質(zhì)譜議是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具.它的構(gòu)造原理如圖2所示.離子源S可以發(fā)出各種不同的正離子束.離子從s出來(lái)時(shí)速度很小.可以看作是靜止的.離子經(jīng)過加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng).并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而到達(dá)照相底片上的P點(diǎn).測(cè)得P點(diǎn)到入口S.的距離為x.以下判斷正確的是A.若離子束是同位素.則x越大.離子質(zhì)量越大 B.若離子束是同位素.財(cái)x越大.離子質(zhì)量越小 C.只要X相同.則離子質(zhì)量一定相同 查看更多

 

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場(chǎng)加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),到達(dá)記錄它的照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,則下列判斷正確的是( 。

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場(chǎng)(加速電場(chǎng)極板間的距離為d、電勢(shì)差為U)加速,然后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),最后到達(dá)記錄它的照相底片P上.設(shè)離子在P上的位置與人口處S1之間的距離為x.
(1)求該離子的比荷衛(wèi)
qm

(2)若離子源產(chǎn)生的是帶電量為q、質(zhì)量為m1和m2的同位素離子(m1>m2),它們分別到達(dá)照相底片上的P1、P2位置(圖中末畫出),求P1、P2間的距離△x.
(3)若第(2)小題中兩同位素離子同時(shí)進(jìn)入加速電場(chǎng),求它們到達(dá)照相底片上的時(shí)間差△t(磁場(chǎng)邊界與靠近磁場(chǎng)邊界的極板間的距離忽略不計(jì)).

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精英家教網(wǎng)質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作零),經(jīng)加速電場(chǎng)加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),到達(dá)照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,則離子的比荷
q
m
與x關(guān)系,下列那一幅正確( 。
A、精英家教網(wǎng)
B、精英家教網(wǎng)
C、精英家教網(wǎng)
D、精英家教網(wǎng)

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(電量為q,速度可看作為零),經(jīng)加速電場(chǎng)電壓U加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),到達(dá)記錄它的照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,不計(jì)離子重力,則下列說法正確的是( 。

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,在科學(xué)研究中具有重要應(yīng)用.如圖所示是質(zhì)譜儀工作原理簡(jiǎn)圖,電容器兩極板相距為d,兩端電壓為U,板間勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1,一束帶電量均為q的正電荷粒子從圖示方向射入,沿直線穿過電容器后進(jìn)入另一勻強(qiáng)磁場(chǎng)B2,結(jié)果分別打在a、b兩點(diǎn),測(cè)得兩點(diǎn)間的距離為△R,由此可知,打在兩點(diǎn)的粒子質(zhì)量差為△m=
qdB1B2△ R
2U
qdB1B2△ R
2U
.(粒子重力不計(jì))

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