電子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)周期為T(mén)= 依題意和電子運(yùn)動(dòng)軌跡示意圖可知.電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t2 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

圖1所示的裝置中,粒子源A產(chǎn)生的初速為零、比荷為的正離子沿軸線(xiàn)進(jìn)入一系列共軸且長(zhǎng)度依次增加的金屬圓筒,奇數(shù)和偶數(shù)筒分別連接在周期為T、最大值為U0的矩形波電源兩端,電源波形如圖2所示,離子在每個(gè)圓筒內(nèi)做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間等于交變電源的半個(gè)周期,在相鄰兩筒之間受電場(chǎng)力作用被加速(加速時(shí)間不計(jì)).離子離開(kāi)最后一個(gè)圓筒后垂直于邊OE進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),最后從 OF邊出射.(不計(jì)離子所受重力)

(1)求離子在第一個(gè)金屬筒內(nèi)的速率.

(2)求離子在第n個(gè)筒內(nèi)的速率及第n個(gè)筒的長(zhǎng)度.

(3)若有N個(gè)金屬筒,求離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)

的半徑.

(4)若比荷為的離子垂直于OF邊出射,要使比

荷為的離子也能垂直于OF邊出射,求電源電壓最

大值的改變量以及磁感應(yīng)強(qiáng)度的改變量.

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圖1所示的裝置中,粒子源A產(chǎn)生的初速為零、比荷為的正離子沿軸線(xiàn)進(jìn)入一系列共軸且長(zhǎng)度依次增加的金屬圓筒,奇數(shù)和偶數(shù)筒分別連接在周期為T、最大值為U0的矩形波電源兩端,電源波形如圖2所示,離子在每個(gè)圓筒內(nèi)做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間等于交變電源的半個(gè)周期,在相鄰兩筒之間受電場(chǎng)力作用被加速(加速時(shí)間不計(jì)).離子離開(kāi)最后一個(gè)圓筒后垂直于邊OE進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),最后從 OF邊出射.(不計(jì)離子所受重力)

(1)求離子在第一個(gè)金屬筒內(nèi)的速率.

(2)求離子在第n個(gè)筒內(nèi)的速率及第n個(gè)筒的長(zhǎng)度.

(3)若有N個(gè)金屬筒,求離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)

的半徑.

(4)若比荷為的離子垂直于OF邊出射,要使比

荷為的離子也能垂直于OF邊出射,求電源電壓最

大值的改變量以及磁感應(yīng)強(qiáng)度的改變量.

 

 

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圖1所示的裝置中,粒子源A產(chǎn)生的初速為零、比荷為的正離子沿軸線(xiàn)進(jìn)入一系列共軸且長(zhǎng)度依次增加的金屬圓筒,奇數(shù)和偶數(shù)筒分別連接在周期為T、最大值為U0的矩形波電源兩端,電源波形如圖2所示,離子在每個(gè)圓筒內(nèi)做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間等于交變電源的半個(gè)周期,在相鄰兩筒之間受電場(chǎng)力作用被加速(加速時(shí)間不計(jì)).離子離開(kāi)最后一個(gè)圓筒后垂直于邊OE進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),最后從 OF邊出射.(不計(jì)離子所受重力)


(1)求離子在第一個(gè)金屬筒內(nèi)的速率.
(2)求離子在第n個(gè)筒內(nèi)的速率及第n個(gè)筒的長(zhǎng)度.
(3)若有N個(gè)金屬筒,求離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)
的半徑.
(4)若比荷為的離子垂直于OF邊出射,要使比
荷為的離子也能垂直于OF邊出射,求電源電壓最
大值的改變量以及磁感應(yīng)強(qiáng)度的改變量.

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圖1所示的裝置中,粒子源A產(chǎn)生的初速為零、比荷為的正離子沿軸線(xiàn)進(jìn)入一系列共軸且長(zhǎng)度依次增加的金屬圓筒,奇數(shù)和偶數(shù)筒分別連接在周期為T、最大值為U0的矩形波電源兩端,電源波形如圖2所示,離子在每個(gè)圓筒內(nèi)做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間等于交變電源的半個(gè)周期,在相鄰兩筒之間受電場(chǎng)力作用被加速(加速時(shí)間不計(jì)).離子離開(kāi)最后一個(gè)圓筒后垂直于邊OE進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),最后從 OF邊出射.(不計(jì)離子所受重力)

(1)求離子在第一個(gè)金屬筒內(nèi)的速率.

(2)求離子在第n個(gè)筒內(nèi)的速率及第n個(gè)筒的長(zhǎng)度.

(3)若有N個(gè)金屬筒,求離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)

的半徑.

(4)若比荷為的離子垂直于OF邊出射,要使比

荷為的離子也能垂直于OF邊出射,求電源電壓最

大值的改變量以及磁感應(yīng)強(qiáng)度的改變量.

 

 

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圖1所示的裝置中,粒子源A產(chǎn)生的初速為零、比荷為的正離子沿軸線(xiàn)進(jìn)入一系列共軸且長(zhǎng)度依次增加的金屬圓筒,奇數(shù)和偶數(shù)筒分別連接在周期為T、最大值為U0的矩形波電源兩端,電源波形如圖2所示,離子在每個(gè)圓筒內(nèi)做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)的時(shí)間等于交變電源的半個(gè)周期,在相鄰兩筒之間受電場(chǎng)力作用被加速(加速時(shí)間不計(jì)).離子離開(kāi)最后一個(gè)圓筒后垂直于邊OE進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),最后從 OF邊出射.(不計(jì)離子所受重力)


(1)求離子在第一個(gè)金屬筒內(nèi)的速率.
(2)求離子在第n個(gè)筒內(nèi)的速率及第n個(gè)筒的長(zhǎng)度.
(3)若有N個(gè)金屬筒,求離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)
的半徑.
(4)若比荷為的離子垂直于OF邊出射,要使比
荷為的離子也能垂直于OF邊出射,求電源電壓最
大值的改變量以及磁感應(yīng)強(qiáng)度的改變量.

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