6.硅光電池作為電源已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星.燈塔和無(wú)人氣象站等.高速公路上安裝的“電子眼 通常也采用硅光電池供電.硅光電池的原理如圖所示. a.b是硅光電池的兩個(gè)電極.P.N 是兩塊硅半導(dǎo)體.E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū).P的上表面鍍有一層增透膜.光照射到半導(dǎo)體P上.使P內(nèi)受原子束縛的電子成為自由電子.自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速到達(dá)半導(dǎo)體N.從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì).形成電流.以下說(shuō)法中正確的是A.E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向由N指向PB.電源內(nèi)部的電流方向由P指向NC.a(chǎn)電極為電池的正極D.硅光電池是一種把化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

精英家教網(wǎng)硅光電池作為電源已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星、燈塔和無(wú)人氣象站等,高速公路上安裝的“電子眼”通常也采用硅光電池供電.硅光電池的原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個(gè)電極,P、N 是兩塊硅半導(dǎo)體,E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜.光照射到半導(dǎo)體P上,使P內(nèi)受原子束縛的電子成為自由電子,自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速到達(dá)半導(dǎo)體N,從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),形成電流.以下說(shuō)法中正確的是( 。
A、E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向由P指向NB、電源內(nèi)部的電流方向由P指向NC、a電極為電池的正極D、硅光電池是一種把化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置

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硅光電池作為電源已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星、燈塔和無(wú)人氣象站等,高速公路上安裝的“電子眼”通常也采用硅光電池供電.硅光電池的原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個(gè)電極,P、N 是兩塊硅半導(dǎo)體,E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜.光照射到半導(dǎo)體P上,使P內(nèi)受原子束縛的電子成為自由電子,自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速到達(dá)半導(dǎo)體N,從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),形成電流.以下說(shuō)法中正確的是( 。

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硅光電池作為電源已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星、燈塔和無(wú)人氣象站等,高速公路上安裝的 “電子眼”通常也采用硅光電池供電。硅光電池的原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個(gè)電極,P、N是兩塊硅半導(dǎo)體,E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜。光照射到半導(dǎo)體P上,使P內(nèi)受原子束縛的電子成為自由電子,自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速到達(dá)半導(dǎo)體N,從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),形成電流。以下說(shuō)法中正確的是

A.E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向由P指向N
B.電源內(nèi)部的電流方向由P指向N
C.a(chǎn)電極為電池的正極
D.硅光電池是一種把化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置

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硅光電池作為電源已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星、燈塔和無(wú)人氣象站等,高速公路上安裝的“電子眼”通常也采用硅光電池供電.硅光電池的原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個(gè)電極,P、N是兩塊硅半導(dǎo)體,E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜.光照射到半導(dǎo)體P上,使P內(nèi)受原子束縛的電子成為自由電子,自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速到達(dá)半導(dǎo)體N,從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),形成電流.以下說(shuō)法中正確的是( 。
A.E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向由P指向N
B.電源內(nèi)部的電流方向由P指向N
C.a(chǎn)電極為電池的正極
D.硅光電池是一種把化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置

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硅光電池作為電源已廣泛應(yīng)用于人造衛(wèi)星、燈塔和無(wú)人氣象站等,高速公路上安裝的 “電子眼”通常也采用硅光電池供電。硅光電池的原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個(gè)電極,P、N是兩塊硅半導(dǎo)體,E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜。光照射到半導(dǎo)體P上,使P內(nèi)受原子束縛的電子成為自由電子,自由電子經(jīng)E區(qū)電場(chǎng)加速到達(dá)半導(dǎo)體N,從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),形成電流。以下說(shuō)法中正確的是


  1. A.
    E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向由P指向N
  2. B.
    電源內(nèi)部的電流方向由P指向N
  3. C.
    a電極為電池的正極
  4. D.
    硅光電池是一種把化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置

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一、單項(xiàng)選擇題:本題共5小題,每小題3分,共15分

題   號(hào)

1

2

3

4

5

答   案

D

C

A

D

D

 

二、多項(xiàng)選擇題:本題共4小題,每小題4分,共16分.每題有多個(gè)選項(xiàng)符合題意,全部選對(duì)的得4分,選對(duì)但不全的得2分,錯(cuò)選或不答的得0分.

題   號(hào)

6

7

8

9

答   案

AC

BD

AD

BC

 

三、簡(jiǎn)答題:本題分必做題(第10、11題)和選做題(第12題)兩部分,共計(jì)42分.請(qǐng)將解答填在答題卡相應(yīng)的位置.

10、(1)0.820mm (2)16.98mm    (3)C

11、(1)R1  ;  (2) 圖略;  (3) 4.5   

   (4)D   理由:根據(jù)電阻的伏安特性,電壓增大至一定值,電阻阻值會(huì)明顯變大

12選做題(請(qǐng)從A、B和C三小題中選定兩小題作答,并在答題卡上把所選題目對(duì)應(yīng)字母后的方框涂滿涂黑.如都作答則按A、B兩小題評(píng)分.)

A. (選修模塊3-3) (12分)

(1)AC。2)B。3)AC

B. (選修模塊3-4) (12分)

⑴ CD

⑵ B ;4:9;沿y軸負(fù)方向

C. (選修模塊3-5) (12分)

⑴ BD

⑵  0.18kg?m/s;等于;0.054J  ;0.135J

四、計(jì)算題:本題共3小題,共47分.解答時(shí)請(qǐng)寫出必要文字說(shuō)明、方程式和重要的演算步驟.只寫出最后答案的不能得分.有數(shù)值計(jì)算的題,答案中須明確寫出數(shù)值和單位.

13、(1)帶電粒子在電場(chǎng)中加速,由動(dòng)能定理,可得:

帶電粒子在磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn),由牛頓第二定律,可得:

由以上兩式,可得

兩磁場(chǎng)區(qū)粒子運(yùn)動(dòng)半徑相同,如圖所示根據(jù)對(duì)稱性有

(2)當(dāng)d=1m時(shí),粒子打在O點(diǎn)下方最遠(yuǎn)處,距O點(diǎn)距離y1=2m(半圓)

當(dāng)d=0時(shí),粒子打在O點(diǎn)正上方最遠(yuǎn)處,距O點(diǎn)距離y2=2m(半圓)

所以所有粒子打在電場(chǎng)左邊界上的范圍是在距O點(diǎn)上下各2m范圍以內(nèi)。

14、(1)A、B、C三物塊系統(tǒng)機(jī)械能守恒。B、C下降L,A上升L時(shí),A的速度達(dá)最大。

2mgL ?MgL =1/2(M+2m)V2,    -------------------(1分)

當(dāng)C著地后,若B恰能著地,即B物塊下降L時(shí)速度為零。A、B兩物體系統(tǒng)機(jī)
械能守恒。

MgL-mgL=1/2(M+m)V2 ------------------(2分)

將V代入,整理得:M=m所以時(shí),B物塊將不會(huì)著地。--(2分)

(2)若,B物塊著地,著地后A還會(huì)上升一段。設(shè)上升的高度為h,B著

地時(shí)A、B整體的速度大小為V1,從C著地至B著地過(guò)程中根據(jù)動(dòng)能定理可得

--(2分)

B著地后A繼續(xù)上升的高度------------(1分)

A 上升的最大高度H=2L+h=2L+----------(2分)

15、⑴設(shè)某時(shí)刻棒MN交線框于P、S點(diǎn),令PS長(zhǎng)為l,則

  此時(shí)電動(dòng)勢(shì)E = Blv

  MN左側(cè)電阻    MN右側(cè)電阻

  則

故:I=……………………………………………④

因?qū)Ь框ABCD關(guān)于AC對(duì)稱,所以通MN的電流大小也具有對(duì)稱性,所以

當(dāng)l = 0時(shí),電流最小值

當(dāng)l = 時(shí),電流最大值

⑵設(shè)MN到達(dá)B的時(shí)間為t0,則t0=,到達(dá)D點(diǎn)用時(shí)2t0,

當(dāng)0≤t≤t0時(shí),由④式得:(其中vt =l )

    代入F=BIl得:F =

當(dāng)t0≤t≤2t0時(shí),將代入④式得:

    代入F=BIl得:

⑶導(dǎo)線框進(jìn)入矩形磁場(chǎng)后,由牛頓第二定律得:

              取任意△t時(shí)間有:  

     

 


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