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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】以初速度豎直向上拋出一物體,空氣阻力大小不變.關(guān)于物體受到的沖量,以下說(shuō)法正確的是( )

A. 物體上升階段和下落階段受到的重力的沖量方向相反

B. 物體上升階段和下落階段受到空氣阻力沖量的大小相等

C. 物體在下落階段受到重力的沖量小于上升階段受到重力的沖量

D. 物體從拋出到返回拋出點(diǎn),動(dòng)量變化的方向向下

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,在豎直平面內(nèi)固定有光滑平行導(dǎo)軌,間距為L,下端接有阻值為R的電阻,空間存在與導(dǎo)軌平面垂直、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。質(zhì)量為m、電阻為r的導(dǎo)體棒ab與上端固定的彈簧相連并垂直導(dǎo)軌放置。初始時(shí),導(dǎo)體棒靜止,現(xiàn)給導(dǎo)體棒豎直向下的初速度v0,導(dǎo)體棒開(kāi)始沿導(dǎo)軌往復(fù)運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)過(guò)程中始終與導(dǎo)軌垂直并保持良好接觸。若導(dǎo)體棒電阻r與電阻R的阻值相等,不計(jì)導(dǎo)軌電阻,則下列說(shuō)法中正確的是

A. 導(dǎo)體棒往復(fù)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的每個(gè)時(shí)刻受到的安培力方向總與運(yùn)動(dòng)方向相反

B. 初始時(shí)刻導(dǎo)體棒兩端的電壓Uab=BLv0

C. 若導(dǎo)體棒開(kāi)始運(yùn)動(dòng)后到速度第一次為零時(shí),下降的高度為h,則通過(guò)電阻R的電量為

D. 若導(dǎo)體棒開(kāi)始運(yùn)動(dòng)后到速度第一次為零時(shí),下降的高度為h,此過(guò)程導(dǎo)體棒克服彈力做功為W,則電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱Q=mv2+mgh-W

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,有兩根長(zhǎng)均為L、質(zhì)量均為m的細(xì)導(dǎo)體棒a、b,其中a被水平放置在傾角為45°的絕緣光滑斜面上,b被水平固定在斜面的右側(cè),且與a在同一水平面上,a、b相互平行.當(dāng)兩細(xì)棒中均通以大小為I的同向電流時(shí),a恰能在斜面上保持靜止,關(guān)于b的電流在a處產(chǎn)生的磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B,下列說(shuō)法正確的是

A.方向豎直向上

B.大小為

C.大小為

D.若使b豎直向下移動(dòng),a仍能保持靜止

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,在傾角為θ的斜面上,固定一寬L0.25m的平行金屬導(dǎo)軌,在導(dǎo)軌上端接入電源和滑動(dòng)變阻器R.電源電動(dòng)勢(shì)E12V,內(nèi)阻r,一質(zhì)量m20g的金屬棒ab與兩導(dǎo)軌垂直并接觸良好.整個(gè)裝置處于磁感應(yīng)強(qiáng)度B0.80T、垂直于斜面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中(導(dǎo)軌與金屬棒的電阻不計(jì)).金屬導(dǎo)軌是光滑的,取g10m/s2,要保持金屬棒在導(dǎo)軌上靜止,求:

1)金屬棒所受到的安培力的大小;

2)通過(guò)金屬棒的電流的大��;

3)滑動(dòng)變阻器R接入電路中的阻值.

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】在三角形ABC區(qū)域中存在著磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),三邊電阻均為R的三角形導(dǎo)線框abc沿AB方向從A點(diǎn)以速度v勻速穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域。如圖所示,ab =LAB =2L,∠abc=ABC=90°,∠acb=ACB=30°。線框穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中

A. 感應(yīng)電流先沿逆時(shí)針?lè)较�,后沿順時(shí)針?lè)较?/span>

B. 感應(yīng)電流先增大,后減小

C. 通過(guò)線框的電荷量為

D. cb兩點(diǎn)的最大電勢(shì)差為

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】用電流表和電壓表測(cè)定由三節(jié)干電池串聯(lián)組成的電池組(電動(dòng)勢(shì)約4.5V,內(nèi)電阻約1Ω)的電動(dòng)勢(shì)和內(nèi)電阻,除了待測(cè)電池組,電建,導(dǎo)線外,還有下列器材供選用:

A.電流表:量程0.6A,內(nèi)電阻約1Ω

B.電流表:量程3A,內(nèi)電阻約0.2Ω

C.電壓表:量程3V,內(nèi)電阻約30kΩ

D.電壓表:量程6V,內(nèi)電阻約60kΩ

E.滑動(dòng)變阻器:0~1000Ω,額定電流0.5A

F.滑動(dòng)變阻器:0~20Ω,額定電流2A

(1)為了使測(cè)量結(jié)果盡量準(zhǔn)確,電流表應(yīng)選用________,電壓表選用________,滑動(dòng)變阻器應(yīng)選用________(均填儀器的字母代號(hào))

(2)下圖為正確選擇儀器后,連好的部分電路,為了使測(cè)量誤差盡量小,還需要在電路中用導(dǎo)線將________________相連、________________相連、________________相連.(均填儀器上接線柱的字母代號(hào))

(3).實(shí)驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)電流表壞了,于是不再使用電流表,剩余儀器中僅用電阻箱替換掉滑動(dòng)變阻器,重新連接電路,仍能完成實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)中讀出幾組電阻箱的阻值R和對(duì)應(yīng)電壓表的示數(shù)U;用圖像法處理采集到數(shù)據(jù),為在直角坐標(biāo)系中得到的函數(shù)圖像是一條直線,則可以_________為縱坐標(biāo),________為橫坐標(biāo)。

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,兩個(gè)寬度均為L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于光滑水平桌面,方向相反,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等.高為L上底和下底長(zhǎng)度分別為L2L的等腰梯形金屬框水平放置,現(xiàn)使其勻速向右穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域,速度垂直梯形底邊,從圖示位置開(kāi)始x=0,以逆時(shí)針?lè)较驗(yàn)殡娏鞯恼较�,下列四幅圖中能夠反映線框中電流隨金屬框向右移動(dòng)距離x關(guān)系的是( )

A. B.

C. D.

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖甲所示,在豎直方向分布均勻的磁場(chǎng)中水平放置一個(gè)金屬圓環(huán),圓環(huán)所圍面積為0.1m2,圓環(huán)電阻為0.2Ω。在第1s內(nèi)圓環(huán)中的感應(yīng)電流I從上往下看為順時(shí)針?lè)较颉4艌?chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t的變化規(guī)律如圖乙所示(其中在45s的時(shí)間段呈直線)。則( )

A.05s時(shí)間段,感應(yīng)電流先減小再增大

B.02s時(shí)間段感應(yīng)電流沿順時(shí)針?lè)较颍?/span>25s時(shí)間段感應(yīng)電流也沿順時(shí)針?lè)较?/span>

C.05s時(shí)間段,圓環(huán)最大發(fā)熱功率為5.0×104W

D.02s時(shí)間段,通過(guò)圓環(huán)橫截面的電荷量為5.0×101C

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)的水平邊界相距為d,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、水平向里。質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L的正方形線圈abcd,在磁場(chǎng)上方高h處由靜止釋放,已知cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)與cd邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)速度相等,不計(jì)空氣阻力,在線圈穿過(guò)磁場(chǎng)的整個(gè)過(guò)程中

A. 線圈產(chǎn)生的熱量為mgd

B. L=d,則所用時(shí)間為d

C. L>d,則線圈ab邊進(jìn)磁場(chǎng)時(shí)的速度為

D. L<d,則線圈的最小速度為

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科目: 來(lái)源: 題型:

【題目】如圖所示,豎直放置的形光滑導(dǎo)軌寬為L,矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)ⅠⅡ的高和間距均為d,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.質(zhì)量為m的水平金屬桿由靜止釋放,進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ時(shí)的速度相等.金屬桿在導(dǎo)軌間的電阻為R,與導(dǎo)軌接觸良好,其余電阻不計(jì),重力加速度為g.金屬桿( )

A. 剛進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ時(shí)加速度方向豎直向下

B. 穿過(guò)磁場(chǎng)Ⅰ的時(shí)間大于在兩磁場(chǎng)之間的運(yùn)動(dòng)時(shí)間

C. 穿過(guò)兩磁場(chǎng)產(chǎn)生的總熱量為4mgd

D. 釋放時(shí)距磁場(chǎng)Ⅰ上邊界的高度h可能小于

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