某儀器用電場(chǎng)和磁場(chǎng)來(lái)控制電子在材料表面上方的運(yùn)動(dòng),如圖所示,材料表面上方矩形區(qū)域PP′N(xiāo)′N(xiāo)充滿豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)寬為d;矩形區(qū)域NN′M′M充滿垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,長(zhǎng)為3s,寬為s;NN′為磁場(chǎng)與電場(chǎng)之間的薄隔離層。一個(gè)電荷量為e、質(zhì)量為m、初速為零的電子,從P點(diǎn)開(kāi)始被電場(chǎng)加速經(jīng)隔離層垂直進(jìn)入磁場(chǎng),電子每次穿越隔離層,時(shí)間極短、運(yùn)動(dòng)方向不變,其動(dòng)能損失是每次穿越前動(dòng)能的10%,最后電子僅能從磁場(chǎng)邊界M′N(xiāo)′飛出。不計(jì)電子所受重力。

(1)控制電子在材料表面上方運(yùn)動(dòng),最大的電場(chǎng)強(qiáng)度為多少?

(2)若電子以上述最大電場(chǎng)加速,經(jīng)多長(zhǎng)時(shí)間將第三次穿越隔離層?

(3)A是M′N(xiāo)′的中點(diǎn),若要使電子在A、M′間垂直于AM′飛出,求電子在磁場(chǎng)區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

 

【答案】

(1)(2)(3)

【解析】 (1)電子第一次穿越隔離層,在磁場(chǎng)中以最大半徑s作圓周運(yùn)動(dòng)時(shí),電場(chǎng)強(qiáng)度最大,設(shè)進(jìn)入磁場(chǎng)的速度為v

                           (2分)

            (2分)      

得:E=              (1分)

(2)電子第一次加速的末速度為v1,第一次加速的時(shí)間為t1,

          (2分)

                       (2分)

在磁場(chǎng)中作圓周運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t2,由:T=

得:       (2分)

電子再返回電場(chǎng)的速度為v2,至第三次穿越隔離層的時(shí)間為t3

     (2分)   

      (2分)

         (1分)

(3)設(shè)電子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T(mén),運(yùn)動(dòng)的半圓周個(gè)數(shù)為n,運(yùn)動(dòng)總時(shí)間為t.

由題意,有:+Rn1=3s,

R1≤s,Rn1=0.9nR1,Rn1

得:n=2      (4分)       

 又由:T=      

得:t=   (2分)

 

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(1)求電子第二次與第一次圓周運(yùn)動(dòng)半徑之比;
(2)求電場(chǎng)強(qiáng)度的取值范圍;
(3)A是M′N(xiāo)′的中點(diǎn),若要使電子在A、M′間垂直于AM′飛出,求電子在磁場(chǎng)區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間.

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(1)控制電子在材料表面上方運(yùn)動(dòng),最大的電場(chǎng)強(qiáng)度為多少?
(2)若電子以上述最大電場(chǎng)加速,經(jīng)多長(zhǎng)時(shí)間將第三次穿越隔離層?
(3)A是M′N(xiāo)′的中點(diǎn),若要使電子在A、M′間垂直于AM′飛出,求電子在磁場(chǎng)區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

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(1)控制電子在材料表面上方運(yùn)動(dòng),最大的電場(chǎng)強(qiáng)度為多少?
(2)若電子以上述最大電場(chǎng)加速,經(jīng)多長(zhǎng)時(shí)間將第三次穿越隔離層?
(3)A是M′N(xiāo)′的中點(diǎn),若要使電子在A、M′間垂直于AM′飛出,求電子在磁場(chǎng)區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

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(1)求電子第二次與第一次圓周運(yùn)動(dòng)半徑之比;

(2)求電場(chǎng)強(qiáng)度的取值范圍;

(3)A是的中點(diǎn),若要使電子在A、間垂直于A飛出,求電子在磁場(chǎng)區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。

 

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