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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖所示,有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω。現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。
1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大小.
2.求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱.
3.在坐標(biāo)圖中畫出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差Uab隨時(shí)間t變化的圖線.
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科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年度江蘇省啟東中學(xué)高三上學(xué)期第二次月考物理卷 題型:計(jì)算題
如圖所示,有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。
【小題1】求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大。
【小題2】求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱.
【小題3】在坐標(biāo)圖中畫出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差Uab隨時(shí)間t變化的圖線.
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科目:高中物理 來(lái)源:2012屆度江蘇省高三上學(xué)期第二次月考物理卷 題型:計(jì)算題
如圖所示,有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。
1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大。
2.求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱.
3.在坐標(biāo)圖中畫出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差Uab隨時(shí)間t變化的圖線.
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