科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 從n=4能級躍遷到n=3能級比n=4能級躍遷到n=2能級輻射出電磁波的速度大 | |
B. | 從n=4能級躍遷到n=3能級比從n=4能級躍遷到n=2能級輻射出電磁波的波長長 | |
C. | 處于不同能級時(shí),核外電子在各處出現(xiàn)的概率是一樣的 | |
D. | 從高能級向低能級躍遷時(shí),氫原子核一定向外吸收能量 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 線圈內(nèi)的磁通量發(fā)生變化時(shí),磁通密度也一定發(fā)生變化 | |
B. | 磁感應(yīng)強(qiáng)度與放入磁場中的通電導(dǎo)線的電流大小、導(dǎo)線長度等均無關(guān) | |
C. | 沿著磁感線的方向,磁感應(yīng)強(qiáng)度減弱 | |
D. | 洛倫茲力一定不能不改變帶電粒子的速度 |
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科目: 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
操作 | 現(xiàn)象 |
開關(guān)閉合瞬間 | 指針偏轉(zhuǎn) |
開關(guān)斷開瞬間 | 指針偏轉(zhuǎn) |
開關(guān)閉合時(shí),滑動(dòng)變阻器不動(dòng) | 指針不偏轉(zhuǎn) |
開關(guān)閉合時(shí),迅速移動(dòng)變阻器的滑片 | 指針偏轉(zhuǎn) |
結(jié)論:只有當(dāng)線圈A中電流發(fā)生變化 時(shí),線圈B中才有電流產(chǎn)生. |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 兩個(gè)電勢不同的等勢面可能相交 | |
B. | 電場線與等勢面處處相互垂直 | |
C. | 同一等勢面上各點(diǎn)電場強(qiáng)度一定相等 | |
D. | 將一負(fù)的試探電荷從電勢較高的等勢面移至電勢較低的等勢面,電勢能減小 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 摩擦起電是因?yàn)殡姾傻霓D(zhuǎn)移,感應(yīng)起電是因?yàn)楫a(chǎn)生電荷 | |
B. | 摩擦起電是因?yàn)楫a(chǎn)生電荷,感應(yīng)起電是因?yàn)殡姾傻霓D(zhuǎn)移 | |
C. | 摩擦起電的兩摩擦物體必定是絕緣體,而感應(yīng)起電的物體必定是導(dǎo)體 | |
D. | 不論是摩擦起電還是感應(yīng)起電,都是電荷的轉(zhuǎn)移 |
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 一定質(zhì)量的氣體,在壓強(qiáng)不變時(shí),則單位時(shí)間內(nèi)分子與器壁碰撞次數(shù)隨溫度降低而減少 | |
B. | 知道阿伏伽德羅常數(shù)、氣體的摩爾質(zhì)量和密度,可以估算出該氣體中分子間的平均距離 | |
C. | 生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時(shí),需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其它元素,可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來完成 | |
D. | 同種物質(zhì)不可能以晶體和非晶體兩種不同的形態(tài)出現(xiàn) | |
E. | 液體表面具有收縮的趨勢,是由于液體表面層里分子的分布比內(nèi)部稀疏的緣故 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 速率將減小 | B. | 動(dòng)能將增大 | C. | 周期將增大 | D. | 周期將減小 |
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