如圖所示,一個(gè)正方形閉合導(dǎo)線框abcd,邊長為0.lm,各邊電阻為1Ω, bc邊位于x軸上,在x軸原點(diǎn)O右方有寬為0. 2 m,磁感應(yīng)強(qiáng)度為1 T,方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū),當(dāng)線框以恒定速度4 m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)過程中,下圖所示中哪一圖線可正確表示線框從進(jìn)入到穿出磁場的過程中,ab邊兩端電勢差隨位置變化的情況(  )

B


解析:

  線框在坐標(biāo)0~L的過程中

=1×0. 1×4 V=0.4 V,0. 3 V

L~2L過程線圈中無電流,但有電動(dòng)勢=0. 4 V

從2L~3L過程cd切割=0. 4 V,,故B項(xiàng)正確。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,一個(gè)正方形導(dǎo)線框abcd,邊長為L,質(zhì)量為m.將線框從距水平勻強(qiáng)磁場上方h處由靜止釋放,在線框下落過程中,不計(jì)空氣阻力,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界平行.當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí),線框速度為v.在線框進(jìn)入磁場的整個(gè)過程中,下列說法正確的是( 。
A、線框可能做加速度減小的加速運(yùn)動(dòng)
B、線框可能做加速度減小的減速運(yùn)動(dòng)
C、安培力對線框的沖量大小一定為mv
D、線框克服安培力做功一定為mg(h+L)-
1
2
mv2

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2013屆甘肅省河西五市部分普通高中高三第一次聯(lián)合考試物理試卷(帶解析) 題型:單選題

如圖所示,一個(gè)正方形單匝線圈abcd,邊長為L,線圈每邊的電阻均為R,以恒定速度v通過一個(gè)寬度為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里。下列ABCD圖中能正確反映ab兩端電壓Uab隨時(shí)間t變化關(guān)系的是(  )

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年甘肅省河西五市高三第一次合考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,一個(gè)正方形單匝線圈abcd,邊長為L,線圈每邊的電阻均為R,以恒定速度v通過一個(gè)寬度為2L的勻強(qiáng)磁場區(qū),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直紙面向里。下列ABCD圖中能正確反映ab兩端電壓Uab隨時(shí)間t變化關(guān)系的是(  )

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一個(gè)正方形導(dǎo)線框abcd,邊長為L,質(zhì)量為m。將線框從距水平勻強(qiáng)磁場上方h處由靜止釋放,在線框下落過程中,不計(jì)空氣阻力,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界平行。當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí),線框速度為v。在線框進(jìn)入磁場的整個(gè)過程中,下列說法正確的是

    A.線框可能做加速度減小的加速運(yùn)動(dòng)

    B.線框可能做加速度減小的減速運(yùn)動(dòng)

    C.安培力對線框的沖量大小一定為

    D.線框克服安培力做功一定為

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案