值為如圖丙所示位置,則電壓表的電阻為
 
Ω.用這種方法測出的電壓表內(nèi)阻與真實值相比偏
 
(填大或。

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