15．如圖所示.質(zhì)量為m.邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后.通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱 A．可能大于2mgL B．可能等于2mgL C．可能小于2mgL D．可能為零 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示，質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后，通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域．則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱（　　）

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如圖所示，質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框，在有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h高處由靜止自由下落，線框的總電阻為R，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)寬度為2L．線框下落過(guò)程中，ab邊始終與磁場(chǎng)邊界平行且處于水平方向．已知ab邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng)．求：
（1）cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框的速度；?
（2）線框穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，產(chǎn)生的焦耳熱．

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如圖所示，質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為L的正方形線框abcd，從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上方h高度處由靜止自由下落，磁場(chǎng)高度為H，線框下落過(guò)程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場(chǎng)邊界都沿水平方向

（1）請(qǐng)證明線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中任意時(shí)刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率；

（2）若m=0.40kg，L=0.45m，h=0.80 m，H＝1.45m，且cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng)，求cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框的加速度大�。唬�g取10m/s2）。

（3）在（2）中，若線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)對(duì)其施加一豎直方向外力F，使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng)，請(qǐng)?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像。

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如圖所示，質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后，通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域．則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱（　�。�
A．可能大于2mgLB．可能等于2mgL
C．可能小于2mgLD．可能為零
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如圖所示，質(zhì)量為m，邊長(zhǎng)為L的正方形線框abcd，從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上方h高度處由靜止自由下落，磁場(chǎng)高度為H，線框下落過(guò)程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場(chǎng)邊界都沿水平方向
（1）請(qǐng)證明線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中任意時(shí)刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率；
（2）若m=0.40kg，L=0.45m，h=0.80 m，H＝1.45m，且cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng)，求cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框的加速度大�。唬�g取10m/s2）。
（3）在（2）中，若線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)對(duì)其施加一豎直方向外力F，使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng)，請(qǐng)?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像。
 

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