題目列表(包括答案和解析)
(9分)現(xiàn)有可逆反應(yīng)A(g)+B(g) 3C(g),下圖中甲、乙、丙分別表示在不同的條件下,生成物C在反應(yīng)混和物中的百分含量(C%)和反應(yīng)時(shí)間的關(guān)系:
(1)若甲圖中兩條曲線分別表示有催化劑和無催化劑時(shí)的情況,則___曲線是表示有催化劑時(shí)的情況。
(2)若乙圖中的a曲線表示200℃和b曲線表示100℃時(shí)的情況,則此可逆反應(yīng)的正反應(yīng)是_____熱反應(yīng)。
(3)若丙圖中兩條曲線分別表示不同壓強(qiáng)下的情況,則____曲線是表示壓強(qiáng)較大的情況。
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現(xiàn)有可逆反應(yīng)A(g)+B(g)3C(g)下圖①②③分別表示在不同條件下生成物C在反應(yīng)混合物中的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)x(C)和反應(yīng)時(shí)間(t)的關(guān)系圖,請(qǐng)按下列要求填寫有關(guān)答案.
(1)若(1)圖中兩條曲線分別表示有催化劑和無催化劑時(shí)的情況,則________曲線表示無催化劑的情況,因?yàn)開_______;
(2)若(2)圖中兩條曲線分別表示200℃和100℃時(shí)的情況,則該可逆反應(yīng)的正反應(yīng)是________熱反應(yīng),因?yàn)開_______;
(3)若(3)圖中兩條曲線分別表示不同壓強(qiáng)下的情況,則________曲線表示壓強(qiáng)較大的情況.因?yàn)開_______.
現(xiàn)有可逆反應(yīng):A (g)+B(g)3C(g),下圖中甲、乙、丙分別表示在不同條件下,生成物C在反應(yīng)混合物中的百分含量(C%)和反應(yīng)時(shí)間的關(guān)系:
(1)若甲圖中兩條曲線分別表示有催化劑和無催化劑時(shí)的情況,則 曲線表示有催化劑的情況。
(2)若乙圖中的a曲線分別表示200℃時(shí)的情況,b曲線表示100℃的情況,則此可逆反應(yīng)的正反應(yīng)是 (填“吸熱反應(yīng)”或“放熱反應(yīng)”)。
(3)若丙圖中的兩條曲線分別表示不同壓強(qiáng)情況,則 曲線是表示壓強(qiáng)較大的情況。
題號(hào)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
答案
C
B
B
D
C
D
B
A
B
D
D
題號(hào)
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
答案
B
D
C
A
B
ABD
C
AC
AD
AB
BD
23.右 ; ; 半導(dǎo)體材料;
用電器件Z的電流隨電壓變化的規(guī)律是,其具體的表達(dá)式為
24.解:(1)對(duì)系統(tǒng)AB:
(2)開始時(shí)彈簧形變量為,由平衡條件:
①
設(shè)當(dāng)A剛離開檔板時(shí)彈簧的形變量為:由:可得 ②
故C下降的最大距離為: ③
由①~③式可解得 ④
(3)由能量守恒定律可知:C下落h過程中,C重力勢(shì)能的的減少量等于B的電勢(shì)能的增量和彈簧彈性勢(shì)能的增量以及系統(tǒng)動(dòng)能的增量之和
當(dāng)C的質(zhì)量為M時(shí): ⑤
當(dāng)C的質(zhì)量為2M時(shí),設(shè)A剛離開擋板時(shí)B的速度為V
⑥
由④~⑥式可解得A剛離開P時(shí)B的速度為:
25.(1)由牛頓第二定律可得,電荷進(jìn)入坐標(biāo)系第1秒內(nèi)在y軸正方向有
第1秒末,對(duì)于電荷應(yīng)有沿y軸正方向的速度:
電荷到達(dá)的位置為: , 由于電荷又經(jīng)1秒后,返回x軸上某一點(diǎn),在這1秒內(nèi)有:
聯(lián)立以上兩式,將已知值帶入求得:E2=60N/C
(2)電荷返回x軸上某點(diǎn)時(shí),應(yīng)有
電荷沿y軸負(fù)方向的速度
電荷沿x軸正方向的速度:
電荷的合速度:
此時(shí)電荷到達(dá)的位置為:
由此可得,電荷到達(dá)x軸上(6,0)點(diǎn)后,將做勻速圓周運(yùn)動(dòng),經(jīng)一段時(shí)間后返回O點(diǎn),
根據(jù)電荷在(6,0)點(diǎn)的速度關(guān)系及幾何關(guān)系可得:
解得繞得半徑:
又由:代入解得勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度: (3)設(shè)當(dāng)電場(chǎng)變成E2后,電荷經(jīng)時(shí)間t1,沿y軸正方向的速度為零,則有:
解得,
此段時(shí)間內(nèi)電荷在y軸正方向發(fā)生的位移:
在x軸方向發(fā)生的位移:
此時(shí)電荷的坐標(biāo)為:
然后,電荷從(4,)點(diǎn)將做類平拋運(yùn)動(dòng),在s時(shí)間內(nèi)返回x軸上的(6,0)點(diǎn)。
最后作勻速圓周運(yùn)動(dòng),回到O點(diǎn)。由以上分析結(jié)合(1)(2)問的解答,畫出電荷運(yùn)動(dòng)
軌跡如圖所示
26.(1)氧氣向左,二氧化碳向右 擴(kuò)散作用 (2)升高(3)曲線如圖 理由:種子吸脹萌發(fā),呼吸作用加強(qiáng)。
呼吸作用增加,釋放CO2增加,提高光合作用速率
(4)CO2濃度過高抑制了呼吸作用等生理過程,從而影
響了光合作用產(chǎn)物的轉(zhuǎn)動(dòng),抑制了光合作用強(qiáng)度。
[或:過高濃度的CO2,使控制氣孔關(guān)閉的基因表達(dá),導(dǎo)致氣孔關(guān)閉,二氧化碳供應(yīng)減少,光合作用速度降低]
27.解析:此題為遺傳學(xué)題目。(1)此題主要考察遺傳學(xué)兩大定律。
P: AaBB×aaBb
↓
F1:AaBB AaBb aaBB aaBb 即后代基因型有4種。
要想自交產(chǎn)生矮生黃果(aabb),找隱性基因最多的,即aaBb植株自交:
F1: aaBb
↓×
F2: 1aaBB 2aaBb 1aabb
表現(xiàn)型: 矮生紅果 矮生黃果
比例: 3 : 1
(2)此題考察減數(shù)分裂,此題容易考慮不全而失分。
減數(shù)第一次分裂時(shí)A基因所在的同源染色體不分離,情況有兩種,一種是兩條染色體均進(jìn)入次級(jí)卵母細(xì)胞,這樣的話,經(jīng)過正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12+1=13條;另一種可能是兩天染色體均進(jìn)入第一極體,這樣,次級(jí)卵母細(xì)胞進(jìn)行正常的減數(shù)第二次分裂得到的雌配子染色體數(shù)目就為12-1=11條。 因此,得到的雌配子對(duì)于A基因來說就有O(表示不含A基因)和AA兩種,與aa產(chǎn)生的雄配子a結(jié)合得到的后代基因型就有a(注意此處是單體而非單倍體)和AAa(此處為三體而非三倍體)兩種,對(duì)應(yīng)的株高表現(xiàn)型也就是矮生植株或正常植株。
(3)此題考察基因突變,堿基對(duì)的增添、缺失或改變,以及基因的表達(dá)過程。(詳見答案)
(4)此題綜合考察基因工程技術(shù)及實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法,很容易只答一個(gè)方面,即只對(duì)矮生植株進(jìn)行過量表達(dá)而忽略對(duì)正常植株A基因表達(dá)的抑制作用。對(duì)于第二種方法的思路比較簡單,可能想到的同學(xué)出錯(cuò)能比較少。第③個(gè)問題比較簡單,考察基因?qū)π誀畹目刂啤?/p>
答案: (1)4 aaBb 矮生紅果:矮生黃果=3:1 (2)13或11 正;虬 (3)Y Y突變體的蛋白質(zhì)中氨基酸的改變比X突變體可能更多(或:X突變體的蛋白質(zhì)可能只有一個(gè)氨基酸發(fā)生改變,Y突變體的蛋白質(zhì)氨基酸序列可能從第一個(gè)氨基酸后都改變)。
(4)①答案一: b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù),一是抑制正常植株A基因的表達(dá),二是使A基因在矮生植株過量表達(dá)。 c. 測(cè)定兩個(gè)實(shí)驗(yàn)組植株的赤霉素含量和植株。
答案二: b. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù),抑制正常植株A基因的表達(dá),測(cè)定其赤霉素含量和株高。
c. 通過轉(zhuǎn)基因技術(shù),使A基因在矮生植株過量表達(dá),測(cè)定其赤霉素含量和株高。
(答案二中b和c次序不做要求)
②與對(duì)照比較,正常植株在A基因表達(dá)被抑制后,赤霉素含量降低,株高降低;與對(duì)照比較,A基因在矮生植株中過量表達(dá)后,該植株赤霉素含量增加,株高增加。
③基因通過控制酶的合成來控制代謝途徑,進(jìn)而控制生物性狀。
28.
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