飛行時間質譜儀可對氣體分子進行分析.如圖所示.在真空狀態(tài)下.脈沖閥P噴出微量氣體.經(jīng)激光照射產(chǎn)生不同價位的正離子.自a板小孔進入a .b 間的加速電場.從b 板小孔射出.沿中線方向進入M .N 板間的偏轉控制區(qū).到達探測器.己知元電荷電量為e , a , b 板間距為d.極板M .N 的長度和間距均為L .不計離子重力及進入a板時的初速度. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

飛行時間質譜儀可對氣體分子進行分析.如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質量為m的正離子,自a板小孔進入a、b間的加速電場(a、b間的電壓為U1),從b板小孔射出,沿中線方向進入M、N板間的偏轉控制區(qū),到達探測器.已知a、b板間距為d,極板M、N的長度和間距均為L.不計離子重力及進入a板時的初速度.則:
(1)在M、N間加上適當?shù)碾妷,使離子到達探測器.求離子到達探測器的全部飛行時間.
(2)為保證離子不打在極板上,求M、N間的最大偏轉電壓U2
(3)求離子離開偏轉控制區(qū)時的最大速率.

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飛行時間質譜儀可對氣體分子進行分析.如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質量為m的正離子,自a板小孔進入a、b間的加速電場,從b板小孔射出,沿中線方向進入M、N板間的偏轉控制區(qū),到達探測器.已知a、b板間距為d,極板M、N的長度和間距均為L.不計離子重力及進入a板時的初速度.(1)當a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當?shù)碾妷篣2,使離子到達探測器.求離子到達探測器的全部飛行時間.
(2)為保證離子不打在極板上,試求U2與U1的關系.

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(10分)飛行時間質譜儀可對氣體分子進行分析。如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質量為m的正離子,自a板小孔進入a、b間的加速電場,從b板小孔射出,沿中線方向進入M、N板間的偏轉控制區(qū),到達探測器。已知a、b板間距為d,極板M、N的長度和間距均為L。不計離子重力及進入a板時的初速度。
(1)當a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當?shù)碾妷篣2,使離子到達探測器。求離子從a板到達探測器的飛行時間。
(2)為保證離子不打在極板上,試求U2與U1的關系。


 

 

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飛行時間質譜儀可對氣體分子進行分析。如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質量為m的正離子,自a板小孔進入a、b間的加速電場,從b板小孔射出,沿中線方向進入M、N板間的偏轉控制區(qū),到達探測器。已知a、b板間距為d,極板M、N的長度和間距均為L。不計離子重力及進入a板時的初速度。

   (1)當a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當?shù)碾妷篣2,使離子到達探測器。求離子從a板到達探測器的飛行時間。

   (2)為保證離子不打在極板上,試求U2與U1的關系。

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      (10分)飛行時間質譜儀可對氣體分子進行分析。如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質量為m的正離子,自a板小孔進入a、b間的加速電場,從b板小孔射出,沿中線方向進入M、N板間的偏轉控制區(qū),到達探測器。已知a、b板間距為d,極板M、N的長度和間距均為L。不計離子重力及進入a板時的初速度。

         (1)當a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當?shù)碾妷篣2,使離子到達探測器。求離子從a板到達探測器的飛行時間。

         (2)為保證離子不打在極板上,試求U2與U1的關系。

       

       

       

       

       

       

       

       

       

       

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