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題目列表(包括答案和解析)

B、C、D、E是常見(jiàn)化合物或單質(zhì)，有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系（略去條件和副產(chǎn)品）．
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（1）若A為Na，B為NaOH，C為Na2CO3，請(qǐng)寫(xiě)出A轉(zhuǎn)化為B的離子方程式
 
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（2）若B為Al2O3，C為鈉鹽，試寫(xiě)出B轉(zhuǎn)化為C的化學(xué)方程式
 
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（3）若A為氣態(tài)單質(zhì)，B為漂白粉的主要成份之一，C具有漂白性．試寫(xiě)A轉(zhuǎn)化為B的化學(xué)方程式
 
．畫(huà)出組成單質(zhì)A的元素原子結(jié)構(gòu)示意圖
 
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（4）若A、B、C均為鈉鹽的水溶液，B轉(zhuǎn)化為C是海水中提取溴的原理，請(qǐng)寫(xiě)出B轉(zhuǎn)化為C的離子方程式
 
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（5）若A常溫下為固態(tài)單質(zhì)，化合物B在常溫常壓下為氣體，B和C的相對(duì)分子質(zhì)量之比為4：5，且D、E為同一物質(zhì)，則B為
 
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（6）若B、D為質(zhì)子數(shù)小于18的元素原子形成的單質(zhì)，且D所含元素原子的質(zhì)子數(shù)是B的2倍，A轉(zhuǎn)化為B，B轉(zhuǎn)化為C兩個(gè)反應(yīng)均屬置換反應(yīng)，請(qǐng)寫(xiě)出A轉(zhuǎn)化為B的化學(xué)方程式
 
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B、C、D、E是常見(jiàn)化合物或單質(zhì)，有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系（略去條件和副產(chǎn)品）．

（1）若A為Na，B為NaOH，C為Na2CO3，請(qǐng)寫(xiě)出A轉(zhuǎn)化為B的離子方程式______．
（2）若B為Al2O3，C為鈉鹽，試寫(xiě)出B轉(zhuǎn)化為C的化學(xué)方程式______．
（3）若A為氣態(tài)單質(zhì)，B為漂白粉的主要成份之一，C具有漂白性．試寫(xiě)A轉(zhuǎn)化為B的化學(xué)方程式______．畫(huà)出組成單質(zhì)A的元素原子結(jié)構(gòu)示意圖______．
（4）若A、B、C均為鈉鹽的水溶液，B轉(zhuǎn)化為C是海水中提取溴的原理，請(qǐng)寫(xiě)出B轉(zhuǎn)化為C的離子方程式______．
（5）若A常溫下為固態(tài)單質(zhì)，化合物B在常溫常壓下為氣體，B和C的相對(duì)分子質(zhì)量之比為4：5，且D、E為同一物質(zhì)，則B為_(kāi)_____．
（6）若B、D為質(zhì)子數(shù)小于18的元素原子形成的單質(zhì)，且D所含元素原子的質(zhì)子數(shù)是B的2倍，A轉(zhuǎn)化為B，B轉(zhuǎn)化為C兩個(gè)反應(yīng)均屬置換反應(yīng)，請(qǐng)寫(xiě)出A轉(zhuǎn)化為B的化學(xué)方程式______．

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Ⅰ．A、B、C分別代表三種不同的短周期元素．A原子的最外層電子排布為ns1，B原子的價(jià)電子排布為ns2np2，C原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍．
（1）若A原子的最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重迭方式判斷，A與C形成的化合物中的共價(jià)鍵類(lèi)型屬于
σ
σ
鍵，A與C所形成的化合物的熔沸點(diǎn)明顯高于A與C的同主族元素所形成的化合物的熔沸點(diǎn)，其原因是
水分子之間存在氫鍵
水分子之間存在氫鍵
；
（2）當(dāng)n=2時(shí)，B與C形成的晶體屬于
分子
分子
晶體．當(dāng)n=3時(shí)，B與C形成的晶體中，B原子的雜化方式為
sp3
sp3
，微粒間的作用力是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
；
Ⅱ．元素周期表中第四周期元素由于受3d電子的影響，性質(zhì)的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同．第四周期過(guò)渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物．
（3）CO可以和很多過(guò)渡金屬形成配合物，如羰基鐵[Fe（CO）5]、羰基鎳[Ni（CO）4]．CO分子中C原子上有一對(duì)孤對(duì)電子，C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，CO的結(jié)構(gòu)式為
C≡O(shè)
C≡O(shè)
，與CO互為等電子體的離子為
CN-
CN-
（填化學(xué)式）．
（4）第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大，總趨勢(shì)是逐漸增大的．鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
，Ga的第一電離能卻明顯低于Zn，原因是
Ga失去1個(gè)電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，而Zn的4s容納2個(gè)電子、處于全滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，Zn第一電離能較高
Ga失去1個(gè)電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，而Zn的4s容納2個(gè)電子、處于全滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，Zn第一電離能較高
．
（5）用價(jià)層電子對(duì)互斥理論預(yù)測(cè)H2Se和BBr3的立體結(jié)構(gòu)，兩個(gè)結(jié)論都正確的是
d
d
．
a．直線形；三角錐形        b．V形；三角錐形
c．直線形；平面三角形      d．V形；平面三角形．

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Ⅰ．A、B、C、D、E、F為六種短周期元素，它們核電荷數(shù)依次遞增．
已知：B原子有3個(gè)能級(jí)且各能級(jí)電子數(shù)相等；D原子最外能層P能級(jí)上有2個(gè)未成對(duì)電子，E是同周期元素中第一電離能最小的元素；F是同周期元素中原子半徑最小的元素；A是非金屬元素，且A、C、F可形成離子化合物．   
請(qǐng)回答：
（1）A、D形成的三原子分子中心原子雜化類(lèi)型是
sp3
sp3
，分子空間構(gòu)型為
三角錐
三角錐
，其電子式為
．
（2）元素A、D、F形成的原子數(shù)之比為1：1：1的化合物的電子式為
，其中心原子的雜化類(lèi)型為
sp3
sp3
，VSEPR模型空間構(gòu)型為
四面體型
四面體型
．
（3）請(qǐng)用電子式表示D、E原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物的形成過(guò)程

（4）在B原子與A形成的多種分子中，有些分子的核磁共振氫譜顯示有兩種氫，寫(xiě)出其中一種分子的名稱(chēng)
丙烷
丙烷
，A、B、D元素的原子也可以共同形成多種分子和某種常見(jiàn)無(wú)機(jī)陰離子，寫(xiě)出其中一種分子與該無(wú)機(jī)陰離子反應(yīng)的離子方程式
CO2+CO32-+H2O═2HCO3-
CO2+CO32-+H2O═2HCO3-

Ⅱ．某合金由 X、Y、Z三種元素組成，這三種元素位于周期表中前四周期，X是主要成分元素，X的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子．Y的含量不低于11%，否則不能生成致密氧化膜YO3防止腐蝕，Y與X同周期，且原子核外未成對(duì)電子數(shù)最多．Z位于周期表中第4行、第10列．
（5）請(qǐng)寫(xiě)出X、Y、Z的元素符號(hào)及原子序數(shù)X
Fe、26
Fe、26
、Y
Cr、24
Cr、24
Z
Ni、28
Ni、28
．
（6）請(qǐng)寫(xiě)出Z的原子核外電子排布式
[Ar]3d84s2
[Ar]3d84s2
，X元素在周期表中的位置
第四周期第Ⅷ族
第四周期第Ⅷ族
．

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Ⅰ．A、B、C分別代表三種不同的短周期元素．A原子的最外層電子排布為ns1，B原子的價(jià)電子排布為ns2np2，C原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍．
（1）若A原子的最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重迭方式判斷，A與C形成的化合物中的共價(jià)鍵類(lèi)型屬于______鍵，A與C所形成的化合物的熔沸點(diǎn)明顯高于A與C的同主族元素所形成的化合物的熔沸點(diǎn)，其原因是______；
（2）當(dāng)n=2時(shí)，B與C形成的晶體屬于______晶體．當(dāng)n=3時(shí)，B與C形成的晶體中，B原子的雜化方式為_(kāi)_____，微粒間的作用力是______；
Ⅱ．元素周期表中第四周期元素由于受3d電子的影響，性質(zhì)的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同．第四周期過(guò)渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物．
（3）CO可以和很多過(guò)渡金屬形成配合物，如羰基鐵[Fe（CO）5]、羰基鎳[Ni（CO）4]．CO分子中C原子上有一對(duì)孤對(duì)電子，C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，CO的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_____，與CO互為等電子體的離子為_(kāi)_____（填化學(xué)式）．
（4）第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大，總趨勢(shì)是逐漸增大的．鎵的基態(tài)原子的電子排布式是______，Ga的第一電離能卻明顯低于Zn，原因是______．
（5）用價(jià)層電子對(duì)互斥理論預(yù)測(cè)H2Se和BBr3的立體結(jié)構(gòu)，兩個(gè)結(jié)論都正確的是______．
a．直線形；三角錐形        b．V形；三角錐形
c．直線形；平面三角形      d．V形；平面三角形．

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