(1)電荷從釋放到第一次進入磁場時所用的時間t;
(2)電荷在磁場中的偏轉(zhuǎn)半徑;
(3)電荷第三次到達x軸上的位置。
解:(1)如圖,電荷從A點勻加速運動到x軸的C點即是電荷由C點第一次進入磁場,位移s=AC=m;加速度a=×
(2)電荷到達C點的速度為v=at=2×
(3)軌跡圓與x軸相交的弦長為Δx=R=
tan45°=得t′=2×10-6s,則電荷在垂直于電場方向的位移s′=vt′=
實際位移x==8 m,即電荷第三次到達x軸上的點的坐標(biāo)為(8 m,0)。
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科目:高中物理 來源:2013屆廣東省高二上學(xué)期期中測試物理卷 題型:選擇題
(16分)在如圖所示的直角坐標(biāo)中,x軸的上方有與x軸正方向成45°角的勻強電場,場強的大小為E=×104V/m。x軸的下方有垂直于xOy面的勻強磁場,磁感應(yīng)強度的大小為 B=1×10-2T。把一個比荷為C/kg的正電荷從y軸上坐標(biāo)為(0,1)的A點處由靜止釋放。電荷所受的重力忽略不計,求:
(1)電荷從釋放到第一次進入磁場時所用的時間t;
(2)電荷在磁場中的偏轉(zhuǎn)半徑;
(3)電荷第三次到達x軸上的位置。
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