19．如圖所示，勻強磁場分布在平面直角坐標系的整個第I象限內(nèi)，磁感應(yīng)強度為B、方向垂直于紙面向里．一質(zhì)量為m、電荷量絕對值為q、不計重力的粒子，以某速度從O點沿著與y軸夾角為30°的方向進入磁場，運動到A點時，粒子速度沿x軸正方向．下列判斷正確的是（　�。�

	A．	粒子帶正電
	B．	粒子由O到A經(jīng)歷的時間t=$\frac{πm}{6qB}$
	C．	若已知A到x軸的距離為d，則粒子速度大小為$\frac{2qBd}{m}$
	D．	離開第Ⅰ象限時，粒子的速度方向與x軸正方向的夾角為60°

18．（1）光線由一種介質(zhì)Ⅰ射向另一種介質(zhì)Ⅱ時，若這兩種介質(zhì)的折射率不同，則光線AD．
A．若進入介質(zhì)Ⅱ中，傳播速度一定改變
B．若進入介質(zhì)Ⅱ中，傳播方向一定改變
C．一定能進入介質(zhì)Ⅱ中傳播
D．不一定能進入介質(zhì)Ⅱ中傳播
（2）如圖1所示，平面MN是介質(zhì)與真空的交界面，介質(zhì)中有一點A，真空中有一點B．P是A、B連線與界面的交點，如果A點發(fā)出的一束激光，射到界面上的Q點（圖中未畫出），進入真空后經(jīng)過B點．則Q點在P點的左側(cè) （填“左側(cè)”或“右側(cè)”）．

（3）放在空氣中的玻璃磚，如圖2所示，有一束光射到界面ab上，下列說法正確的是CD．
A．在界面ab入射角大于臨界角的光將不會進入玻璃磚
B．光傳播至界面cd后，有可能不從界面cd射出
C．光射到界面ab后，不可能發(fā)生全反射
D．光傳播至界面cd后，一定會從界面cd射出．

17．如圖所示，直線MN上方存在著垂直紙面向里、磁感應(yīng)強度為B的無限大勻強磁場，質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子1在紙面內(nèi)以速度v₀從O點射入磁場，其方向與MN的夾角α=30°；質(zhì)量為m、電荷量為-q（q＞0）的粒子2在紙面內(nèi)也從O點沿相同的方向射入磁場，其速度大小也為v₀．已知粒子1、2同時到達磁場邊界的A、B兩點離開磁場（圖中未畫出），不計粒子的重力及粒子間的相互作用．求：
（1）求兩粒子在磁場邊界上的穿出點A、B之間的距離d；
（2）1、2兩粒子在磁場中運動的時間之比t₁：t₂．

16．如圖所示，在區(qū)域Ⅰ和區(qū)域Ⅱ內(nèi)分別存在與紙面垂直的勻強磁場，MN為兩區(qū)域的分界線，一帶電粒子沿著弧線apd由區(qū)域Ⅰ運動到區(qū)域Ⅱ．已知ap段的弧長大于pb段的弧長，帶電粒子僅受到磁場力的作用．下列說法正確的是（　�。�

	A．	區(qū)域Ⅰ和區(qū)域Ⅱ的磁感應(yīng)強度方向相反
	B．	粒子在區(qū)域Ⅱ中的速率小于在區(qū)域Ⅰ中的速率
	C．	區(qū)域Ⅰ的磁感應(yīng)強速小于Ⅱ的磁感應(yīng)強度
	D．	粒子在ap段的運動時間大于在pb段的運動時間

15．為了觀察正、負電子的碰撞現(xiàn)象，有人設(shè)想利用電場、磁場控制正、負電子在云室中運動來實現(xiàn)這一過程．在如圖所示的xOy平面內(nèi)，A、C二小孔距原點的距離均為L，每隔一定的時間源源不斷地分別從A孔射入正電子，C孔射入負電子，初速度均為v₀，且垂直x軸，正、負電子的質(zhì)量均為m，電荷量均為e（忽略電子之間的相互作用）．在y軸的左側(cè)區(qū)域加一水平向右的勻強電場，在y軸的右側(cè)區(qū)域加一垂直紙面的勻強磁場（圖中未畫出），要使正、負電子在y軸上的P（0，L）處相碰，求：
（1）電場強度E的大小；磁感應(yīng)強度B的大小及方向；
（2）P點相碰的正、負電子的動能之比和射入小孔的時間差△t．

14．2016年3月10日，我國科學家宣布利用超強超短激光成功產(chǎn)生了反物質(zhì)，現(xiàn)將正電子、負電子以不同的速率經(jīng)小孔S垂直進入勻強磁場，運行的半圓軌跡如圖中虛線所示，不計粒子的重力，下列表述正確的是（　�。�

	A．	N為負電子，M為正電子		B．	N的速率小于M的速率
	C．	洛倫茲力對M做正功、對N做負功		D．	M的運行時間大于N的運行時間

13．如圖所示，ab為邊長為l的等邊三角形，處于紙面內(nèi)，勻強磁場的磁感應(yīng)強度大小為B，方向垂直于紙面向外，比荷為$\frac{e}{m}$的電子以速度v₀從a點沿ab方向射入，則（　�。�

	A．	若速度v0變成原來的兩倍，則電子的加速度變成原來的兩倍
	B．	若速度v0變成原來的兩倍，則電子飛出三角形所用的時間可能不變
	C．	當速度v0=$\frac{eBl}{2m}$時，電子將經(jīng)過c點
	D．	若電子經(jīng)過c點，則電子的運動軌跡與bc所在直線相切

12．如圖所示，在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)有一磁感應(yīng)強度方向垂直于紙面向里的勻強磁場，一質(zhì)量為m且?guī)д�電的粒子（重力不計）以初速度v₀從圓形邊界上A點正對圓心射入該磁場區(qū)域，若該帶電粒子在磁場中運動的軌跡半徑為$\sqrt{3}$R，則下列說法中正確的是（　�。�

	A．	該帶電粒子在磁場中將向左偏轉(zhuǎn)
	B．	該帶電粒子在磁場中運動的時間為$\frac{\sqrt{3}πR}{3{v}_{0}}$
	C．	該帶粒子的軌跡圓弧對應(yīng)的圓心角為30°
	D．	若增大磁場的磁感應(yīng)強度，則該帶電粒子在磁場中運動的軌道半徑將變大

11．如圖所示為一個水平放置的平行板電容器，兩板電壓U=2V，兩板距離d=10cm，兩板間有磁感應(yīng)強度B₁=2T的勻強磁場，方向垂直紙面向里，一帶正電的粒子（不計重力）比荷為$\frac{q}{m}$=25c/kg，從左邊射入，恰好沿水平直線AC運動，從右邊射出并垂直MN進入以MN、PQ兩豎直線為邊界的勻強電場，已知電場強度E=20N/C，方向豎直向下，MN、PQ的距離為L=20cm．在PQ的右邊有垂直紙面向里的勻強磁場B₂=4T，KG是平行PQ的擋板，KG與PQ的距離S=20cm，粒子打在擋板上后被吸收．
（1）試問電容器的上下板哪板電勢高？求粒子離開MN時的速度大�。�
（2）求粒子進入B₂后在B₂中運動的時間．
（3）為使粒子打不到檔板KG上，檔板與PQ的距離至少為多少？

10．如圖所示，在“用插針法測定玻璃的折射率”的實驗中，一位同學已完成了部分實驗操作，他在白紙上O點畫出界面aa′的法線MN，并畫出一條帶箭頭的線段AO作為入射光線．在入射光線上豎直地插上兩枚大頭針P₁、P₂，透過玻璃磚觀察大頭針P₁、P₂的像，在P₃位置插的大頭針正好擋住P₁、P₂的像，在P₄位置插的大頭針正好擋住大頭針P₃和大頭針P₁、P₂的像．根據(jù)n=$\frac{sini}{sinr}$可計算出玻璃的折射率，請你在圖中完成整個光路圖，并標出入射角i和折射角r．