已知拋物線y=x²-2mx+m²與直線y=2x交點(diǎn)的橫坐標(biāo)均為整數(shù)，且m＜2，求滿足要求的m的整數(shù)值．

已知拋物線y=x²-2（m+1）x+m²與x軸的兩個(gè)交點(diǎn)的橫坐標(biāo)均為整數(shù)，且m＜5，則整數(shù)m的值為．

質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零)，經(jīng)加速電場(chǎng)(加速電場(chǎng)極板間的距離為d、電勢(shì)差為U)加速，然后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，最后到達(dá)記錄它的照相底片P上．設(shè)離子在P上的位置與入口處S₁之間的距離為x。
(1)求該離子的荷質(zhì)比．
(2)若離子源產(chǎn)生的是帶電量為q、質(zhì)量為m₁和m₂的同位素離子(m₁> m₂)，它們分別到達(dá)照相底片上的P₁、P₂位置(圖中末畫出)，求P₁、P₂間的距離△x。
(3)若第(2)小題中兩同位素離子同時(shí)進(jìn)入加速電場(chǎng)，求它們到達(dá)照相底片上的時(shí)間差△t(磁場(chǎng)邊界與靠近磁場(chǎng)邊界的極板間的距離忽略不計(jì))．

已知拋物線y=x²-2（m+1）x+m²與x軸的兩個(gè)交點(diǎn)的橫坐標(biāo)均為整數(shù)，且m＜5，則整數(shù)m的值為    ．