A. | $k\frac{3q}{4R^2}$ | B. | $k\frac{5q}{4R^2}$ | C. | $k\frac{4Q+q}{4R^2}$ | D. | $k\frac{16Q+q}{4R^2}$ |
分析 由題意可知,半徑為R均勻分布著電荷量為Q的圓盤上電荷,與在a點(diǎn)處有一電荷量為q(q>0)的固定點(diǎn)電荷,在b點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)為零,說明各自電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等,方向相反.那么在d點(diǎn)處場(chǎng)強(qiáng)的大小即為兩者之和.因此根據(jù)點(diǎn)電荷的電場(chǎng)強(qiáng)度為E=k$\frac{q}{{R}^{2}}$即可求解.
解答 解:電荷量為q的點(diǎn)電荷在b處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度為E=k$\frac{q}{{R}^{2}}$,而半徑為R均勻分布著電荷量為Q的圓盤上電荷,與在a點(diǎn)處有一電荷量為q(q>0)的固定點(diǎn)電荷,在b點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)為零,則圓盤在此處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度也為E=k$\frac{q}{{R}^{2}}$.
那么圓盤在此c產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度則仍為E=k$\frac{q}{{R}^{2}}$.
而電荷量為q的點(diǎn)電荷在c處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度為E′=k$\frac{q}{4{R}^{2}}$,由于都在c處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度方向相同,即為兩者大小相加.
所以兩者這c處產(chǎn)生電場(chǎng)強(qiáng)度為Ec=k$\frac{5q}{4{R}^{2}}$.故B正確,ACD錯(cuò)誤.
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 考查點(diǎn)電荷與圓盤電荷在某處的電場(chǎng)強(qiáng)度疊加,緊扣電場(chǎng)強(qiáng)度的大小與方向關(guān)系,從而為解題奠定基礎(chǔ).
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 在一個(gè)以點(diǎn)電荷為中心,r為半徑的球面上,各處的電場(chǎng)強(qiáng)度都相同 | |
B. | 電場(chǎng)強(qiáng)度的方向就是放入電場(chǎng)中的電荷受到的電場(chǎng)力的方向 | |
C. | 電場(chǎng)強(qiáng)度方向?yàn)殡妱?shì)降低最快的方向 | |
D. | 當(dāng)初速度為零時(shí),放入電場(chǎng)中的電荷只受電場(chǎng)力作用下,運(yùn)動(dòng)軌跡一定與電場(chǎng)線重合 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | E=$\frac{kQ}{{R}^{2}+{L}^{2}}$ | B. | E=$\frac{kQL}{{R}^{2}+{L}^{2}}$ | C. | E=$\frac{kQR}{\sqrt{({R}^{2}+{L}^{2})^{3}}}$ | D. | E=$\frac{kQL}{\sqrt{({R}^{2}+{L}^{2})^{3}}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一定沿電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 可能做曲線運(yùn)動(dòng) | |
C. | 可能沿等勢(shì)面運(yùn)動(dòng) | |
D. | 一定從高電勢(shì)位置向低電勢(shì)位置運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 上極板為電源的正極 | |
B. | 用電器消耗的功率為$\frac{(Bdv)^{2}}{R}$ | |
C. | 電路中的電流為$\frac{BdvS}{RS+ρd}$ | |
D. | 增大兩板間的距離可增大電源的電動(dòng)勢(shì) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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