【題目】硅光電池是一種太陽(yáng)能電池，具有低碳環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。如圖所示，圖線a是該電池在某光照強(qiáng)度下路端電壓U和電流I變化的關(guān)系圖象（電池電動(dòng)勢(shì)不變，內(nèi)阻不是定值），圖線b是某電阻R的U–I圖象。在該光照強(qiáng)度下將它們組成閉合回路時(shí)，下列說(shuō)法中正確的是

A. 硅光電池的內(nèi)阻為10Ω

B. 硅光電池的總功率為0.72W

C. 硅光電池的內(nèi)阻消耗的熱功率為0.32 W

D. 若將R換成阻值更大的電阻，硅光電池的輸出功率增大

【答案】BC

【解析】

由閉合電路歐姆定律得 U=E-Ir，當(dāng)I=0時(shí)，E=U，由a圖線與縱軸的交點(diǎn)讀出電池的電動(dòng)勢(shì)為 E=3.6V．根據(jù)兩圖線交點(diǎn)處的狀態(tài)可知，將它們組成閉合回路時(shí)路端電壓為 U=2V，電流為 I=0.2A，則硅光電池的內(nèi)阻為，故A錯(cuò)誤。硅光電池的總功率為：P總=EI=3.6×0.2W=0.72W，故B正確。硅光電池的輸出功率為：P出=UI=0.4V，電池的內(nèi)阻消耗的熱功率為 P熱=P總-P出=0.32W．故C正確。R的阻值 R==10Ω＞r=8Ω，則若將R換成阻值更大的電阻，硅光電池的輸出功率將減小，故D錯(cuò)誤。故選BC。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖是某金屬在光的照射下產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能Ek與入射光頻率ν的關(guān)系圖象．由圖象可知錯(cuò)誤的是(　　 )

A. 該金屬的逸出功等于E

B. 該金屬的逸出功等于hν0

C. 入射光的頻率為2ν0時(shí)，產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能為E

D. 入射光的頻率為時(shí)，產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能為

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】某交流發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)與時(shí)間的關(guān)系如圖所示，下列說(shuō)法正確的是 (　 　)

A. t＝0時(shí)刻發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)線圈位于中性面

B. 在1s內(nèi)發(fā)電機(jī)的線圈繞軸轉(zhuǎn)動(dòng)50圈

C. 將此交流電接到匝數(shù)比是1∶10的升壓變壓器上，副線圈的電壓為2200V

D. 將此交流電與耐壓值是220V的電容器相連，電容器不會(huì)被擊穿

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】在一個(gè)很小的矩形半導(dǎo)體薄片上，制作四個(gè)電極E、F、M、N，做成了一個(gè)霍爾元件，在E、F間通入恒定電流I，同時(shí)外加與薄片垂直的磁場(chǎng)B，M、N間的電壓為UH．已知半導(dǎo)體薄片中的載流子為正電荷，電流與磁場(chǎng)的方向如圖所示，下列說(shuō)法正確的有（　　）

A. N板電勢(shì)高于M板電勢(shì)

B. 磁感應(yīng)強(qiáng)度越大，MN間電勢(shì)差越大

C. 將磁場(chǎng)方向變?yōu)榕c薄片的上、下表面平行，UH不變

D. 將磁場(chǎng)和電流分別反向，N板電勢(shì)低于M板電勢(shì)

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】太陽(yáng)現(xiàn)在正處于主序星演化階段它主要是由電子和H、等原子核組成維持太陽(yáng)輻射的是它內(nèi)部的核聚變反應(yīng)，核反應(yīng)方程是：釋放核能，這些核能最后轉(zhuǎn)化為輻射能．

已知質(zhì)子質(zhì)量，氦核的質(zhì)量，電子質(zhì)量，光速試求每發(fā)生一次上述核反應(yīng)所釋放的核能；

用上述輻射中產(chǎn)生的波長(zhǎng)為400nm某一單色光去照射逸出功為金屬材料銫時(shí)，能否產(chǎn)生光電效應(yīng)？若能，試求出產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能保留三位有效數(shù)字，普朗克常量

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，兩根足夠長(zhǎng)的平行金屬導(dǎo)軌固定在傾角θ=30°的斜面上，導(dǎo)軌 電阻不計(jì)，間距L=0.4m，導(dǎo)軌所在空間被分成區(qū)域Ⅰ和Ⅱ，兩區(qū)域的邊界與斜面的交線為MN，Ⅰ中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向垂直斜面向下，Ⅱ中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向垂直斜面向上，兩磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B=0.5T，在區(qū)域Ⅰ中，將質(zhì)量m1=0.1kg，電阻R1=0.1Ω的金屬條ab放在導(dǎo)軌上，ab剛好不下滑，然后，在區(qū)域Ⅱ中將質(zhì)量m2=0.4kg，電阻R2=0.1Ω的光滑導(dǎo)體棒cd置于導(dǎo)軌上，由靜止開始下滑，cd在滑動(dòng)過(guò)程中始終處于區(qū)域Ⅱ的磁場(chǎng)中，ab、cd始終與導(dǎo)軌垂直且兩端與導(dǎo)軌保持良好接觸，取g=10m/s2，求：

（1）cd下滑的過(guò)程中，ab中的電流方向？

（2）ab剛要向上滑動(dòng)時(shí)，cd的速度多大？

（3）從cd開始下滑到ab剛要向上滑動(dòng)的過(guò)程中，cd滑動(dòng)的距離x=3.8m，此過(guò)程 中ab上產(chǎn)生的熱量Q是多少？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示為離子分析裝置的簡(jiǎn)化模型,空間存在以虛線OP為分界線的范圍足夠?qū)拸V勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng),電場(chǎng)方向與分界線垂直,電場(chǎng)強(qiáng)度大小E磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B，OP=a。現(xiàn)有某一速率為v的正離子從O點(diǎn)垂直于OP飛入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,經(jīng)兩個(gè)半圓周后豎直向上通過(guò)P點(diǎn),不計(jì)離子的重力及空氣阻力,求：

(1)該正離子的比荷；

(2)該正離子從O點(diǎn)出發(fā)到豎直向上通過(guò)P點(diǎn)全程所用的時(shí)間

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示電路中，閉合開關(guān)S，當(dāng)滑動(dòng)變阻器的滑動(dòng)觸頭P向右滑動(dòng)時(shí)，下列說(shuō)法正確的是

A. 電流表、電壓表讀數(shù)均變大

B. 電源內(nèi)部發(fā)熱功率變小

C. 電源總功率變大

D. 電源效率先增大后減小

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，豎直玻璃管粗細(xì)均勻，上端開口，下端封閉有長(zhǎng)度L1=30cm的理想氣體，中間水銀柱長(zhǎng)h=24cm。在豎直管中間接一水平玻璃管，右端開口于大氣相通，管的直徑與豎直部分相同，用光滑活塞封閉足夠長(zhǎng)的水銀柱，已知外界大氣壓強(qiáng)p0=76cmHg，保持環(huán)境溫度恒為T1=300K，現(xiàn)用外力緩慢向左推活塞，使下端氣柱長(zhǎng)變?yōu)?/span>L2=25cm，求：

①氣柱長(zhǎng)度為L2=25cm時(shí)，活塞移動(dòng)的距離d；

②若活塞左移①中的距離d后固定，對(duì)玻璃管緩慢加熱，使下端氣柱長(zhǎng)又變回L1，求此時(shí)封閉氣體的溫度T2.

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