【題目】一個(gè)邊長(zhǎng)為L的正方形導(dǎo)線框在傾角為θ的光滑斜面上由靜止開始沿斜面下滑,隨后進(jìn)入虛線下方垂直于斜面向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。如圖所示,斜面以及虛線下方的磁場(chǎng)往下方延伸到足夠遠(yuǎn)。下列說(shuō)法正確的是( )
A. 線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程,b點(diǎn)的電勢(shì)比a點(diǎn)高
B. 線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程一定是減速運(yùn)動(dòng)
C. 線框中產(chǎn)生的焦耳熱小于線框減少的機(jī)械能
D. 線框從不同高度下滑時(shí),進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中通過(guò)線框?qū)Ь橫截面的電荷量相等
【答案】D
【解析】
A.線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程,ab邊相當(dāng)于電源,由右手定則知a點(diǎn)電勢(shì)高于b點(diǎn)電勢(shì),選項(xiàng)A錯(cuò)誤;
B.若線圈開始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受的安培力小于mgsinθ,則線圈加速進(jìn)入磁場(chǎng);若線圈開始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受的安培力等于mgsinθ,則線圈勻速進(jìn)入磁場(chǎng);若線圈開始進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)所受的安培力大于mgsinθ,則線圈減速進(jìn)入磁場(chǎng),選項(xiàng)B錯(cuò)誤;
C.由能量守恒知,線框中產(chǎn)生的焦耳熱等于線框減少的機(jī)械能,選項(xiàng)C錯(cuò)誤;
D.通過(guò)導(dǎo)線橫截面的電荷量,與下落高度無(wú)關(guān),選項(xiàng)D正確。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要儀器,如圖所示:從粒子源中放出的質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子(初速為零,重力不計(jì)),經(jīng)電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng)加速,剛出電場(chǎng)時(shí)測(cè)得離子束的電流為I,之后從Q處垂直進(jìn)入一個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)電場(chǎng),之后打到底片上P處,P、Q兩點(diǎn)距離為R.根據(jù)已知條件可知
A.該離子的質(zhì)量為m=
B.該離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t=
C.在離子從Q處進(jìn)入磁場(chǎng)至到達(dá)P的時(shí)間內(nèi),射到底片上的離子數(shù)目為N=
D.假如粒子源放出初速為零的氕()、氘()、氚()三種離子,這三種離子會(huì)打在底片上三個(gè)不同位置
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】下列說(shuō)法中正確的是 ( )
A.據(jù)可知,導(dǎo)體的電阻與加在電阻兩端的電壓成正比。
B.據(jù)可知,通過(guò)導(dǎo)體的電流改變,加在電阻兩端的電壓也改變,但導(dǎo)體的電阻不變
C.據(jù)可知,電阻率與導(dǎo)體的電阻和橫截面積的乘積RS成正比,與導(dǎo)體的長(zhǎng)度l成反比
D.導(dǎo)體的電阻率與導(dǎo)體的長(zhǎng)度l,橫截面積S、導(dǎo)體的電阻R及材料皆無(wú)關(guān)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,質(zhì)量為m、帶電量為-q的小球在光滑導(dǎo)軌上運(yùn)動(dòng),半圓形滑環(huán)的半徑為R。整個(gè)裝置放在方向豎直向下,強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,斜軌的高為H,已知。設(shè)過(guò)B點(diǎn)時(shí)小球的動(dòng)能不變。試問(wèn):
(1)若小球恰好過(guò)半圓最高點(diǎn),則該點(diǎn)速度多大?
(2)若小球從A點(diǎn)靜止釋放后恰好過(guò)半圓最高點(diǎn),則H==?
(3)上問(wèn)中,小球在B點(diǎn)對(duì)圓環(huán)的壓力為多少?
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】一圓筒處于磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向與筒的軸平行,筒的橫截面如圖所示.圖中直徑的兩端分別開有小孔,筒繞其中心軸以角速度順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng).在該截面內(nèi),一帶電粒子從小孔射入筒內(nèi),射入時(shí)的運(yùn)動(dòng)與成30°角.當(dāng)筒轉(zhuǎn)過(guò)90°時(shí),該粒子恰好從小孔飛出圓筒.不計(jì)重力.若粒子在筒內(nèi)未與筒壁發(fā)生碰撞,則帶電粒子的比荷為( )
A.B.C.D.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件,廣泛應(yīng)用于測(cè)量和自動(dòng)控制等領(lǐng)域。如圖是霍爾元件的工作原理示意圖,一塊長(zhǎng)為a,寬為c的矩形半導(dǎo)體霍爾元件,元件內(nèi)的導(dǎo)電粒子是電荷量為e的自由電子,通入圖示方向的電流I時(shí),電子的定向移動(dòng)速度為v,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B垂直于霍爾元件的工作面向下時(shí),前后兩側(cè)面會(huì)形成電勢(shì)差U,下列說(shuō)法中正確的是
A.前、后表面間的電壓U與v無(wú)關(guān)B.前表面的電勢(shì)比后表面的高
C.自由電子受到的洛倫茲力大小為D.前、后表面間的電壓U與c成正比
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】用油膜法估算分子大小的實(shí)驗(yàn)中,首先需將純油酸稀釋成一定濃度的油酸酒精溶液,稀釋的目的是_______________________________________________。實(shí)驗(yàn)中為了測(cè)量出一滴已知濃度的油酸酒精溶液中純油酸的體積,可以_____________________________________________________________。為得到油酸分子的直徑,還需測(cè)量的物理量是_________________________________。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,總?cè)莘e為3Vo、內(nèi)壁光滑的氣缸水平放置,一面積為S的輕質(zhì)薄活塞將一定質(zhì)量的理想氣體封閉在氣缸內(nèi),活塞左側(cè)由跨過(guò)光滑定滑輪的細(xì)繩與一質(zhì)量為m的重物相連,氣缸右側(cè)封閉且留有抽氣孔;钊覀(cè)氣體的壓強(qiáng)為p。,活塞左側(cè)氣體的體積為Vo,溫度為To。將活塞右側(cè)抽成真空并密封,整個(gè)抽氣過(guò)程中缸內(nèi)氣體溫度始終保持不變。然后將密封的氣體緩慢加熱。已知重物的質(zhì)量滿足關(guān)系式mg =poS,重力加速為g。求
(1)活塞剛碰到氣缸右側(cè)時(shí)氣體的溫度;
(2)當(dāng)氣體溫度達(dá)到2To時(shí)氣體的壓強(qiáng)。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,地面上方分布著豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng)。一帶正電的小球從油中A處由靜止釋放后豎直下落,下落過(guò)程中受到油對(duì)球的阻力,且阻力與球的速度平方成正比。已知小球在AB段做加速運(yùn)動(dòng),在BC段做勻速運(yùn)動(dòng),M和N是小球下落過(guò)程中經(jīng)過(guò)的兩個(gè)位置。小球在此運(yùn)動(dòng)過(guò)程中說(shuō)法正確的是
A.在AB段的加速度大小逐漸增大
B.M點(diǎn)的機(jī)械能大于N點(diǎn)的機(jī)械能
C.重力的沖量大于電場(chǎng)力的沖量
D.機(jī)械能和電勢(shì)能的總量保持不變
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