如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學對該過程進行了分析,當線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是
A.圖2正確,且S1>S2 B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4 D.圖3正確,且S3=S4
D
【解析】
試題分析:當線框向右運動過程中,有兩個過程產(chǎn)生安培力,即進入磁場到完全進入磁場和離開磁場到完全離開磁場兩個過程;其中任一過程產(chǎn)生的電動勢為E=BvL,產(chǎn)生的電流為I=E/R=BLv/R,產(chǎn)生的安培力為F=BIL=B2L2v/R,當時間增加時,速度減小,則由上式可知,安培力減小,所以A、B選項錯誤;另一方面看,產(chǎn)生的平均電動勢為:E=BΔs/Δt,產(chǎn)生的電流為:I=E/R= BΔs/ΔtR,產(chǎn)生的安培力為:F=BIL=B2lΔs/RΔt;變形后得FΔt=B2lΔs/R,所以S3 =S4,則D選項正確。
考點:本題考查電磁感應(yīng)和對F-t圖像的理解。
科目:高中物理 來源: 題型:
A、圖2正確,且S1>S2 | B、圖2正確,且S1=S2 | C、圖3正確,且S3>S4 | D、圖3正確,且S3=S4 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
(2013·北京朝陽二模,18題)如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學對該過程進行了分析,當線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是
A.圖2正確,且S1>S2 B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4 D.圖3正確,且S3=S4
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科目:高中物理 來源:朝陽區(qū)二模 題型:單選題
A.圖2正確,且S1>S2 | B.圖2正確,且S1=S2 |
C.圖3正確,且S3>S4 | D.圖3正確,且S3=S4 |
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科目:高中物理 來源:2013年北京市朝陽區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:選擇題
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