如圖所示,間距為d的光滑平行金屬導(dǎo)軌,水平放置在豎直向下的、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,一端接有阻值為R的電阻,一質(zhì)量為m、電阻為r的導(dǎo)體棒ab放置在導(dǎo)軌上,在外力F作用下從t=0開始運動,其速度規(guī)律為v=vmsinωt,不計導(dǎo)軌電阻及感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場對原磁場的影響,求:

(1)電阻R上的發(fā)熱功率;

(2)從t=0到t=時間內(nèi)外力F所做的功。

解:(1)根據(jù)導(dǎo)線運動規(guī)律可知,導(dǎo)線上產(chǎn)生的是正弦交流電,其表達式為

e=Bdv=Bdvmsinωt,Em=Bdvm  ①

PR=(2×R=·R  ②

(2)F做的功有兩部分,一是產(chǎn)生電能,二是增加桿的動能。

WF=Pt+=

  ③

考查法拉第電磁感應(yīng)定律,交流電有效值,能量守恒定律。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,間距為d的光滑平行金屬導(dǎo)軌,水平放置在豎直向下的、磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中,一端接有阻值為R的電阻,一質(zhì)量為m、電阻為r的導(dǎo)體棒ab放置在導(dǎo)軌上,在外力F作用下從t=0開始運動,其速度規(guī)律為v=vmsinωt,不計導(dǎo)軌電阻及感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場對原磁場的影響,求:
(1)電阻R上的發(fā)熱功率;
(2)從t=0到t=π/2ω時間內(nèi)外力F所做的功.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,間距為d的平行板電容器與電源相連,電鍵K閉合.電容器兩極板間有一質(zhì)量為m、帶電荷量為q的微粒靜止不動.下列各敘述中正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,間距為d的帶電平行金屬板P和Q之間構(gòu)成加速電子的電場,Q板右側(cè)區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)存在勻強磁場.區(qū)域I左邊界與金屬板平行,區(qū)域Ⅱ的左邊界與區(qū)域I的右邊界重合.已知區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里,且磁感應(yīng)強度大小均為B,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向的寬度均為
3
mv0
2Be
.以區(qū)域I的左邊界為y軸,以電子進入?yún)^(qū)域I時的入射點為坐標(biāo)原點建立xOy平面直角坐標(biāo)系.一電子從P板逸出,經(jīng)過P、Q間電場加速后沿著x軸正向以速度v0先后通過區(qū)域I和區(qū)域II,設(shè)電子電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子重力.
(1)求P、Q間電場強度的大小E;
(2)求電子從區(qū)域Ⅱ右邊界射出時,射出點的縱坐標(biāo)y;
(3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向的勻強電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域Ⅱ的右邊界飛出.求電子的區(qū)域II中運動的速度v和在區(qū)域I中運動的平均速度
.
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?鹽城一模)如圖所示,間距為d的兩平行板之間有方向向右的勻強電場,正方形容器abcd內(nèi)有方向垂直紙面向里的勻強磁場,O為ab邊的中點,ab邊緊靠平行板.有兩個質(zhì)量均為m,電量均為q的帶電粒子P1和P2在小孔處以初速度為零先后釋放.P1經(jīng)勻強電場加速后,從O處垂直正方形的ab邊進入勻強磁場中,每一次和邊碰撞時速度方向都垂直于被碰的邊,當(dāng)P1剛好回到O處時與后釋放的P2相碰,以后P1、P2都在O處相碰.假設(shè)所有碰撞過程均無機械能損失.
(1)若在一個循環(huán)中P1和bc邊只碰撞3次,求正方形的邊長.
(2)若P1和P2在小孔O處剛碰撞后,立即改變平行板內(nèi)電場強度和正方形容器內(nèi)磁感應(yīng)強度的大小,使P1不再與ab邊碰撞,但仍和P2在O處碰撞.則電場強度和磁感應(yīng)強度分別變?yōu)樵瓉淼膸妆叮?/div>

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年山東省棗莊三中高三(上)期末物理模擬試卷(西校)(解析版) 題型:解答題

如圖所示,間距為d的帶電平行金屬板P和Q之間構(gòu)成加速電子的電場,Q板右側(cè)區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)存在勻強磁場.區(qū)域I左邊界與金屬板平行,區(qū)域Ⅱ的左邊界與區(qū)域I的右邊界重合.已知區(qū)域I內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場垂直于Oxy平面向里,且磁感應(yīng)強度大小均為B,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向的寬度均為.以區(qū)域I的左邊界為y軸,以電子進入?yún)^(qū)域I時的入射點為坐標(biāo)原點建立xOy平面直角坐標(biāo)系.一電子從P板逸出,經(jīng)過P、Q間電場加速后沿著x軸正向以速度v先后通過區(qū)域I和區(qū)域II,設(shè)電子電荷量為e,質(zhì)量為m,不計電子重力.
(1)求P、Q間電場強度的大小E;
(2)求電子從區(qū)域Ⅱ右邊界射出時,射出點的縱坐標(biāo)y;
(3)撤除區(qū)域I中的磁場而在其中加上沿x軸正向的勻強電場,使得該電子剛好不能從區(qū)域Ⅱ的右邊界飛出.求電子的區(qū)域II中運動的速度v和在區(qū)域I中運動的平均速度

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