【題目】關于安培分子電流假說的說法正確的是
A. 安培觀察到物質內部有分子電流存在就提出了假說
B. 為了解釋磁鐵產生磁場的原因,安培提出了假說
C. 事實上物體內部都存在類似的分子電流
D. 據后來科學家研究,原子內電子繞核旋轉形成環(huán)形電流與安培分子電流假說相符
【答案】BCD
【解析】
安培所提出的“分子電流”的假說。安培認為,在原子、分子或分子團等物質微粒內部,存在著一種環(huán)形電流--分子電流,分子電流使每個物質微粒都形成一個微小的磁體。未被磁化的物體,分子電流的方向非常紊亂,對外不顯磁性;磁化時,分子電流的方向大致相同,于是對外界顯示出磁性。
安培為了解釋磁鐵產生磁場的原因,提出的分子環(huán)形電流假說,認為在原子、分子或分子團等物質微粒內部,存在著一種環(huán)形電流--分子電流,分子電流使每個物質微粒都形成一個微小的磁體。未被磁化的物體,分子電流的方向非常紊亂,對外不顯磁性;磁化時,分子電流的方向大致相同,于是對外界顯出顯示出磁性,說明了磁現象產生的本質,故A錯誤,B正確;安培提出了分子環(huán)形電流假說,事實上物體內部都存在類似的分子電流。故C正確;安培提出了分子環(huán)形電流假說后,根據科學家研究,原子內電子繞核旋轉形成環(huán)形電流與安培分子電流假說相符。故D正確;故選BCD。
科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】要發(fā)射遠地衛(wèi)星,需要先將衛(wèi)星發(fā)射至近地圓形軌道1運行,然后在Q點點火,使其沿橢圓軌道2運行,最后在P點再次點火,將衛(wèi)星送入同步圓形軌道3運行,如圖所示.已知軌道1、2相切于Q點,軌道2、3相切于P點.若只考慮地球對衛(wèi)星的引力作用,則衛(wèi)星分別在軌道1、2、3上正常運行時,下列說法正確的是( 。
A. 若衛(wèi)星在軌道1、2、3上正常運行時的周期分別為T1、T2、T3,則有T1<T2<T3
B. 衛(wèi)星沿軌道2由Q點運動到P點時引力做負功,衛(wèi)星與地球組成的系統(tǒng)機械能守恒
C. 根據公式v=ωr可知,衛(wèi)星在軌道3上的運行速度大于在軌道1上的運行速度
D. 根據v= 知,衛(wèi)星在軌道2上任意位置的運行速度都小于在軌道1上的運行速度
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,在傾角為θ的光滑斜面上有兩個用輕質彈簧相連接的物塊A、B,它們的質量分別為mA、mB,彈簧的勁度系數為k,C為一固定擋板,系統(tǒng)處于靜止狀態(tài),現開始用一恒力F沿斜面方向拉物塊A使之向上運動,求物塊B剛要離開C時物塊A受到的合外力和從開始到此時物塊A的位移d.(重力加速度為g)
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【題目】如圖所示,水平桌面上平放有一堆卡片,每一張卡片的質量均為m.用一手指以豎直向下的力壓第1張卡片,并以一定速度向右移動手指,確保第1張卡片與第2張卡片之間有相對滑動.設最大靜摩擦力與滑動摩擦力相同,手指與第1張卡片之間的動摩擦因數為,卡片之間、卡片與桌面之間的動摩擦因數均為,且有>,則下列說法正確的是
A. 任意兩張卡片之間均可能發(fā)生相對滑動
B. 上一張卡片受到下一張卡片的摩擦力一定向左
C. 第1張卡片受到手指的摩擦力向左
D. 最后一張卡片受到水平桌面的摩擦力向右
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【題目】如圖甲所示,兩相互平行的光滑金屬導軌水平放置,導軌間距L=0.5 m,左端接有電阻R=3 Ω,豎直向下的磁場磁感應強度大小隨坐標x的變化關系如圖乙所示.開始導體棒CD靜止在導軌上的x=0處,現給導體棒一水平向右的拉力,使導體棒1 m/s2的加速度沿x軸勻加速運動,已知導體棒質量為2 kg,電阻為2 Ω,導體棒與導軌接觸良好,其余電阻不計,求:
(1)拉力隨時間變化的關系式;
(2)當導體棒運動到x=4.5 m處時撤掉拉力,此時導體棒兩端的電壓,此后電阻R上產生的熱量.
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【題目】如圖所示,輕質彈簧的一端固定在粗糙斜面的擋板O點,另一端固定一個小物塊。小物塊從位置(此位置彈簧伸長量為零)由靜止開始運動,運動到最低點位置。然后在彈力作用下,上升到最高點位置(圖中未標出)在此兩過程中,下列判斷正確的是( )
A. 下滑和上滑過程彈簧和小物塊系統(tǒng)機械能守恒
B. 下滑過程物塊速度最大值位置比上滑過程速度最大位置高
C. 下滑過程彈簧和小物塊組成系統(tǒng)機械減小量比上升過程小
D. 下滑過程重力、彈簧彈力和摩擦力對物塊做功總值等于上滑過程重力、彈簧彈力和摩擦力做功總值
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【題目】如圖,空間區(qū)域Ⅰ、Ⅱ有勻強電場和勻強磁場,MN、PQ為理想邊界,Ⅰ區(qū)域高度為d,Ⅱ區(qū)域的高度足夠大勻強電場方向豎直向上;Ⅰ、Ⅱ區(qū)域的磁感應強度大小均為B,方向分別垂直紙面向里和向外一個質量為m,電量為q的帶電小球從磁場上方的O點由靜止開始下落,進入場區(qū)后,恰能做勻速圓周運動已知重力加速度為g.
(1)試判斷小球的電性并求出電場強度E的大;
(2)若帶電小球能進入區(qū)域Ⅱ,則h應滿足什么條件?
(3)若帶電小球運動一定時間后恰能回到O點,求它釋放時距MN的高度h.
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【題目】如圖所示,兩平行光滑的金屬導軌MN、PQ固定在水平面上,相距為L,處于豎直向下的磁場中,整個磁場由n個寬度皆為x0的條形勻強磁場區(qū)域1、2、3、…n組成,從左向右依次排列,磁感應強度的大小分別為B、2B、3B、…nB,兩導軌左端MP間接入電阻R,一質量為m的金屬棒ab垂直于MN、PQ放在水平導軌上,與導軌電接觸良好,不計導軌和金屬棒的電阻。
(1)對導體棒ab施加水平向右的力,使其從圖示位置開始運動并穿過n個磁場區(qū),求導體棒穿越磁場區(qū)1的過程中,通過電阻R的電荷量q。
(2)對導體棒ab施加水平向右的恒力F0,讓它從磁場1左側邊界處開始運動,當向右運動距離為時做勻速運動,求棒通過磁場區(qū)1所用的時間t。
(3)對導體棒ab施加水平向右的恒定拉力F1,讓它從距離磁場區(qū)1左側x=x0的位置由靜止開始做勻加速運動,當棒ab進入磁場區(qū)1時開始做勻速運動,此后在不同的磁場區(qū)施加不同的水平拉力,使棒ab保持該勻速運動穿過整個磁場區(qū),求棒ab通過第i磁場區(qū)時的水平拉力Fi和棒ab通過整個磁場區(qū)過程中回路產生的電熱Q。
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【題目】如圖所示,在平面直角坐標系xOy的第一象限存在垂直平面向里的勻強磁場,磁感應強度為B,第四象限存在沿y軸負方向、電場強度為E的勻強電場速度為v的電子從y軸上的P點沿x軸正方向射入磁場,直接從x軸上的Q點進入電場,求:
(1)電子的比荷;
(2)若將電子的速率變?yōu)?/span>,其他條件不變,試問該電子能否到達Q點,如能到達,求出電子從P到Q經歷的時間,若不能到達,說明理由。
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