．(12分)如圖甲所示，豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于光滑的桌面，圖甲中的虛線為磁場(chǎng)的邊界線，邊界線右側(cè)的磁場(chǎng)區(qū)域足夠大；質(zhì)量為m、電阻為R的矩形金屬線圈abcd平放在桌面上，線圈的長(zhǎng)和寬分別為l和2l，線圈的一半在磁場(chǎng)內(nèi)，一半在磁場(chǎng)外；t＝0時(shí)刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從B₀開始均勻減小，線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流，在磁場(chǎng)力作用下線圈的v－t圖象如圖11乙所示，圖乙中的斜向虛線為t＝0時(shí)刻速度圖線的切線，數(shù)據(jù)由圖中給出．求：

(1)t＝0時(shí)刻金屬線圈的加速度；

(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率.

．(12分)如圖甲所示，豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于光滑的桌面，圖甲中的虛線為磁場(chǎng)的邊界線，邊界線右側(cè)的磁場(chǎng)區(qū)域足夠大；質(zhì)量為m、電阻為R的矩形金屬線圈abcd平放在桌面上，線圈的長(zhǎng)和寬分別為l和2l，線圈的一半在磁場(chǎng)內(nèi)，一半在磁場(chǎng)外；t＝0時(shí)刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從B₀開始均勻減小，線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流，在磁場(chǎng)力作用下線圈的v－t圖象如圖11乙所示，圖乙中的斜向虛線為t＝0時(shí)刻速度圖線的切線，數(shù)據(jù)由圖中給出．求：

(1)t＝0時(shí)刻金屬線圈的加速度；

(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率.

．(12分)如圖甲所示，豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于光滑的桌面，圖甲中的虛線為磁場(chǎng)的邊界線，邊界線右側(cè)的磁場(chǎng)區(qū)域足夠大；質(zhì)量為m、電阻為R的矩形金屬線圈abcd平放在桌面上，線圈的長(zhǎng)和寬分別為l和2l，線圈的一半在磁場(chǎng)內(nèi)，一半在磁場(chǎng)外；t＝0時(shí)刻磁感應(yīng)強(qiáng)度從B₀開始均勻減小，線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流，在磁場(chǎng)力作用下線圈的v－t圖象如圖11乙所示，圖乙中的斜向虛線為t＝0時(shí)刻速度圖線的切線，數(shù)據(jù)由圖中給出．求：
(1)t＝0時(shí)刻金屬線圈的加速度；
(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率.

如圖甲所示，豎直擋板MN左側(cè)空間有方向豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)和垂直紙面向里的水平勻強(qiáng)磁場(chǎng)，電場(chǎng)和磁場(chǎng)的范圍足夠大，電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C，磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象如圖乙所示，選定磁場(chǎng)垂直紙面向里為正方向。t=0時(shí)刻，一質(zhì)量m=8×10^-4kg、電荷量q=+2×10^-4C的微粒在O點(diǎn)具有豎直向下的速度v=0.12m/s，O??是擋板MN上一點(diǎn)，直線OO??與擋板MN垂直，取g=10m/s²。求：

（1）微粒再次經(jīng)過直線OO??時(shí)與O點(diǎn)的距離；

（2）微粒在運(yùn)動(dòng)過程中離開直線OO??的最大高度；

（3）水平移動(dòng)擋板，使微粒能垂直射到擋板上，擋板與O點(diǎn)間的距離應(yīng)滿足的條件。