A、離子從a到b,電勢(shì)能增加 | B、離子在運(yùn)動(dòng)過程中受到P的排拆力 | C、c、d兩點(diǎn)電勢(shì)相等 | D、離子從a到b,動(dòng)能增加 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、兩列機(jī)械橫渡相遇,在相遇區(qū)一定會(huì)出現(xiàn)干涉現(xiàn)象 | B、機(jī)械波在傳播過程中,沿傳播方向上,在任何相等時(shí)間內(nèi),傳播相同的距離 | C、光波在介質(zhì)中傳播的速度與光的頻率有關(guān) | D、狹義相對(duì)論認(rèn)為:一切物理規(guī)律在不同的慣性參考系中都相同 | E、紫光的雙縫干涉條紋間距可能大于紅光雙縫干涉條紋間距 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、小于臨界體積的鈾塊不可能發(fā)生鏈?zhǔn)椒磻?yīng) | B、隨著地球環(huán)境的變化,235U的半衰期可能變短 | C、陰極射線是原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)子時(shí)產(chǎn)生的高速電子流 | D、碘131自發(fā)地進(jìn)行β衰變后,生成的新物質(zhì)原子核的核子數(shù)與碘131相同 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、d點(diǎn)電場強(qiáng)度的方向由d指向O | B、O點(diǎn)處的電場強(qiáng)度是d點(diǎn)處的電場強(qiáng)度的2倍 | C、bd連線為一等勢(shì)線 | D、引入一個(gè)電量為+q的點(diǎn)電荷,依次置于O點(diǎn)和d點(diǎn),則在d點(diǎn)所具有的電勢(shì)能大于在O點(diǎn)所具有的電勢(shì)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、在-d<x<d區(qū)間內(nèi)的場強(qiáng)大小都是
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B、在-d<x<d區(qū)間內(nèi)粒子做簡諧運(yùn)動(dòng) | ||||
C、要使粒子能運(yùn)動(dòng)到-d處,粒子在O點(diǎn)的動(dòng)能至少為qφ0 | ||||
D、粒子從-
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、該點(diǎn)電荷只受到電場力的作用 | B、A點(diǎn)電勢(shì)比B點(diǎn)電勢(shì)高 | C、E點(diǎn)電勢(shì)比O點(diǎn)電勢(shì)高 | D、過E點(diǎn)的等勢(shì)線平行于AB邊 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、A、B兩處電勢(shì)、場強(qiáng)均相同 | B、C、D兩處電勢(shì)、場強(qiáng)均相同 | C、在虛線AB上O點(diǎn)的場強(qiáng)最大 | D、帶正電的試探電荷在O處的電勢(shì)能大于在B處的電勢(shì)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、A點(diǎn)的場強(qiáng)一定小于B點(diǎn)的場強(qiáng) | B、A點(diǎn)的場強(qiáng)一定大于B點(diǎn)的場強(qiáng) | C、A點(diǎn)的電勢(shì)一定低于B點(diǎn)的電勢(shì) | D、該電荷在A點(diǎn)的電勢(shì)能一定小于在B點(diǎn)的電勢(shì)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、Q2帶負(fù)電且電荷量小于Ql | B、b點(diǎn)的場強(qiáng)比a點(diǎn)的場強(qiáng)大 | C、a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的電勢(shì)高 | D、q在a點(diǎn)的電勢(shì)能小于在b點(diǎn)的電勢(shì)能 |
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