如圖所示,虛線區(qū)域內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),當(dāng)一個(gè)帶正電的粒子(重力不計(jì))沿箭頭方向穿過(guò)該區(qū)域時(shí),運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中的實(shí)線所示,則該區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)方向可能是

A.平行紙面向右    B.平行紙面向下

C.垂直紙面向里           D.垂直紙面向外

 

【答案】

 D

【解析】

試題分析:根據(jù)曲線運(yùn)動(dòng)條件,可知洛侖茲力方向大概如圖所示,由左手定則判斷洛侖茲力方向可知,該區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)方向可能是垂直紙面向外,則D正確。

考點(diǎn):本題考查曲線運(yùn)動(dòng)條件、洛侖茲力方向。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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(2009?北京)如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi),充滿垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng).一帶電粒子a(不計(jì)重力)以一定的初速度由左邊界的O點(diǎn)射入磁場(chǎng)、電場(chǎng)區(qū)域,恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′(圖中未標(biāo)出)穿出.若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)而保留電場(chǎng)不變,另一個(gè)同樣的粒子b(不計(jì)重力)仍以相同初速度由O點(diǎn)射入,從區(qū)域右邊界穿出,則粒子b( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2013?如東縣模擬)如圖所示,虛線區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形導(dǎo)體框垂直磁場(chǎng)放置,框的右邊與磁場(chǎng)邊界重合.現(xiàn)將導(dǎo)體框以速度v沿紙面垂直邊界拉出磁場(chǎng),則此過(guò)程中穿過(guò)導(dǎo)體框的磁通量改變了
BL2
BL2
,導(dǎo)體框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)是
BLv
BLv

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2012南京四校聯(lián)考)如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi),充滿垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)。一帶電粒子a(不計(jì)重力)以一定的初速度由左邊界的O點(diǎn)射入磁場(chǎng)、電場(chǎng)區(qū)域,恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點(diǎn)(圖中未標(biāo)出)穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)而保留電場(chǎng)不變,另一個(gè)同樣的粒子b(不計(jì)重力)仍以相同初速度由O點(diǎn)射入,從區(qū)域右邊界穿出,則粒子b           (      )

A.穿出位置一定在O′點(diǎn)下方                 

B.穿出位置一定在O′點(diǎn)上方

C.運(yùn)動(dòng)時(shí),在電場(chǎng)中的電勢(shì)能一定減小        

D.在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),動(dòng)能一定減小

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科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年海南省高二上學(xué)期期末考試?yán)砜莆锢碓嚲恚ń馕霭妫?/span> 題型:選擇題

如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi),充滿垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)。一帶電粒子a(不計(jì)重力)以一定的初速度由左邊界的O點(diǎn)射入磁場(chǎng)、電場(chǎng)區(qū)域,恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點(diǎn)(圖中未標(biāo)出)穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場(chǎng)而保留電場(chǎng)不變,另一個(gè)同樣的粒子b(不計(jì)重力)仍以相同初速度由O點(diǎn)射入,從區(qū)域右邊界穿出,則粒子b  (      )

 

A.穿出位置一定在O′點(diǎn)下方

B.穿出位置一定在O′點(diǎn)上方

C.運(yùn)動(dòng)時(shí),在電場(chǎng)中的電勢(shì)能一定減小

D.在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),動(dòng)能一定減小

 

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如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi),充滿垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)。一帶電粒子a(不計(jì)重力)以一定的初速度由左邊界的O1點(diǎn)射入磁場(chǎng)、電場(chǎng)區(qū)域,恰好沿直線運(yùn)動(dòng)到區(qū)域右邊界的O2點(diǎn)(圖中未標(biāo)出)穿出。若保持磁場(chǎng)強(qiáng)弱、方向和電場(chǎng)方向不變,只增大電場(chǎng)強(qiáng)度大小,另一個(gè)同樣的粒子b(不計(jì)重力)仍以相同初速度由O1點(diǎn)射入,仍然能夠從區(qū)域右邊界穿出,則粒子

A.穿出位置一定在O2點(diǎn)下方

B.在虛線區(qū)域內(nèi)的運(yùn)動(dòng)軌跡是圓弧

C.在虛線區(qū)域內(nèi)的運(yùn)動(dòng)軌跡是拋物線

D.在虛線區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí),動(dòng)能一定增大

 

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