A. | 用戶端交流電的頻率為100Hz | |
B. | 用戶端電壓一定為240V | |
C. | 若用戶總功率變大,則降壓變壓器原線圈兩端電壓升高 | |
D. | 若升壓變壓器原線圈輸入功率為720kW,則輸電線路損耗功率為45kW |
分析 根據(jù)升壓變壓器的輸入電壓,結(jié)合匝數(shù)比求出輸出電壓,從而得出輸送電流,根據(jù)輸電線的電阻得出損失的功率,根據(jù)電壓損失得出降壓變壓器的輸入電壓,計算用戶得到的電壓.
解答 解:A、由圖乙知交流電的周期T=0.02s,所以頻率$f=\frac{1}{T}=\frac{1}{0.02}Hz=50Hz$,A錯誤;
B、由圖乙知升壓變壓器輸入端電壓最大值為240$\sqrt{2}$V,有效值為240V,根據(jù)電壓與匝數(shù)成正比$\frac{{U}_{1}}{{U}_{2}}=\frac{{n}_{1}}{{n}_{2}}$知,副線圈電壓為${U}_{2}=\frac{{n}_{2}}{{n}_{1}}{U}_{1}=2400V$,根據(jù)P=UI得:所以輸電線中的電流為I2=$\frac{P}{{U}_{2}}$,輸電線損失的電壓為:△U=I2R,降壓變壓器輸入端電壓為:U3=U2-△U,根據(jù)電壓與匝數(shù)成正比$\frac{{U}_{3}}{{U}_{4}}=\frac{{n}_{3}}{{n}_{4}}$知用戶端電壓小于240V,故B錯誤;
C、若用戶總功率變大,輸電線路中的電流增大,損失的電壓增大,根據(jù)$\frac{{U}_{3}}{{U}_{4}}=\frac{{n}_{3}}{{n}_{4}}$知降壓變壓器原線圈兩端電壓降低,故C錯誤;
D、結(jié)合B可知,${I}_{2}=\frac{P}{{U}_{2}}=30A$,損失的功率${P}_{損}{=I}_{2}^{2}R=3{0}^{2}×50W=45kW$,故D正確
故選:D
點(diǎn)評 解決本題的關(guān)鍵知道:1、輸送功率與輸送電壓、電流的關(guān)系;2、變壓器原副線圈的電壓比與匝數(shù)比的關(guān)系;3、升壓變壓器輸出電壓、降壓變壓器輸入電壓、電壓損失的關(guān)系;4、升壓變壓器的輸出功率、功率損失、降壓變壓器的輸入功率關(guān)系.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 因為天宮一號的軌道距地面很近,其線速度小于同步衛(wèi)星的線速度 | |
B. | 女航天員王亞平曾在天宮一號中漂浮著進(jìn)行太空授課,那時她不受地球的引力作用 | |
C. | 天宮一號再入外層稀薄大氣一小段時間內(nèi),飛船軌道半徑減小,線速度增大 | |
D. | 由題中信息可知地球的質(zhì)量為$\frac{4{π}^{2}(R+h)^{3}}{G{T}^{2}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 甲、乙兩物體均做勻變速直線運(yùn)動 | |
B. | 甲、乙兩物體由不同地點(diǎn)同時出發(fā),t0時刻兩物體相遇 | |
C. | 0~t0時間內(nèi),乙的位移大于甲的位移 | |
D. | 0~t0時間內(nèi),甲的速度大于乙的速度;t0時刻后,乙的速度大于甲的速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 波的圖象表示介質(zhì)中“某個質(zhì)點(diǎn)”在“各個時刻”的位移 | |
B. | 當(dāng)波源與觀察者相互遠(yuǎn)離時,觀察到的頻率變大 | |
C. | 光的偏振現(xiàn)象說明光是縱波 | |
D. | 均勻變化的磁場產(chǎn)生均勻變化的電場,均勻變化的電場產(chǎn)生均勻變化的磁場 | |
E. | 狹義相對論認(rèn)為,在不同的慣性參考系中,一切物理規(guī)律都是相同的,真空的光速都是相同的 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 研究鉛球的運(yùn)動,可以用牛頓定律和運(yùn)動學(xué)公式 | |
B. | 研究高速粒子的運(yùn)動可用牛頓定律和運(yùn)動學(xué)公式 | |
C. | 研究高速粒子運(yùn)動要用相對論,研究鉛球運(yùn)動可用牛頓運(yùn)動定律 | |
D. | 研究鉛球和電子的運(yùn)動都要用牛頓運(yùn)動定律 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | n1>n2 | |
B. | $\frac{{n}_{2}}{{n}_{1}}>\frac{{n}_{3}}{{n}_{4}}$ | |
C. | 升壓變壓器的輸出功率大于降壓變壓器的輸出功率 | |
D. | 升壓變壓器的輸出電流大于降壓變壓器的輸出電流 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實驗題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間 | |
B. | 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能隨溫度的升高而減弱 | |
C. | 半導(dǎo)體只能制成光敏元件 | |
D. | 半導(dǎo)體可制成大規(guī)模集成電路 |
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