如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣光滑軌道半徑R=40cm，下端與絕緣光滑的水平面平滑連接，整個(gè)裝置處于方向豎直向下，大小為E=1×10³V/m的勻強(qiáng)電場中，一質(zhì)量為m=10g、帶電量為q=+1×10^-4C的小物塊（可視為質(zhì)點(diǎn)），從水平面上的A點(diǎn)以初速度v₀水平向左運(yùn)動，沿半圓形軌道恰好能通過最高點(diǎn)C，取g=10m/s²，試求：
（1）小物塊從C點(diǎn)拋出后落地點(diǎn)與B點(diǎn)間的水平距離；
（2）v₀的大小和過B點(diǎn)時(shí)軌道對小物塊的支持力大�。�

如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R，下端與絕緣水平面平滑連接，整個(gè)裝置處于方向豎直向上的勻強(qiáng)電場E中．一質(zhì)量為m、帶電量為+q的物塊（可視為質(zhì)點(diǎn)），從水平面上的A點(diǎn)以初速度v₀水平向左運(yùn)動，沿半圓形軌道恰好通過最高點(diǎn)C，場強(qiáng)大小E＜

mg

q

．
（1）物塊經(jīng)過最高點(diǎn)C的速度為多大？
（2）試計(jì)算物塊在運(yùn)動過程中克服摩擦力做的功．
（3）證明物塊離開軌道落回水平面的水平距離與場強(qiáng)大小E無關(guān)，且為一常量．

如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R，下端與光滑絕緣水平面平滑連接，整個(gè)裝置處于方向豎直向上的勻強(qiáng)電場中E中，一質(zhì)量為m帶電量+q的物塊（可視為質(zhì)點(diǎn)），從水平面上的A占以初速度v₀水平向左運(yùn)動沿半圓形軌道恰好通過最高點(diǎn)C，場強(qiáng)大小為E（E＜mg/q）
（1）求小球在C點(diǎn)的速度．
（2）試計(jì)算物塊在運(yùn)動過中克服摩擦力做的功．
（3）求物塊從C點(diǎn)飛出后，落回軌道的位置與B的水平距離．

如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R，下端與絕緣水平面平滑連接，整個(gè)裝置處于方向豎直向上的勻強(qiáng)電場E中．一質(zhì)量為m、帶電量為+q的物塊（可視為質(zhì)點(diǎn)），從水平面上的A點(diǎn)以初速度v₀水平向左運(yùn)動，沿半圓形軌道恰好通過最高點(diǎn)C，場強(qiáng)大小E＜

mg

q

．
（1）試計(jì)算物塊在運(yùn)動過程中克服摩擦力做的功．
（2）求物塊離開軌道落回水平面的位置距C點(diǎn)的水平距離．

如圖所示，豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R，下端與光滑絕緣水平面平滑連接，整個(gè)裝置處于方向豎直向上的勻強(qiáng)電場E中．一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的物塊（可視為質(zhì)點(diǎn)），從水平面上的A點(diǎn)以初速度v₀水平向左運(yùn)動，沿半圓形軌道恰好通過最高點(diǎn)C，場強(qiáng)大小為E（E小于

mg

q

）．
（1）試計(jì)算物塊在運(yùn)動過程中克服摩擦力做的功．
（2）證明物塊離開軌道落回水平面過程的水平距離與場強(qiáng)大小E無關(guān)，且為一常量．