水平面上有一邊長為L的正方形,其a、b、c三個(gè)頂點(diǎn)上分別固定了三個(gè)等量的正點(diǎn)電荷Q,將一個(gè)電量為+q的點(diǎn)電荷分別放在正方形中心點(diǎn)O點(diǎn)和正方形的另一個(gè)頂點(diǎn)d點(diǎn)處,兩處相比,下列說法正確的是             (   )

A.q在d點(diǎn)所受的電場力較大B.q在d點(diǎn)所具有的電勢能較大
C.d點(diǎn)的電勢高于O點(diǎn)的電勢D.q在兩點(diǎn)所受的電場力方向相同

D

解析考點(diǎn):電勢;電場強(qiáng)度.
分析:在O點(diǎn)電場方向沿ad指向d點(diǎn),d點(diǎn)電場方向用矢量合成可求得與a點(diǎn)相同.據(jù)電荷周圍電勢的特點(diǎn)分析電勢的高低.
解答:解析:由點(diǎn)電荷的電場及場的疊加可知,在O點(diǎn)b、c兩處的點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場相互抵消,O點(diǎn)處的場強(qiáng)等于
a處點(diǎn)電荷所產(chǎn)生的場強(qiáng),即EO==方向由a指向O;而在d點(diǎn)處Ed=×cos45°×2+=×<EO,方向也沿aO方向,A錯(cuò)誤,D正確.
ad是b、c兩處點(diǎn)電荷連線的中垂線,由兩等量正電荷的電場中電勢分布可知在b、c兩點(diǎn)電荷的電場中O點(diǎn)電勢高于d點(diǎn)電勢,而在點(diǎn)電荷a的電場中O點(diǎn)電勢也高于d點(diǎn)電勢.再由電勢疊加可知O點(diǎn)電勢高,而正電荷在電勢越高處電勢能越大,B、C皆錯(cuò)誤.
故選:D
點(diǎn)評:考查電場地場強(qiáng)的求解:明確其計(jì)算用矢量合成法則,會(huì)分析電勢的高低.

練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2007?惠州二模)光滑水平面上有一邊長為L的正方形區(qū)域處在場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中,電場方向與正方形一邊平行.一質(zhì)量為m、帶電量為q的小球由某一邊的中點(diǎn),以垂直于該邊的水平初速v0進(jìn)入該正方形區(qū)域.當(dāng)小球再次運(yùn)動(dòng)到該正方形區(qū)域的邊緣時(shí),具有的動(dòng)能可能為( 。

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(2013?豐臺(tái)區(qū)一模)光滑水平面上有一邊長為L的正方形區(qū)域處在場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中,電場方向與正方形一邊平行.一質(zhì)量為m、帶電量為q的小球由某一邊的中點(diǎn),以垂直于該邊的水平初速v0進(jìn)入該正方形區(qū)域.當(dāng)小球再次運(yùn)動(dòng)到該正方形區(qū)域的邊緣時(shí),具有的動(dòng)能不可能為( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?浙江一模)光滑水平面上有一邊長為l的正方形區(qū)域處在場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中,電場方向與正方形一邊平行.一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小球由某一邊的中點(diǎn),以垂直于該邊的水平初速v0進(jìn)入該正方形區(qū)域.當(dāng)小球再次運(yùn)動(dòng)到該正方形區(qū)域的邊緣時(shí),具有的動(dòng)能不可能為( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?安徽三模)水平面上有一邊長為L的正方形,其a、b、c三個(gè)頂點(diǎn)上分別固定了三個(gè)等量的正點(diǎn)電荷Q,將一個(gè)電量為+q的點(diǎn)電荷分別放在正方形中心點(diǎn)O點(diǎn)和正方形的另一個(gè)頂點(diǎn)d點(diǎn)處,兩處相比,下列說法正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

光滑水平面上有一邊長為l的正方形區(qū)域,處在電場強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場中,電場方向與正方形的某一邊平行.一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小球由某一邊的中點(diǎn),以垂直于該邊的水平初速度進(jìn)入該正方形區(qū)域.當(dāng)小球再次運(yùn)動(dòng)到該正方形區(qū)域的邊緣時(shí),動(dòng)能的增量不可能為C( 。

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