已知 兩導(dǎo)軌內(nèi)側(cè)間距l=1.5cm，滑塊的質(zhì)量m=30g，滑塊沿導(dǎo)軌滑行5m后獲得的發(fā)射速度v=3.0km/（此過程視為勻加速運(yùn)動）.

⑴求發(fā)射過程中電源提供的電流強(qiáng)度；

⑵若電源輸出的能量有4%轉(zhuǎn)換為滑塊的動能，則發(fā)射過程中電源的輸出功率和輸出電壓各是多大？

⑶若此滑塊射出后隨即以速度v沿水平方向擊中放在水平面上的砂箱，它嵌入砂箱的深度為s/.設(shè)砂箱質(zhì)量為M，滑塊質(zhì)量為m，不計砂箱與水平面之間的摩擦，求滑塊對砂箱平均沖擊力的表達(dá)式.

A. 兩線圈內(nèi)產(chǎn)生順時針方向的感應(yīng)電流

B. a、b線圈中感應(yīng)電動勢之比為9∶1

C. a、b線圈中感應(yīng)電流之比為3∶4

D. a、b線圈中電功率之比為3∶1

【題目】如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系中，AO是∠xOy的角平分線，x軸上方存在水平向左的勻強(qiáng)電場，下方存在豎直向上的勻強(qiáng)電場和垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場，兩電場的電場強(qiáng)度大小相等。一質(zhì)量為m、電荷量為＋q的質(zhì)點(diǎn)從OA上的M點(diǎn)由靜止釋放，質(zhì)點(diǎn)恰能沿AO運(yùn)動且通過O點(diǎn)進(jìn)入x軸下方區(qū)域，經(jīng)偏轉(zhuǎn)后從x軸上的C點(diǎn)進(jìn)入第一象限內(nèi)并擊中AO上的D點(diǎn)(C點(diǎn)、D點(diǎn)圖中均未標(biāo)出)。已知OM＝20m，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B＝，重力加速度為g＝10m/s2。求：

(1)兩勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度E的大�。�

(2)OD的長L；

(3)質(zhì)點(diǎn)從M點(diǎn)出發(fā)到擊中D點(diǎn)所經(jīng)歷的時間t。

A. Uab＝0.1 V B. Uab＝－0.1 V

C. Uab＝0.2 V D. Uab＝－0.2 V

【題目】如圖所示，在水平線ab的下方有一勻強(qiáng)電場，電場強(qiáng)度為E，方向豎直向下，ab的上方存在勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直紙面向里，磁場中有一內(nèi)、外半徑分別為R、的半圓環(huán)形區(qū)域，外圓與ab的交點(diǎn)分別為M、N。一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶負(fù)電粒子在電場中P點(diǎn)靜止釋放，由M進(jìn)入磁場，從N射出，不計粒子重力。學(xué)科.網(wǎng)

（1）求粒子從P到M所用的時間t；

（2）若粒子從與P同一水平線上的Q點(diǎn)水平射出，同樣能由M進(jìn)入磁場，從N射出，粒子從M到N的過程中，始終在環(huán)形區(qū)域中運(yùn)動，且所用的時間最少，求粒子在Q時速度的大小。

A．從a處射出的粒子動能最大

B．從c處射出的粒子速率最大

C．從c處射出的粒子在磁場中運(yùn)動時間最短

D．從三個位置射出的粒子做圓周運(yùn)動的周期Ta＜Tb＜Tc

A.如果磁場方向垂直斜面斜向上，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為

B.如果磁場方向垂直斜面斜向下，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為

C.如果磁場方向垂直斜面斜向上，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為

D.如果磁場方向垂直斜面斜向下，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為

（1）定性畫出該粒子在電磁場中運(yùn)動的軌跡；

（2）求該粒子從M點(diǎn)入射時速度的大�。�

（3）若該粒子進(jìn)入磁場時的速度方向恰好與x軸正方向的夾角為，求該粒子的比荷及其從M點(diǎn)運(yùn)動到N點(diǎn)的時間。

A.V1減小，V2增大，A增大B.V1增大，V2減小，A增大

C.V1增大，V2增大，A減小D.V1減小，V2減小，A減小

A.光點(diǎn)打在A點(diǎn)，則磁場垂直紙面向里

B.從A向O掃描，則磁場垂直紙面向外且不斷增強(qiáng)

C.從O向B掃描，則磁場垂直紙面向里且不斷減弱

D.從A向B掃描，則磁場先垂直紙面向外后垂直紙面向里