如圖,將一金屬或半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場(chǎng)B中,在薄片的兩個(gè)側(cè)面a、b間通以電流I時(shí),另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢(shì)差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng).其原因是薄片中的移動(dòng)電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場(chǎng)EH,同時(shí)產(chǎn)生霍爾電勢(shì)差UH.當(dāng)電荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力處處相等時(shí),EH和UH達(dá)到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關(guān)系式UN=RH
IB
d
,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關(guān)
(1)若半導(dǎo)體材料是自由電子導(dǎo)電的,請(qǐng)判斷圖1中
C
C
端(填c或f)的電勢(shì)高;
(2)已知半導(dǎo)體薄片內(nèi)單位體積中導(dǎo)電的自由電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請(qǐng)導(dǎo)出霍爾系數(shù)RH的表達(dá)式
1
ne
1
ne
.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導(dǎo)電電子定向移動(dòng)的平均速率.
分析:(1)金屬導(dǎo)體中移動(dòng)的是自由電子,當(dāng)電流的方向水平向右時(shí),電子向左定向移動(dòng),受到洛倫茲力發(fā)生偏轉(zhuǎn),根據(jù)電子偏轉(zhuǎn)到哪一表面判斷電勢(shì)的高低.
 (2)當(dāng)電荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力處處相等時(shí),EH和UH達(dá)到穩(wěn)定值,根據(jù)電場(chǎng)力與洛倫茲力平衡,結(jié)合電流I=nevS,推導(dǎo)出UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間的關(guān)系.
解答:解:(1)電流的方向水平向右時(shí),電子向左定向移動(dòng),根據(jù)左手定則,電子向f面偏轉(zhuǎn).f面得到電子帶負(fù)電,c面失去電子帶正電,所以C端的電勢(shì)高.
(2)最終電荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力處處相等,設(shè)半導(dǎo)體薄片的寬帶為a,有e
UH
a
=evB

根據(jù)電流I=nevS,v=
I
neS
=
I
nead

所以UH=vBa=
I
nead
Ba=
IB
ned
,
則爾系數(shù)RH=
1
ne

故本題答案為:(1)C,(2)
1
ne
點(diǎn)評(píng):解決本題的關(guān)鍵知道金屬導(dǎo)體中移動(dòng)的是自由電子,根據(jù)左手定則判斷電子偏轉(zhuǎn)方向,從而得出表面電勢(shì)的高低.會(huì)根據(jù)荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力相等,推導(dǎo)出UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間的關(guān)系.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解

利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應(yīng)用于測(cè)量和自動(dòng)控制等領(lǐng)域.
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如圖1,將一金屬或半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場(chǎng)B中,在薄片的兩個(gè)側(cè)面a、b間通以電流I時(shí),另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢(shì)差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng).其原因是薄片中的移動(dòng)電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場(chǎng)EH,同時(shí)產(chǎn)生霍爾電勢(shì)差UH.當(dāng)電荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力處處相等時(shí),EH和UH達(dá)到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關(guān)系式UH=RH
IBd
,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關(guān).
(1)設(shè)半導(dǎo)體薄片的寬度(c、f間距)為l,請(qǐng)寫出UH和EH的關(guān)系式;若半導(dǎo)體材料是電子導(dǎo)電的,請(qǐng)判斷圖1中c、f哪端的電勢(shì)高;
(2)已知半導(dǎo)體薄片內(nèi)單位體積中導(dǎo)電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請(qǐng)導(dǎo)出霍爾系數(shù)RH的表達(dá)式.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導(dǎo)電電子定向移動(dòng)的平均速率);
(3)圖2是霍爾測(cè)速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個(gè)永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測(cè)圓盤的邊緣附近.當(dāng)圓盤勻速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),霍爾元件輸出的電壓脈沖信號(hào)圖象如圖3所示.
a.若在時(shí)間t內(nèi),霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請(qǐng)導(dǎo)出圓盤轉(zhuǎn)速N的表達(dá)式.
b.利用霍爾測(cè)速儀可以測(cè)量汽車行駛的里程.除此之外,請(qǐng)你展開“智慧的翅膀”,提出另一個(gè)實(shí)例或設(shè)想.

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科目:高中物理 來源:2010年普通高等學(xué)校招生全國(guó)統(tǒng)一考試?yán)砭C(北京卷) 題型:計(jì)算題

(18分)

       利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應(yīng)用于測(cè)量和自動(dòng)控制等領(lǐng)域。

       如圖1,將一金屬或半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場(chǎng)B中,在薄片的兩個(gè)側(cè)面ab間通以電流I時(shí),另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢(shì)差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。其原因是薄片中的移動(dòng)電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是cf間建立起電場(chǎng)EH,同時(shí)產(chǎn)生霍爾電勢(shì)差UH。當(dāng)電荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力處處相等時(shí),EHUH達(dá)到穩(wěn)定值,UH的大小與IB以及霍爾元件厚度d之間滿足關(guān)系式UHRH,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關(guān)。

       (1)設(shè)半導(dǎo)體薄片的寬度(c、f間距)為l,請(qǐng)寫出UHEH的關(guān)系式;若半導(dǎo)體材料是電子導(dǎo)電的,請(qǐng)判斷圖1中c、f哪端的電勢(shì)高;[

       (2)已知半導(dǎo)體薄片內(nèi)單位體積中導(dǎo)電的電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請(qǐng)導(dǎo)出霍爾系數(shù)RH的表達(dá)式。(通過橫截面積S的電流InevS,其中v是導(dǎo)電電子定向移動(dòng)的平均速率);

       (3)圖2是霍爾測(cè)速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉(zhuǎn)軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個(gè)永磁體,相鄰永磁體的極性相反;魻栐糜诒粶y(cè)圓盤的邊緣附近。當(dāng)圓盤勻速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),霍爾元件輸出的電壓脈沖信號(hào)圖像如圖3所示。

       a.若在時(shí)間t內(nèi),霍爾元件輸出的脈沖數(shù)目為P,請(qǐng)導(dǎo)出圓盤轉(zhuǎn)速N的表達(dá)式。

       b.利用霍爾測(cè)速儀可以測(cè)量汽車行駛的里程。除此之外,請(qǐng)你展開“智慧的翅膀”,提出另一個(gè)實(shí)例或設(shè)想。

 

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題

如圖,將一金屬或半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場(chǎng)B中,在薄片的兩個(gè)側(cè)面a、b間通以電流I時(shí),另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢(shì)差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng).其原因是薄片中的移動(dòng)電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場(chǎng)EH,同時(shí)產(chǎn)生霍爾電勢(shì)差UH.當(dāng)電荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力處處相等時(shí),EH和UH達(dá)到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關(guān)系式UN=RH
IB
d
,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關(guān)
(1)若半導(dǎo)體材料是自由電子導(dǎo)電的,請(qǐng)判斷圖1中______端(填c或f)的電勢(shì)高;
(2)已知半導(dǎo)體薄片內(nèi)單位體積中導(dǎo)電的自由電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請(qǐng)導(dǎo)出霍爾系數(shù)RH的表達(dá)式______.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導(dǎo)電電子定向移動(dòng)的平均速率.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年江蘇省無錫一中高二(上)期末物理試卷(解析版) 題型:填空題

如圖,將一金屬或半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場(chǎng)B中,在薄片的兩個(gè)側(cè)面a、b間通以電流I時(shí),另外兩側(cè)c、f間產(chǎn)生電勢(shì)差,這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng).其原因是薄片中的移動(dòng)電荷受洛倫茲力的作用向一側(cè)偏轉(zhuǎn)和積累,于是c、f間建立起電場(chǎng)EH,同時(shí)產(chǎn)生霍爾電勢(shì)差UH.當(dāng)電荷所受的電場(chǎng)力與洛倫茲力處處相等時(shí),EH和UH達(dá)到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關(guān)系式UN=RH,其中比例系數(shù)RH稱為霍爾系數(shù),僅與材料性質(zhì)有關(guān)
(1)若半導(dǎo)體材料是自由電子導(dǎo)電的,請(qǐng)判斷圖1中    端(填c或f)的電勢(shì)高;
(2)已知半導(dǎo)體薄片內(nèi)單位體積中導(dǎo)電的自由電子數(shù)為n,電子的電荷量為e,請(qǐng)導(dǎo)出霍爾系數(shù)RH的表達(dá)式    .(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導(dǎo)電電子定向移動(dòng)的平均速率.

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