14.如圖所示.相距為d的兩水平虛線Ll.L2之間是方向水平向 里的勻強(qiáng)磁場(chǎng).磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.正方形線圈abcd邊長(zhǎng)為L(zhǎng). 質(zhì)量為m.電阻為R.將線圈在磁場(chǎng)上方高h(yuǎn)處?kù)o止釋放.ab邊剛進(jìn) 入磁場(chǎng)時(shí)速度為υ0.ab邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)速度也為υ0.在線圈全部穿過磁場(chǎng)過程中 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示,相距為d的兩水平虛線p1、p2表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的上下邊界,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,正方形abcd的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)(L<d)、質(zhì)量為m、電阻為R,線框處在磁場(chǎng)正上方,ab邊與虛線p1相距h.線框由靜止釋放,下落過程中線框平面始終在豎直平面內(nèi),線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)的速度相同.在線框從進(jìn)入到全部穿過磁場(chǎng)的過程中,下列說(shuō)法正確的是( 。

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如圖所示,相距為d的兩水平虛線L1、L2表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上下邊界,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.正方形線框abcd的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)(L<d)、質(zhì)量為m、電阻為R,線框處在磁場(chǎng)正上方,ab邊與虛線L1相距h.線框由靜止釋放,下落過程中線框平面始終在豎直平面內(nèi),線框的ab邊剛進(jìn)人磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)的速度相同.在線框從進(jìn)入到全部穿過磁場(chǎng)的過程中,下列說(shuō)法正確的是
( 。

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精英家教網(wǎng)如圖所示,相距為d的兩水平虛線和分別是水平向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的邊界,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,正方形線框abcd邊長(zhǎng)為L(zhǎng)(L<d)、質(zhì)量為m.將線框在磁場(chǎng)上方高h(yuǎn)處由靜止開始釋放,當(dāng)ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度為v0,cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)速度也為v0.從ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)到cd邊剛穿出磁場(chǎng)的整個(gè)過程中( 。
A、線框一直都有感應(yīng)電流B、線框產(chǎn)生的熱量為mg(d+h+L)C、線框有一階段的加速度為gD、線框作勻減速運(yùn)動(dòng)

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如圖所示,相距為d的兩水平虛線p1、p2表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上下邊界,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。正方形線框abcd的邊長(zhǎng)為L(L<d)、質(zhì)量為m、電阻為R,線框處在磁場(chǎng)正上方,ab邊與虛線p1相距h。線框由靜止釋放,下落過程中線框平面始終在豎直平面內(nèi),線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)的速度相同。在線框從進(jìn)入到全部穿過磁場(chǎng)的過程中,下列說(shuō)法正確的是(    )

A.線框克服安培力所做的功為mgd  B.線框克服安培力所做的功為mgL

C.線框的最小速度為        D.線框的最小速度為

 

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如圖所示,相距為d的兩水平虛線L1、L2之間有方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,正方形線圈abcd的邊長(zhǎng)為L(L < d)、質(zhì)量為m、電阻為R,F(xiàn)將線圈在磁場(chǎng)上方高 h處由靜止釋放,ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和cd邊剛離開磁場(chǎng)時(shí)的速度相同。下列說(shuō)法正確的是

A.進(jìn)入磁場(chǎng)和離開磁場(chǎng)的過程電流方向相同
B.進(jìn)入磁場(chǎng)和離開磁場(chǎng)的過程通過線圈橫截面的電荷量相同
C.在線圈全部穿過磁場(chǎng)過程中一定存在減速運(yùn)動(dòng)的過程
D.在線囤全部穿過磁場(chǎng)過程中線圈克服安培力所做的功為2mgd

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