如圖為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形,I區(qū)域內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度方向沿x軸正方向,II區(qū)域內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度方向沿y軸正方向,I區(qū)域和II區(qū)域之間沒(méi)有電場(chǎng).已知電子的質(zhì)量為m,電子的電量大小為e,不計(jì)電子所受重力.
精英家教網(wǎng)
(1)在AB邊的中點(diǎn)由靜止釋放電子,求:電子離開(kāi)電場(chǎng)I區(qū)域時(shí)的速度大。
(2)在AB邊的中點(diǎn)由靜止釋放電子,求:電子離開(kāi)電場(chǎng)II區(qū)域的位置坐標(biāo);
(3)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子(不一定從I邊界處釋放),若電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求:所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo)應(yīng)滿(mǎn)足的條件.
分析:在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電場(chǎng)力對(duì)電子做正功,根據(jù)動(dòng)能定理求出電子穿過(guò)電場(chǎng)時(shí)的速度.
進(jìn)入電場(chǎng)II后電子做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),水平方向做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),豎直方向做勻加速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律求出電子的加速度,由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合求出電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo).
解答:解:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電量為e,電子在電場(chǎng)I中做勻加速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),設(shè)射出區(qū)域I時(shí)的為v0
根據(jù)動(dòng)能定理得:qEL=
1
2
m
v
2
0

解得:v0=
2eEL
m

(2)進(jìn)入電場(chǎng)II后電子做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,
則有:
L
2
-y=
1
2
at2

a=
qE
m
,t=
L
v0

解得:y=
L
4

即電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,
L
4

(3)設(shè)釋放點(diǎn)在電場(chǎng)區(qū)域I中,其坐標(biāo)為(xy),在電場(chǎng)I中電子被加速到v1,然后進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng),并從D點(diǎn)離開(kāi),有:eEx=
1
2
m
v
2
1

y=
1
2
at2
=
1
2
eE
m
(
L
v1
)2

解得:xy=
L2
4
,即在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)滿(mǎn)足議程的點(diǎn)即為所求位置.
答:(1)在AB邊的中點(diǎn)由靜止釋放電子,電子離開(kāi)電場(chǎng)I區(qū)域時(shí)的速度大小為
2eEL
m
;
(2)在AB邊的中點(diǎn)由靜止釋放電子,電子離開(kāi)電場(chǎng)II區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,
L
4

(3)所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo)應(yīng)滿(mǎn)足的條件為xy=
L2
4
點(diǎn)評(píng):本題實(shí)際是加速電場(chǎng)與偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的組合,考查分析帶電粒子運(yùn)動(dòng)情況的能力和處理較為復(fù)雜的力電綜合題的能力.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力,已知電子的質(zhì)量為m,電量為e)。

(1)   在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開(kāi)勻強(qiáng)電場(chǎng)I的時(shí)間t和速率v0 。

(2)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電  

子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);

   (3)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo);

 

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:2010—2011學(xué)年遼寧省沈陽(yáng)二中高一下學(xué)期6月月考物理試題 題型:計(jì)算題

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力,已知電子的質(zhì)量為m,電量為e)。
(1)  在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開(kāi)勻強(qiáng)電場(chǎng)I的時(shí)間t和速率v0 。
(2)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電  
子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(3)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo);

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:2013屆遼寧省高一下學(xué)期6月月考物理試題 題型:計(jì)算題

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力,已知電子的質(zhì)量為m,電量為e)。

(1)   在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開(kāi)勻強(qiáng)電場(chǎng)I的時(shí)間t和速率v0 。

(2)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電  

子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);

   (3)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo);

 

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:閱讀理解