A. | +q在d點(diǎn)所受的電場力比在O點(diǎn)的大 | |
B. | +q在d點(diǎn)所具有的電勢(shì)能比在O點(diǎn)的大 | |
C. | d點(diǎn)的電場強(qiáng)度小于O點(diǎn)的電場強(qiáng)度 | |
D. | d點(diǎn)的電勢(shì)低于O點(diǎn)的電勢(shì) |
分析 根據(jù)電場的疊加,分析d點(diǎn)電場強(qiáng)度的方向;O點(diǎn)的電場強(qiáng)度等于b處-Q在O處產(chǎn)生的電場強(qiáng)度大。鶕(jù)順著電場線方向電勢(shì)降低,分析d點(diǎn)與O點(diǎn)電勢(shì)關(guān)系.注意正電荷在高電勢(shì)高處電勢(shì)能大.
解答 解:A、設(shè)菱形的邊長為r,根據(jù)公式E=k$\frac{Q}{{r}^{2}}$分析可知三個(gè)點(diǎn)電荷在d點(diǎn)生的場強(qiáng)大小E相等,由電場的疊加可知,D點(diǎn)的場強(qiáng)大小為ED=2k$\frac{Q}{{r}^{2}}$.
O點(diǎn)的場強(qiáng)大小為EO=k$\frac{Q}{(\frac{r}{2})^{2}}$=4k$\frac{Q}{{r}^{2}}$,可見,d點(diǎn)的電場強(qiáng)度小于O點(diǎn)的電場強(qiáng).所以+q在d點(diǎn)所受的電場力較小,故A錯(cuò)誤,C正確;
B、Od間電場線方向從O到d,根據(jù)順著電場線方向電勢(shì)降低,d點(diǎn)的電勢(shì)高于O點(diǎn)的電勢(shì),而正電荷在高電勢(shì)高處電勢(shì)能大,則知+q在d點(diǎn)所具有的電勢(shì)能較大.故B正確.D錯(cuò)誤.
故選:BC
點(diǎn)評(píng) 本題考查電場的疊加,解題的關(guān)鍵要抓住對(duì)稱性,由電場的疊加分析場強(qiáng)大小和電場線的方向,再判斷電場力大小和電勢(shì)能的高低.要注意在求解電勢(shì)能時(shí)要代入各物理量的符號(hào).
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場方向沿電場線斜向上 | B. | 電場強(qiáng)度大小為E=$\frac{mg}{q}$ | ||
C. | 此過程增加的電勢(shì)能等于$\frac{m{g}^{2}{t}^{2}}{2}$ | D. | 小球下落高度$\frac{3g{t}^{2}}{4}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 整個(gè)裝置因摩擦而消耗的熱功率為μmgvcosθ | |
B. | 整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為(F+μmgcosθ)v | |
C. | 電阻R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{3}$ | |
D. | 電阻 R2消耗的熱功率為 $\frac{Fv}{4}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{v}{3}$ | B. | $\frac{v}{2}$ | C. | $\frac{2v}{3}$ | D. | $\frac{3v}{2}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)的過程中電勢(shì)能增加 | |
B. | 從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)的過程中動(dòng)能增加 | |
C. | q在M點(diǎn)的加速度比N點(diǎn)的加速度大 | |
D. | 從M點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn),電勢(shì)能與動(dòng)能之和不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 釋放相鄰兩個(gè)小球的時(shí)間間隔為T=5s | |
B. | 第三個(gè)球與第六個(gè)球之間的距離為25m | |
C. | 第一個(gè)球落地瞬間速度為50m/s | |
D. | 從一號(hào)球到六號(hào)球順序,連續(xù)相鄰兩球之間的距離之比為1:3:5:7:9 |
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