A、圖2正確,且S1>S2 | B、圖2正確,且S1=S2 | C、圖3正確,且S3>S4 | D、圖3正確,且S3=S4 |
E |
R |
B2l2v |
R |
E |
R |
B2l2v |
R2 |
B2l2v |
R |
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B2l3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
(2013·北京朝陽二模,18題)如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是
A.圖2正確,且S1>S2 B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4 D.圖3正確,且S3=S4
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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年北京市朝陽區(qū)高三第二次模擬考試?yán)砭C物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖1所示,虛線MN、M′N′為一勻強磁場區(qū)域的左右邊界,磁場寬度為L,方向豎直向下。邊長為l的正方形閉合金屬線框abcd,以初速度v0沿光滑絕緣水平面向磁場區(qū)域運動,經(jīng)過一段時間線框通過了磁場區(qū)域。已知l<L,甲、乙兩位同學(xué)對該過程進行了分析,當(dāng)線框的ab邊與MN重合時記為t=0,分別定性畫出了線框所受安培力F隨時間t變化的圖線,如圖2、圖3所示,圖中S1、S2、S3和S4是圖線與t軸圍成的面積。關(guān)于兩圖線的判斷以及S1、S2、S3和S4應(yīng)具有的大小關(guān)系,下列說法正確的是
A.圖2正確,且S1>S2 B.圖2正確,且S1=S2
C.圖3正確,且S3>S4 D.圖3正確,且S3=S4
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科目:高中物理 來源:朝陽區(qū)二模 題型:單選題
A.圖2正確,且S1>S2 | B.圖2正確,且S1=S2 |
C.圖3正確,且S3>S4 | D.圖3正確,且S3=S4 |
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科目:高中物理 來源:2013年北京市朝陽區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:選擇題
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