A．若v0＞E／B.電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng).出場區(qū)時(shí)速度v＞v0B．若v0＞E／B.電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng).出場區(qū)時(shí)速度v＜v0C．若v0＜E／B.電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng).出場區(qū)時(shí)速度v＞v0D．若v0＜E／B.電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng).出場區(qū)時(shí)速度v＜v0 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

方向如圖所示的勻強(qiáng)電場（場強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū)，則                    （    ）

   

A．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0

B．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

C．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0

D．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

 

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方向如圖所示的勻強(qiáng)電場（場強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū)，則                    （    ）

 

A．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0

B．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

C．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0

D．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

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方向如圖所示的勻強(qiáng)電場（場強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū)，則                   （    ）

   

A．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0

B．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

C．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0

D．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

 

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方向如圖所示的勻強(qiáng)電場（場強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū)，則                   （   ）
   

A．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0
B．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0
C．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0
D．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

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方向如圖所示的勻強(qiáng)電場（場強(qiáng)為E）和勻強(qiáng)磁場（磁感應(yīng)強(qiáng)度為B）共存的場區(qū)，一電子沿垂直電場線和磁感線方向以速度v0射入場區(qū)，則                   （   ）
   
A．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0
B．若v0＞E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0
C．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＞v0
D．若v0＜E／B，電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng)，出場區(qū)時(shí)速度v＜v0

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